瑞森半导体（REASUNOS）起步于2007年，是一家专注于功率半导体器件与功率集成芯片的设计、研发、系统解决方案的国家级高新技术企业。2013年注册成立广东晟日半导体科技有限公司，(2017年更名为“瑞森半导体”)，2022年成立瑞森半导体科技（湖南）有限公司。 瑞森半导体始终将产品研发放在首要位置，研发团队成员主要来自行业顶尖技术精英及知名院校，依靠专业的自主研发能力和品牌原厂生产力 ，全球出货量年均超10亿颗 。
公司专注高端产品研发领域，产品涵盖SiC碳化硅MOS、SiC碳化硅二极管、硅基平面MOS、超级结MOS、中低压MOS、LED驱动IC、电机驱动IC和系列ESD&TVS静电保护器件等。凭借产品可靠性高、参数一致性好等特点，产品远销海内外，广泛应用于新能源汽车 、充电桩、光伏、逆变、储能、白色家电、工业控制和消费类电子等领域。
类目： -
全部
-
LED驱动
-
碳化硅二极管
-
碳化硅场效应管(MOSFET)
-
场效应管(MOSFET)
封装： -
全部
-
TO-220-2L
-
TO-220-2
-
SOP-14
-
TO-247-2L
-
TO-247-4
-
TO-247
-
TO-247-3L
-
TO-262
-
TO-220F
-
TO-247-3
-
SOP-8
-
TO-252
-
DFN-8(5x6)
-
TO-251
-
SOT-223
-
TO-3PF
-
SOT-23
-
PDFN5x6-8L
-
DFN5x6
-
TO-263
-
TO-220
当前 “REASUNOS(瑞森半导体)”
共129件相关型号
漏源电压(Vdss)： 650V
连续漏极电流(Id)： 7A
功率(Pd)： 63W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 650mΩ@10V,3.5A
类型： 1个N沟道
1+： ¥ 2.19
10+： ¥ 1.82
30+： ¥ 1.65
100+： ¥ 1.45
500+： ¥ 1.36
1000+： ¥ 1.31
漏源电压(Vdss)： 650V
连续漏极电流(Id)： 5A
功率(Pd)： 29W
反向传输电容(Crss@Vds)： 0.5pF@50V
类型： 1个N沟道
输入电容(Ciss@Vds)： 370pF@50V
栅极电荷(Qg@Vgs)： 10.5nC@10V
工作温度： -55℃~+150℃@(Tj)
1+： ¥ 2.06
10+： ¥ 1.7
50+： ¥ 1.55
100+： ¥ 1.36
500+： ¥ 1.28
1000+： ¥ 1.23
漏源电压(Vdss)： 650V
连续漏极电流(Id)： 4A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 1.1Ω@10V,2A
功率(Pd)： 37W
类型： 1个N沟道
5+： ¥ 1.9347
50+： ¥ 1.5567
150+： ¥ 1.3947
500+： ¥ 1.1925
漏源电压(Vdss)： 600V
连续漏极电流(Id)： 4A
功率(Pd)： 32W
反向传输电容(Crss@Vds)： 4pF@50V
类型： 1个N沟道
输入电容(Ciss@Vds)： 350pF@50V
栅极电荷(Qg@Vgs)： 7nC@10V
工作温度： -55℃~+150℃@(Tj)
5+： ¥ 1.8551
50+： ¥ 1.5359
150+： ¥ 1.3991
500+： ¥ 1.2284
漏源电压(Vdss)： 650V
功率(Pd)： 22W
反向传输电容(Crss@Vds)： 1pF@50V
类型： 1个N沟道
输入电容(Ciss@Vds)： 183pF@50V
栅极电荷(Qg@Vgs)： 3nC@10V
工作温度： -55℃~+150℃@(Tj)
5+： ¥ 0.8345
50+： ¥ 0.6665
160+： ¥ 0.5945
480+： ¥ 0.5047
漏源电压(Vdss)： 650V
功率(Pd)： 22W
反向传输电容(Crss@Vds)： 1pF@50V
类型： 1个N沟道
输入电容(Ciss@Vds)： 183pF@50V
栅极电荷(Qg@Vgs)： 3nC@10V
工作温度： -55℃~+150℃@(Tj)
5+： ¥ 0.8599
50+： ¥ 0.6919
150+： ¥ 0.6199
500+： ¥ 0.53
2500+： ¥ 0.49
漏源电压(Vdss)： 650V
连续漏极电流(Id)： 12A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 420mΩ@10V,6A
功率(Pd)： 31W
类型： 1个N沟道
1+： ¥ 3.64
10+： ¥ 3.08
50+： ¥ 2.8
100+： ¥ 2.52
500+： ¥ 2.35
漏源电压(Vdss)： 650V
连续漏极电流(Id)： 12A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 450mΩ@10V,6A
功率(Pd)： 80W
类型： 1个N沟道
1+： ¥ 3.12
10+： ¥ 2.62
30+： ¥ 2.37
100+： ¥ 2.12
500+： ¥ 1.97
1000+： ¥ 1.89
反向电流(Ir)： 5uA@1200V
直流反向耐压(Vr)： 1.2kV
正向压降(Vf)： 1.55V@20A
1+： ¥ 36.17
10+： ¥ 32.4
30+： ¥ 30.1
反向电流(Ir)： 2uA@650V
直流反向耐压(Vr)： 650V
二极管配置： 独立式
正向压降(Vf)： 1.5V@30A
整流电流(Io)： 35A
1+： ¥ 26.71
10+： ¥ 23.58
30+： ¥ 21.72
90+： ¥ 19.84
RDS(on)-导通电阻(20V)： 1000mΩ
Vgs(th)-漏源阈值电压： 3V
沟道类型： 1个N沟道
Pd-功耗： 69W
Id-漏极电流(25℃)： 5A
Vds-漏源击穿电压： 1700V
Crss-反向传输电容： 1.6pF
Ciss-输入电容： 186pF
Qg-栅极电荷： 21.8nC
工作温度： -40℃~+150℃
1+： ¥ 14.87
10+： ¥ 13.1
30+： ¥ 12
90+： ¥ 10.86
RDS(on)-导通电阻(20V)： 80mΩ
Vgs(th)-漏源阈值电压： 2.4V
沟道类型： 1个N沟道
Pd-功耗： 166W
Id-漏极电流(25℃)： 36A
Vds-漏源击穿电压： 1200V
Crss-反向传输电容： 11pF
Ciss-输入电容： 1475pF
Qg-栅极电荷： 79nC
工作温度： -40℃~+150℃
1+： ¥ 32.479999
10+： ¥ 29.1
30+： ¥ 27.03
Vgs(th)-漏源阈值电压： 2.6V
沟道类型： 1个N沟道
Pd-功耗： 340W
Id-漏极电流(25℃)： 68A
Vds-漏源击穿电压： 1200V
Crss-反向传输电容： 11pF
Ciss-输入电容： 2070pF
Qg-栅极电荷： 121nC
工作温度： -40℃~+175℃
RDS(on)-导通电阻(18V)： 40mΩ
1+： ¥ 41.04
10+： ¥ 36.42
30+： ¥ 33.61
漏源电压(Vdss)： 600V
连续漏极电流(Id)： 22A
功率(Pd)： 34W
反向传输电容(Crss@Vds)： 2.6pF@400V
类型： 1个N沟道
输入电容(Ciss@Vds)： 2.18nF@400V
栅极电荷(Qg@Vgs)： 50nC@10V
工作温度： -55℃~+150℃@(Tj)
1+： ¥ 7.73
10+： ¥ 6.63
50+： ¥ 6.03
100+： ¥ 5.36
500+： ¥ 5.05
1000+： ¥ 4.92
漏源电压(Vdss)： 600V
连续漏极电流(Id)： 31A
功率(Pd)： 205W
反向传输电容(Crss@Vds)： 3.3pF@400V
类型： 1个N沟道
输入电容(Ciss@Vds)： 3.3nF@400V
栅极电荷(Qg@Vgs)： 75nC@10V
工作温度： -55℃~+150℃@(Tj)
1+： ¥ 11.83
10+： ¥ 10.42
30+： ¥ 9.54
90+： ¥ 8.64
漏源电压(Vdss)： 600V
连续漏极电流(Id)： 31A
功率(Pd)： 35W
反向传输电容(Crss@Vds)： 3.3pF@400V
类型： 1个N沟道
输入电容(Ciss@Vds)： 3.3nF@400V
栅极电荷(Qg@Vgs)： 75nC@10V
工作温度： -55℃~+150℃@(Tj)
1+： ¥ 10.82
10+： ¥ 9.53
50+： ¥ 8.73
100+： ¥ 7.9
500+： ¥ 7.53
漏源电压(Vdss)： 600V
连续漏极电流(Id)： 4A
功率(Pd)： 36W
反向传输电容(Crss@Vds)： 10.5pF@100V
类型： 1个N沟道
输入电容(Ciss@Vds)： 580pF@100V
栅极电荷(Qg@Vgs)： 15nC@4.5V
工作温度： -55℃~+150℃@(Tj)
5+： ¥ 1.7627
50+： ¥ 1.4183
150+： ¥ 1.2707
500+： ¥ 1.0865
漏源电压(Vdss)： 500V
连续漏极电流(Id)： 45A
功率(Pd)： 250W
反向传输电容(Crss@Vds)： 10pF@25V
类型： 1个N沟道
输入电容(Ciss@Vds)： 7.89nF@25V
栅极电荷(Qg@Vgs)： 126nC@10V
工作温度： -55℃~+150℃@(Tj)
1+： ¥ 16.42
10+： ¥ 14.16
30+： ¥ 12.75
90+： ¥ 11.3
漏源电压(Vdss)： 650V
连续漏极电流(Id)： 9A
功率(Pd)： 170W
反向传输电容(Crss@Vds)： 0.5pF@25V
类型： 1个N沟道
输入电容(Ciss@Vds)： 1.246nF@25V
栅极电荷(Qg@Vgs)： 22nC@10V
工作温度： -55℃~+150℃@(Tj)
5+： ¥ 1.8272
50+： ¥ 1.4702
150+： ¥ 1.3172
500+： ¥ 1.1263
2500+： ¥ 1.0413
漏源电压(Vdss)： 500V
连续漏极电流(Id)： 9A
功率(Pd)： 63W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 900mΩ@10V,4.5A
类型： 1个N沟道
5+： ¥ 1.7121
50+： ¥ 1.3635
150+： ¥ 1.2141
