清纯半导体(宁波)有限公司(以下简称“清纯半导体”)是一家聚焦于碳化硅(SIC)半导体领域的高科技芯片公司，专业从事SIC功率器件的研发与产业化。2021 年 3月成立于上海市宝山区。清纯半导体拥有国际领先水平的SIC 器件设计及工艺研发团队，团队核心从事 SIC 半导体技术 20 余年，研发和产业化多代 SIC 功率器件，包括 SIC 二极管和MOSFET，并先后通过工业级及车规级测试。
清纯半导体设计和量产的 1200V SIC 二极管和 MOSFET 性能已经处于国际领先水平，广泛应用于新能源、电动汽车、智能电网、轨道交通、工业控制等领域，更完备的产品型号将陆续推出。
清纯半导体坚持以市场为导向，以客户为中心;以诚信、专业、创新、共赢为理念; 用高质量的产品和服务为客户发展贡献力量。
类目： -
全部
-
碳化硅二极管
-
碳化硅场效应管(MOSFET)
封装： -
全部
-
TO-247-4L
-
TO-247-3L
-
TO-263-2L
-
TO-247-2L
-
TO-220-2L
-
TO-263-7L
当前 “SICHAIN(清纯)”
共16件相关型号
沟道类型： 1个N沟道
Vgs(th)-漏源阈值电压： 2.8V
Pd-功耗： 120W
Id-漏极电流(25℃)： 21A
Vds-漏源击穿电压： 1200V
Crss-反向传输电容： 1.4pF
Ciss-输入电容： 617pF
Qg-栅极电荷： 25.4nC
RDS(on)-导通电阻(15V)： 160mΩ
工作温度： -55℃~+175℃
1+： ¥ 21.553
10+： ¥ 18.865
50+： ¥ 17.22
100+： ¥ 15.848
沟道类型： 1个N沟道
Vgs(th)-漏源阈值电压： 2.8V
Pd-功耗： 224W
Id-漏极电流(25℃)： 44A
Vds-漏源击穿电压： 1200V
Crss-反向传输电容： 3.8pF
Ciss-输入电容： 1037pF
Qg-栅极电荷： 40nC
RDS(on)-导通电阻(15V)： 75mΩ
工作温度： -55℃~+175℃
RDS(on)-导通电阻(18V)： 60mΩ
1+： ¥ 34.636
10+： ¥ 30.604
30+： ¥ 28.14
沟道类型： 1个N沟道
Vgs(th)-漏源阈值电压： 2.8V
Pd-功耗： 169W
Id-漏极电流(25℃)： 39A
Vds-漏源击穿电压： 1200V
Crss-反向传输电容： 4.3pF
Ciss-输入电容： 1020pF
Qg-栅极电荷： 40nC
RDS(on)-导通电阻(15V)： 75mΩ
工作温度： -55℃~+175℃
1+： ¥ 49.48
10+： ¥ 43.72
50+： ¥ 40.2
沟道类型： 1个N沟道
Vgs(th)-漏源阈值电压： 2.8V
Pd-功耗： 214W
Id-漏极电流(25℃)： 38A
Vds-漏源击穿电压： 1200V
Crss-反向传输电容： 3.9pF
Ciss-输入电容： 920pF
Qg-栅极电荷： 40nC
工作温度： -55℃~+175℃
RDS(on)-导通电阻(18V)： 75mΩ
1+： ¥ 30.023
10+： ¥ 26.53
30+： ¥ 24.395
沟道类型： 1个N沟道
Vgs(th)-漏源阈值电压： 2.8V
Pd-功耗： 214W
Id-漏极电流(25℃)： 44A
Vds-漏源击穿电压： 1200V
Crss-反向传输电容： 4.3pF
Ciss-输入电容： 1020pF
Qg-栅极电荷： 40nC
RDS(on)-导通电阻(15V)： 75mΩ
工作温度： -55℃~+175℃
1+： ¥ 25.564
10+： ¥ 24.962
30+： ¥ 24.556
沟道类型： 1个N沟道
Vgs(th)-漏源阈值电压： 2.8V
Pd-功耗： 214W
Id-漏极电流(25℃)： 38A
Vds-漏源击穿电压： 1200V
Crss-反向传输电容： 3.9pF
Ciss-输入电容： 920pF
Qg-栅极电荷： 40nC
工作温度： -55℃~+175℃
RDS(on)-导通电阻(18V)： 70mΩ
1+： ¥ 21.819
10+： ¥ 21.301
30+： ¥ 20.951
沟道类型： 1个N沟道
Vgs(th)-漏源阈值电压： 2.8V
Pd-功耗： 326W
Id-漏极电流(25℃)： 73A
Vds-漏源击穿电压： 1200V
Crss-反向传输电容： 10pF
Ciss-输入电容： 2159pF
Qg-栅极电荷： 76nC
RDS(on)-导通电阻(15V)： 40mΩ
工作温度： -55℃~+175℃
RDS(on)-导通电阻(18V)： 32mΩ
1+： ¥ 36.652
10+： ¥ 35.847
30+： ¥ 35.308
RDS(on)-导通电阻(15V)： -
工作温度： -55℃~+175℃
RDS(on)-导通电阻(18V)： 32mΩ
配置： -
RDS(on)-导通电阻(20V)： -
沟道类型： 1个N沟道
Vgs(th)-漏源阈值电压： 2.8V
封装类型： 单管
Pd-功耗： 357W
Id-漏极电流(25℃)： 76A
Vds-漏源击穿电压： 1200V
Crss-反向传输电容： 10pF
Ciss-输入电容： 2159pF
Qg-栅极电荷： 76nC
RDS(on)-导通电阻(10V)： -
Coss-输出电容： 127pF
1+： ¥ 46.186
10+： ¥ 40.803
30+： ¥ 37.52
90+： ¥ 34.769
沟道类型： 1个N沟道
Vgs(th)-漏源阈值电压： 2.8V
Pd-功耗： 375W
Id-漏极电流(25℃)： 87A
Vds-漏源击穿电压： 1200V
Crss-反向传输电容： 8.8pF
Ciss-输入电容： 2700pF
Qg-栅极电荷： 96nC
RDS(on)-导通电阻(15V)： 32mΩ
工作温度： -55℃~+175℃
RDS(on)-导通电阻(18V)： 27mΩ
1+： ¥ 62.251
10+： ¥ 59.871
30+： ¥ 55.748
90+： ¥ 52.157
RDS(on)-导通电阻(15V)： 17mΩ
工作温度： -55℃~+175℃
RDS(on)-导通电阻(18V)： 14mΩ
配置： -
RDS(on)-导通电阻(20V)： -
沟道类型： 1个N沟道
Vgs(th)-漏源阈值电压： 2.8V
封装类型： 单管
Pd-功耗： 625W
Id-漏极电流(25℃)： 152A
Vds-漏源击穿电压： 1200V
Crss-反向传输电容： 7.5pF
Ciss-输入电容： 5469pF
Qg-栅极电荷： 230nC
RDS(on)-导通电阻(10V)： -
Coss-输出电容： 235pF
1+： ¥ 144.662
30+： ¥ 139.062
反向电流(Ir)： 1uA@1200V
直流反向耐压(Vr)： 1.2kV
正向压降(Vf)： 1.4V@20A
1+： ¥ 12.537
10+： ¥ 10.969
30+： ¥ 10.038
反向电流(Ir)： 1uA@1200V
直流反向耐压(Vr)： 1.2kV
正向压降(Vf)： 1.4V@30A
1+： ¥ 18.606
10+： ¥ 16.261
30+： ¥ 14.868
90+： ¥ 13.461
反向电流(Ir)： 1uA@1200V
直流反向耐压(Vr)： 1.2kV
正向压降(Vf)： 1.4V@15A
1+： ¥ 18.802
10+： ¥ 16.457
30+： ¥ 15.057
反向电流(Ir)： 1uA@1200V
直流反向耐压(Vr)： 1.2kV
正向压降(Vf)： 1.4V@20A
1+： ¥ 22.652
10+： ¥ 19.957
30+： ¥ 18.319
反向电流(Ir)： 1uA@1200V
直流反向耐压(Vr)： 1.2kV
正向压降(Vf)： 1.4V@15A
1+： ¥ 9.947
10+： ¥ 8.631
30+： ¥ 7.805
100+： ¥ 6.958
反向电流(Ir)： 1uA@1200V
直流反向耐压(Vr)： 1.2kV
正向压降(Vf)： 1.4V@20A
1+： ¥ 12.537
10+： ¥ 10.969
30+： ¥ 10.038
