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Ruichips(锐骏半导体)

深圳市锐骏半导体有限公司(Ruichips)是黄泽军先生独资创办的国家高新技术企业及半导体芯片设计型公司,国内处于领先地位。公司总部位于深圳高新科技园区,专业从事集成电路、功率半导体芯片研发、测试及封装业务。产品涵盖高、中、低压MOSFET、肖特基、电源管理IC、开关稳压管等范围。
类目:
  • 全部
  • 预售晶体管
  • 电池管理
  • 场效应管(MOSFET)
封装:
  • 全部
  • TO-247-3
  • DFN-8(5.6x5.2)
  • DFN2020-6
  • DFN-EP(3x3)
  • DFN-8(5.1x5.7)
  • DFN(5x6)
  • DFN(3.3x3.3)
  • TO-263-3
  • TO-252-4
  • PDFN-8(4.9x5.8)
  • DFN-8(3x3)
  • DFN-8(5x6)
  • TSSOP-8
  • DFN(3x3)
  • TO-247
  • TO-263-2
  • SOT-23
  • PDFN(5x6)
  • DFN-8(5x5.8)
  • TO-263
  • PDFN3333-8
  • SOT-23-6
  • SOT-23-3
  • PDFN5060
  • PDFN-8(3.3x3.3)
  • -
  • SOP-8
  • TO-252
  • PDFN-8(5.8x4.9)
  • TO-220
  • TO-252-2(DPAK)
当前 “Ruichips(锐骏半导体)” 共148件相关型号
  • 综合
  • 价格
  • 库存
  • 销量

型号/类目/品牌/封装/描述

参数

库存

价格梯度(含税价格)

数量

操作

RU3070M3
封装: DFN-8(3x3)
描述:
场效应管(MOSFET) Ruichips(锐骏半导体) DFN-8(3x3)
1049
最小包:5000
起订量:1
增量:1
1+: ¥ 0.1907
10+: ¥ 0.1722
30+: ¥ 0.1693
100+: ¥ 0.1391
合计总额: ¥ 0.1907
RU3040M3
封装: DFN-8(3x3)
描述:
场效应管(MOSFET) Ruichips(锐骏半导体) DFN-8(3x3)
7150
最小包:5000
起订量:5
增量:5
5+: ¥ 0.1542
50+: ¥ 0.1377
150+: ¥ 0.1351
500+: ¥ 0.1149
合计总额: ¥ 0.7710
RU3030M3
封装: DFN-8(3x3)
描述:
场效应管(MOSFET) Ruichips(锐骏半导体) DFN-8(3x3)
430
最小包:5000
起订量:5
增量:5
5+: ¥ 0.1061
50+: ¥ 0.0954
150+: ¥ 0.0938
500+: ¥ 0.0761
合计总额: ¥ 0.5305
RU30L30M3
封装: DFN-8(3x3)
描述:
场效应管(MOSFET) Ruichips(锐骏半导体) DFN-8(3x3)
3335
最小包:5000
起订量:5
增量:5
5+: ¥ 0.1356
50+: ¥ 0.1208
150+: ¥ 0.1185
500+: ¥ 0.0995
合计总额: ¥ 0.6780
RU3400B
封装: SOT-23
描述:
场效应管(MOSFET) Ruichips(锐骏半导体) SOT-23
14070
最小包:3000
起订量:10
增量:10
10+: ¥ 0.0356
100+: ¥ 0.032099
300+: ¥ 0.0315
1000+: ¥ 0.0272
合计总额: ¥ 0.3560
RU30D20M3
封装: DFN(3x3)
描述:
场效应管(MOSFET) Ruichips(锐骏半导体) DFN(3x3)
39930
最小包:5000
起订量:5
增量:5
5+: ¥ 0.1687
50+: ¥ 0.1516
150+: ¥ 0.1489
500+: ¥ 0.1223
合计总额: ¥ 0.8435
RUH3051M
封装: DFN-8(5x5.8)
描述:
场效应管(MOSFET) Ruichips(锐骏半导体) DFN-8(5x5.8)
0
最小包:3000
起订量:1
增量:1
1+: ¥ 0.4296
10+: ¥ 0.3485
30+: ¥ 0.3135
100+: ¥ 0.2689
500+: ¥ 0.2164
1000+: ¥ 0.2037
合计总额: ¥ 0.4296
RUH1H150R
封装: TO-220
描述:
场效应管(MOSFET) Ruichips(锐骏半导体) TO-220
784
最小包:50
起订量:1
增量:1
1+: ¥ 0.8973
10+: ¥ 0.8035
50+: ¥ 0.7891
100+: ¥ 0.6539
合计总额: ¥ 0.8973
RUH120N90M
封装: DFN-8(5.1x5.7)
描述:
场效应管(MOSFET) Ruichips(锐骏半导体) DFN-8(5.1x5.7)
4323
最小包:5000
起订量:1
增量:1
1+: ¥ 0.6762
10+: ¥ 0.6062
30+: ¥ 0.5966
100+: ¥ 0.5171
合计总额: ¥ 0.6762
RUH1H80M
封装: DFN-8(5.1x5.7)
描述:
场效应管(MOSFET) Ruichips(锐骏半导体) DFN-8(5.1x5.7)
2927
最小包:5000
起订量:1
增量:1
1+: ¥ 0.471
10+: ¥ 0.4216
30+: ¥ 0.4137
100+: ¥ 0.3532
合计总额: ¥ 0.4710
RUH4040M
封装: DFN(5x6)
描述:
场效应管(MOSFET) Ruichips(锐骏半导体) DFN(5x6)
4764
最小包:5000
起订量:1
增量:1
1+: ¥ 0.2498
10+: ¥ 0.2228
30+: ¥ 0.218
100+: ¥ 0.1862
合计总额: ¥ 0.2498
RUH30150M
封装: DFN-8(5x6)
描述:
场效应管(MOSFET) Ruichips(锐骏半导体) DFN-8(5x6)
漏源电压(Vdss): -
连续漏极电流(Id): -
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): -
功率(Pd): -
阈值电压(Vgs(th)@Id): -
反向传输电容(Crss@Vds): -
类型: -
输入电容(Ciss@Vds): -
栅极电荷(Qg@Vgs): -
2180
最小包:5000
起订量:1
增量:1
1+: ¥ 0.6046
10+: ¥ 0.5378
30+: ¥ 0.5266
100+: ¥ 0.4837
合计总额: ¥ 0.6046
RUH3051M2
封装: PDFN-8(3.3x3.3)
描述:
场效应管(MOSFET) Ruichips(锐骏半导体) PDFN-8(3.3x3.3)
漏源电压(Vdss): -
连续漏极电流(Id): -
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): -
功率(Pd): -
阈值电压(Vgs(th)@Id): -
反向传输电容(Crss@Vds): -
类型: -
输入电容(Ciss@Vds): -
栅极电荷(Qg@Vgs): -
3026
最小包:5000
起订量:1
增量:1
1+: ¥ 0.3198
10+: ¥ 0.2581
30+: ¥ 0.2317
100+: ¥ 0.1987
500+: ¥ 0.1723
1000+: ¥ 0.1635
合计总额: ¥ 0.3198
RU8590S-R
封装: TO-263-3
描述:
场效应管(MOSFET) Ruichips(锐骏半导体) TO-263-3 85V 90A 5.8mΩ@10V,45A 188W 3V@250uA 275pF@40V N沟道 4.35nF@40V 48nC@10V +175℃@(Tj)
漏源电压(Vdss): 85V
连续漏极电流(Id): 90A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 5.8mΩ@10V,45A
功率(Pd): 188W
阈值电压(Vgs(th)@Id): 3V@250uA
反向传输电容(Crss@Vds): 275pF@40V
类型: N沟道
输入电容(Ciss@Vds): 4.35nF@40V
栅极电荷(Qg@Vgs): 48nC@10V
工作温度: +175℃@(Tj)
718
最小包:800
起订量:1
增量:1
1+: ¥ 0.5266
10+: ¥ 0.4741
30+: ¥ 0.4662
100+: ¥ 0.4073
合计总额: ¥ 0.5266
RU7088R
封装: TO-220
描述:
场效应管(MOSFET) Ruichips(锐骏半导体) TO-220 70V 80A 6.5mΩ@10V,40A 150W 3V@250uA 260pF@30V N沟道 3.1nF@30V 75nC@10V +175℃@(Tj)
漏源电压(Vdss): 70V
连续漏极电流(Id): 80A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 6.5mΩ@10V,40A
功率(Pd): 150W
阈值电压(Vgs(th)@Id): 3V@250uA
反向传输电容(Crss@Vds): 260pF@30V
类型: N沟道
输入电容(Ciss@Vds): 3.1nF@30V
栅极电荷(Qg@Vgs): 75nC@10V
工作温度: +175℃@(Tj)
0
最小包:50
起订量:1
增量:1
1+: ¥ 0.3691
10+: ¥ 0.3278
50+: ¥ 0.3214
100+: ¥ 0.3023
合计总额: ¥ 0.3691
RU7080S-R
封装: TO-263-2
描述:
场效应管(MOSFET) Ruichips(锐骏半导体) TO-263-2
漏源电压(Vdss): -
连续漏极电流(Id): -
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): -
功率(Pd): -
阈值电压(Vgs(th)@Id): -
反向传输电容(Crss@Vds): -
类型: -
输入电容(Ciss@Vds): -
栅极电荷(Qg@Vgs): -
275
最小包:800
起订量:1
增量:1
1+: ¥ 0.523499
10+: ¥ 0.4248
30+: ¥ 0.3835
100+: ¥ 0.3294
500+: ¥ 0.2721
800+: ¥ 0.257799
合计总额: ¥ 0.5235
RU7080R
封装: TO-220
描述:
场效应管(MOSFET) Ruichips(锐骏半导体) TO-220
漏源电压(Vdss): -
连续漏极电流(Id): -
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): -
功率(Pd): -
阈值电压(Vgs(th)@Id): -
反向传输电容(Crss@Vds): -
类型: -
输入电容(Ciss@Vds): -
栅极电荷(Qg@Vgs): -
899
最小包:50
起订量:1
增量:1
1+: ¥ 0.3087
10+: ¥ 0.2737
50+: ¥ 0.2689
100+: ¥ 0.2466
合计总额: ¥ 0.3087
RU6099S-R
封装: TO-263-2
描述:
场效应管(MOSFET) Ruichips(锐骏半导体) TO-263-2 60V 120A 6mΩ@10V,40A 150W 3V@250uA 240pF@30V N沟道 3nF@30V 72nC@10V +175℃@(Tj)
漏源电压(Vdss): 60V
连续漏极电流(Id): 120A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 6mΩ@10V,40A
功率(Pd): 150W
阈值电压(Vgs(th)@Id): 3V@250uA
反向传输电容(Crss@Vds): 240pF@30V
类型: N沟道
输入电容(Ciss@Vds): 3nF@30V
栅极电荷(Qg@Vgs): 72nC@10V
工作温度: +175℃@(Tj)
2403
最小包:800
起订量:1
增量:1
1+: ¥ 0.3914
10+: ¥ 0.3532
30+: ¥ 0.3469
100+: ¥ 0.288
合计总额: ¥ 0.3914
RU6199S-R
封装: TO-263-2
描述:
场效应管(MOSFET) Ruichips(锐骏半导体) TO-263-2 60V 200A 2.8mΩ@10V,75A 300W 4V@250uA 490pF@30V N沟道 5.8nF@30V 155nC@10V +175℃@(Tj)
漏源电压(Vdss): 60V
连续漏极电流(Id): 200A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 2.8mΩ@10V,75A
功率(Pd): 300W
阈值电压(Vgs(th)@Id): 4V@250uA
反向传输电容(Crss@Vds): 490pF@30V
类型: N沟道
输入电容(Ciss@Vds): 5.8nF@30V
栅极电荷(Qg@Vgs): 155nC@10V
工作温度: +175℃@(Tj)
4
最小包:800
起订量:1
增量:1
1+: ¥ 0.7541
10+: ¥ 0.6794
30+: ¥ 0.6666
100+: ¥ 0.5601
合计总额: ¥ 0.7541
RU6035M2
封装: DFN(3.3x3.3)
描述:
场效应管(MOSFET) Ruichips(锐骏半导体) DFN(3.3x3.3)
4670
最小包:5000
起订量:1
增量:1
1+: ¥ 0.1834
10+: ¥ 0.1642
30+: ¥ 0.1611
100+: ¥ 0.1303
合计总额: ¥ 0.1834
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