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RealChip(正芯半导体)

正芯?高性能低功耗MOSFET功率器件系列产品均通过RoHS、欧盟REACH法规标准认证,广泛应用于:各种消费类电子、家电、智能机器人、BMS、电机驱动、电源充电器、TV、计算机及电脑、安防、新能源、5G设备、智能影音等领域。公司与多家著名晶圆厂及封测厂结成战略合作伙伴关系,确保产能及质量;正芯运用特殊电路先进制程设计,采用最新工艺平台设计各类新工艺结构产品,大大提高产品在系统中的能效转换,在日趋竞争的国际市场,正芯(RealChip?)将运用自主研发的各项专利技术,不断的为客户提供创新性、高效能、高稳定、低功耗、低成本的产品及技术方案。
类目:
  • 全部
  • IGBT管/模块
  • 氮化镓晶体管(GaN HEMT)
  • RS-485/RS-422芯片
  • 电压基准芯片
  • 三极管(BJT)
  • 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
  • 线性稳压器(LDO)
  • 场效应管(MOSFET)
封装:
  • 全部
  • TO-247
  • DFN-8(5x6)
  • PPAK-8(5x6)
  • PPAK-8(3x3)
  • PDFN-8L(5x6)
  • PDFN5060-8L
  • SOT-523
  • SOT-23-6
  • DFN-8L(5x6)
  • DFN-8L(8x8)
  • TO-220F
  • DFN-8L(3.3x3.3)
  • SOT-23L
  • DFN-8(3.3x3.3)
  • TO-220
  • PPAK(5x6)
  • SC-59
  • SOT-723
  • PDFN-8(3x3)
  • DFN-6(2x2)
  • SOT-23-3
  • TO-252
  • TO-252-2L
  • DFN-2(1x0.6)
  • SOD-523
  • TO-220-3
  • PDFN-8(3.3x3.3)
  • PDFN-8(5x6)
  • SOT-363
  • SOT-323
  • SOP-8
  • SOT-89
  • SOT-23-3L
  • SOT-23
当前 “RealChip(正芯半导体)” 共119件相关型号
  • 综合
  • 价格
  • 库存
  • 销量

型号/类目/品牌/封装/描述

参数

库存

价格梯度(含税价格)

数量

操作

RCS023N10BQ
封装: TO-247
描述:
场效应管(MOSFET) RealChip(正芯半导体) TO-247
147
最小包:30
起订量:1
增量:1
1+: ¥ 10.33
10+: ¥ 8.96
30+: ¥ 8.1
90+: ¥ 7.23
合计总额: ¥ 10.3300
RCQ5606
封装: PDFN-8(5x6)
描述:
场效应管(MOSFET) RealChip(正芯半导体) PDFN-8(5x6) 1个N沟道 60V 80A 135W 7.6mΩ@10V,30A 1.6V@250uA
类型: 1个N沟道
漏源电压(Vdss): 60V
连续漏极电流(Id): 80A
功率(Pd): 135W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 7.6mΩ@10V,30A
阈值电压(Vgs(th)@Id): 1.6V@250uA
10
最小包:5000
起订量:1
增量:1
5+: ¥ 0.8588
50+: ¥ 0.8387
150+: ¥ 0.8252
合计总额: ¥ 0.8588
RCQ5409
封装: PDFN-8(5x6)
描述:
场效应管(MOSFET) RealChip(正芯半导体) PDFN-8(5x6) 1个P沟道 40V 60A 97W 13mΩ@10V,15A 1.6V@250uA
类型: 1个P沟道
漏源电压(Vdss): 40V
连续漏极电流(Id): 60A
功率(Pd): 97W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 13mΩ@10V,15A
阈值电压(Vgs(th)@Id): 1.6V@250uA
0
最小包:5000
起订量:1
增量:1
5+: ¥ 0.7858
50+: ¥ 0.7676
150+: ¥ 0.7555
500+: ¥ 0.7434
合计总额: ¥ 0.7858
RCQ5402
封装: DFN-8(5x6)
描述:
场效应管(MOSFET) RealChip(正芯半导体) DFN-8(5x6) 1个N沟道 40V 140A 142W 1.9mΩ@10V,30A 1.6V@250uA 70nC@4.5V 8nF@25V 420pF@25V
类型: 1个N沟道
漏源电压(Vdss): 40V
连续漏极电流(Id): 140A
功率(Pd): 142W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 1.9mΩ@10V,30A
阈值电压(Vgs(th)@Id): 1.6V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs): 70nC@4.5V
输入电容(Ciss@Vds): 8nF@25V
反向传输电容(Crss@Vds): 420pF@25V
4810
最小包:5000
起订量:1
增量:1
5+: ¥ 1.6084
50+: ¥ 1.3989
150+: ¥ 1.3091
500+: ¥ 1.1372
2500+: ¥ 1.0874
合计总额: ¥ 1.6084
RCQ5313
封装: PDFN-8(5x6)
描述:
场效应管(MOSFET) RealChip(正芯半导体) PDFN-8(5x6) 1个P沟道 30V 45A 45W 15mΩ@10V,30A 2.5V@250uA
类型: 1个P沟道
漏源电压(Vdss): 30V
连续漏极电流(Id): 45A
功率(Pd): 45W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 15mΩ@10V,30A
阈值电压(Vgs(th)@Id): 2.5V@250uA
585
最小包:5000
起订量:1
增量:1
5+: ¥ 0.5997
50+: ¥ 0.5859
150+: ¥ 0.5766
500+: ¥ 0.5674
合计总额: ¥ 0.5997
RCQ5307
封装: PDFN-8(5x6)
描述:
场效应管(MOSFET) RealChip(正芯半导体) PDFN-8(5x6) 1个P沟道 30V 60A 96W 8.5mΩ@10V,10A 1.6V@250uA
类型: 1个P沟道
漏源电压(Vdss): 30V
连续漏极电流(Id): 60A
功率(Pd): 96W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 8.5mΩ@10V,10A
阈值电压(Vgs(th)@Id): 1.6V@250uA
200
最小包:5000
起订量:1
增量:1
5+: ¥ 0.8731
50+: ¥ 0.8529
150+: ¥ 0.8395
合计总额: ¥ 0.8731
RCQ5305
封装: PDFN-8(5x6)
描述:
场效应管(MOSFET) RealChip(正芯半导体) PDFN-8(5x6) 1个P沟道 30V 90A 136W 6.5mΩ@10V,30A 1.6V@250uA
类型: 1个P沟道
漏源电压(Vdss): 30V
连续漏极电流(Id): 90A
功率(Pd): 136W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 6.5mΩ@10V,30A
阈值电压(Vgs(th)@Id): 1.6V@250uA
185
最小包:5000
起订量:1
增量:1
5+: ¥ 1.0352
50+: ¥ 1.0113
150+: ¥ 0.9954
合计总额: ¥ 1.0352
RCQ5304
封装: PPAK-8(5x6)
描述:
场效应管(MOSFET) RealChip(正芯半导体) PPAK-8(5x6) 1个N沟道 30V 90A 115W 4.5mΩ@10V,20A 1.6V@250uA 24nC@4.5V 2.2nF@25V 340pF@25V
类型: 1个N沟道
漏源电压(Vdss): 30V
连续漏极电流(Id): 90A
功率(Pd): 115W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 4.5mΩ@10V,20A
阈值电压(Vgs(th)@Id): 1.6V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs): 24nC@4.5V
输入电容(Ciss@Vds): 2.2nF@25V
反向传输电容(Crss@Vds): 340pF@25V
640
最小包:5000
起订量:1
增量:1
5+: ¥ 0.617
50+: ¥ 0.6026
150+: ¥ 0.593
500+: ¥ 0.5834
合计总额: ¥ 0.6170
RCQ36N25
封装: PDFN-8(3x3)
描述:
场效应管(MOSFET) RealChip(正芯半导体) PDFN-8(3x3)
1000
最小包:5000
起订量:1
增量:1
5+: ¥ 0.373402
50+: ¥ 0.365194
150+: ¥ 0.359722
500+: ¥ 0.35425
合计总额: ¥ 0.3734
RCQ3651
封装: PDFN-8(3x3)
描述:
场效应管(MOSFET) RealChip(正芯半导体) PDFN-8(3x3) 1个P沟道 60V 14A 33.8W 65mΩ@10V,8A 1.6V@250uA
类型: 1个P沟道
漏源电压(Vdss): 60V
连续漏极电流(Id): 14A
功率(Pd): 33.8W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 65mΩ@10V,8A
阈值电压(Vgs(th)@Id): 1.6V@250uA
85
最小包:5000
起订量:1
增量:1
5+: ¥ 0.5613
50+: ¥ 0.5483
150+: ¥ 0.5397
合计总额: ¥ 0.5613
RCQ3646
封装: PDFN-8(3x3)
描述:
场效应管(MOSFET) RealChip(正芯半导体) PDFN-8(3x3) 1个N沟道 40V 38A 44W 9mΩ@10V,8A 1.8V@250uA
类型: 1个N沟道
漏源电压(Vdss): 40V
连续漏极电流(Id): 38A
功率(Pd): 44W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 9mΩ@10V,8A
阈值电压(Vgs(th)@Id): 1.8V@250uA
70
最小包:5000
起订量:1
增量:1
5+: ¥ 0.5613
50+: ¥ 0.5483
150+: ¥ 0.5397
合计总额: ¥ 0.5613
RCQ3635
封装: PDFN-8(3x3)
描述:
场效应管(MOSFET) RealChip(正芯半导体) PDFN-8(3x3) 1个P沟道 30V 35A 23W 15mΩ@10V,8A 600mV@250uA
类型: 1个P沟道
漏源电压(Vdss): 30V
连续漏极电流(Id): 35A
功率(Pd): 23W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 15mΩ@10V,8A
阈值电压(Vgs(th)@Id): 600mV@250uA
35
最小包:5000
起订量:1
增量:1
5+: ¥ 0.5239
50+: ¥ 0.5118
150+: ¥ 0.5037
合计总额: ¥ 0.5239
RCQ3634
封装: PDFN-8(3x3)
描述:
场效应管(MOSFET) RealChip(正芯半导体) PDFN-8(3x3) 1个N沟道 30V 60A 45W 6mΩ@10V,20A 1.6V@250uA
类型: 1个N沟道
漏源电压(Vdss): 30V
连续漏极电流(Id): 60A
功率(Pd): 45W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 6mΩ@10V,20A
阈值电压(Vgs(th)@Id): 1.6V@250uA
140
最小包:5000
起订量:1
增量:1
5+: ¥ 0.4989
50+: ¥ 0.4874
150+: ¥ 0.4797
合计总额: ¥ 0.4989
RCQ3632
封装: PPAK-8(3x3)
描述:
场效应管(MOSFET) RealChip(正芯半导体) PPAK-8(3x3) 1个N沟道 30V 38A 35W 8mΩ@10V,16A 1.6V@250uA 7.5nC@4.5V 680pF@25V 70pF@25V
类型: 1个N沟道
漏源电压(Vdss): 30V
连续漏极电流(Id): 38A
功率(Pd): 35W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 8mΩ@10V,16A
阈值电压(Vgs(th)@Id): 1.6V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs): 7.5nC@4.5V
输入电容(Ciss@Vds): 680pF@25V
反向传输电容(Crss@Vds): 70pF@25V
3000
最小包:3000
起订量:1
增量:1
5+: ¥ 0.75775
50+: ¥ 0.61775
150+: ¥ 0.54775
500+: ¥ 0.49525
3000+: ¥ 0.43225
合计总额: ¥ 0.7578
RCQ3625
封装: PDFN-8(3x3)
描述:
场效应管(MOSFET) RealChip(正芯半导体) PDFN-8(3x3) 1个P沟道 20V 60A 62.5W 8mΩ@4.5V,8A 600mV@250uA
类型: 1个P沟道
漏源电压(Vdss): 20V
连续漏极电流(Id): 60A
功率(Pd): 62.5W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 8mΩ@4.5V,8A
阈值电压(Vgs(th)@Id): 600mV@250uA
145
最小包:5000
起订量:1
增量:1
5+: ¥ 0.411576
50+: ¥ 0.402072
150+: ¥ 0.395736
合计总额: ¥ 0.4116
RCP80N06A
封装: TO-220
描述:
场效应管(MOSFET) RealChip(正芯半导体) TO-220 1个N沟道 60V 80A 195W 8.5mΩ@10V,30A 1.6V@250uA 45nC@10V 1.94nF@30V 142pF@30V
类型: 1个N沟道
漏源电压(Vdss): 60V
连续漏极电流(Id): 80A
功率(Pd): 195W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 8.5mΩ@10V,30A
阈值电压(Vgs(th)@Id): 1.6V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs): 45nC@10V
输入电容(Ciss@Vds): 1.94nF@30V
反向传输电容(Crss@Vds): 142pF@30V
165
最小包:50
起订量:1
增量:1
5+: ¥ 1.7677
50+: ¥ 1.3837
150+: ¥ 1.2397
合计总额: ¥ 1.7677
RCQ3310D
封装: PDFN-8(3x3)
描述:
场效应管(MOSFET) RealChip(正芯半导体) PDFN-8(3x3)
1000
最小包:5000
起订量:1
增量:1
5+: ¥ 0.406157
50+: ¥ 0.397229
150+: ¥ 0.391277
500+: ¥ 0.385325
合计总额: ¥ 0.4062
RCP7812
封装: TO-220-3
描述:
线性稳压器(LDO) RealChip(正芯半导体) TO-220-3 固定 35V 12V 1.5A 2V 8mA 正极 1
输出类型: 固定
最大输入电压: 35V
输出电压: 12V
输出电流: 1.5A
压差: 2V
待机电流: 8mA
输出极性: 正极
输出通道数: 1
35
最小包:50
起订量:1
增量:1
5+: ¥ 1.5263
50+: ¥ 1.2281
150+: ¥ 1.1003
合计总额: ¥ 1.5263
RCP7809
封装: TO-220
描述:
线性稳压器(LDO) RealChip(正芯半导体) TO-220 固定 35V 9V 1.5A 2V 8mA 浪涌保护;短路保护;热保护(TSD);过流保护(OCP) 正极 1
输出类型: 固定
最大输入电压: 35V
输出电压: 9V
输出电流: 1.5A
压差: 2V
待机电流: 8mA
特性: 浪涌保护;短路保护;热保护(TSD);过流保护(OCP)
输出极性: 正极
输出通道数: 1
30
最小包:50
起订量:1
增量:1
5+: ¥ 1.5048
50+: ¥ 1.2108
150+: ¥ 1.0848
合计总额: ¥ 1.5048
RCP7905
封装: TO-220-3
描述:
线性稳压器(LDO) RealChip(正芯半导体) TO-220-3 固定 35V 5V 1.5A 2V 8mA 负极 1
输出类型: 固定
最大输入电压: 35V
输出电压: 5V
输出电流: 1.5A
压差: 2V
待机电流: 8mA
输出极性: 负极
输出通道数: 1
0
最小包:50
起订量:1
增量:1
5+: ¥ 1.5995
50+: ¥ 1.2803
150+: ¥ 1.1435
500+: ¥ 0.9728
2500+: ¥ 0.8968
5000+: ¥ 0.8512
合计总额: ¥ 1.5995
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