诺思（天津）微系统有限公司成立于2011年，总部设于天津，总注册资本人民币3亿元，是中国首家FBAR生产企业，公司从事无线设备射频前端MEMS滤波芯片、模块、应用方案的设计、研发、制造和销售，核心产品具有国际领先
封装： -
全部
-
SMD,1.2x1.6mm
-
1008
-
SMD,1.1x1.4mm
-
SMD,0.9x1.1mm
-
SMD,1.4x1.8mm
1+： ¥ 0.9848
10+： ¥ 0.8321
30+： ¥ 0.7478
100+： ¥ 0.6539
500+： ¥ 0.6078
1000+： ¥ 0.5887
5+： ¥ 0.2813
50+： ¥ 0.2278
150+： ¥ 0.2049
500+： ¥ 0.1687
2500+： ¥ 0.156
5000+： ¥ 0.1483
1+： ¥ 0.4869
10+： ¥ 0.3914
30+： ¥ 0.3516
100+： ¥ 0.3007
500+： ¥ 0.2769
1000+： ¥ 0.2641
1+： ¥ 0.1763
10+： ¥ 0.1428
30+： ¥ 0.1285
100+： ¥ 0.1107
500+： ¥ 0.1027
1000+： ¥ 0.0932
1+： ¥ 0.4376
10+： ¥ 0.3564
30+： ¥ 0.323
100+： ¥ 0.2801
500+： ¥ 0.2387
1000+： ¥ 0.2276
1+： ¥ 0.1762
10+： ¥ 0.1428
30+： ¥ 0.1284
100+： ¥ 0.1106
500+： ¥ 0.1026
1000+： ¥ 0.0947
低频带衰减(最小/最大)： -
高频带衰减(最小/最大)： -
频带(低/高)： -
5+： ¥ 0.2661
50+： ¥ 0.2173
150+： ¥ 0.1964
500+： ¥ 0.154
2500+： ¥ 0.1423
4000+： ¥ 0.1354
回波损耗(低频带/高频带)： -
低频带衰减(最小/最大)： -
高频带衰减(最小/最大)： -
工作温度： -20℃~+85℃
频带(低/高)： 1.71GHz~1.785GHz;1.805GHz~1.88GHz
5+： ¥ 0.2335
50+： ¥ 0.19
150+： ¥ 0.1713
500+： ¥ 0.1348
2500+： ¥ 0.1245
4000+： ¥ 0.1182
5+： ¥ 0.2543
50+： ¥ 0.2075
150+： ¥ 0.1875
500+： ¥ 0.1476
2500+： ¥ 0.1365
4000+： ¥ 0.1298
5+： ¥ 0.1096
50+： ¥ 0.0881
150+： ¥ 0.0773
500+： ¥ 0.0693
2500+： ¥ 0.062799
5000+： ¥ 0.0596
1+： ¥ 0.515499
10+： ¥ 0.4185
30+： ¥ 0.3755
100+： ¥ 0.3246
500+： ¥ 0.3007
1000+： ¥ 0.2864
5+： ¥ 0.0797
50+： ¥ 0.0657
150+： ¥ 0.0587
500+： ¥ 0.0535
2500+： ¥ 0.0493
4000+： ¥ 0.0472
