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Silicon Billion(硅兆)

厦门市硅兆光电科技有限公司是专业从事光电式继电器(固态继电器)研发及销售的企业。公司整合了国内外专业光耦合芯片、功率MOSFET、可控硅等芯片企业的优势,开创性应用多芯片组装,并融合了国内外固态继电器应用领域的经验教训,专注于打造电机控制、通信及仪器仪表应用方面的专业光电继电器,为客户提供专业的解决方案。 硅兆产品以来从研发设计的源头严格把控,产品核心技术已申报国家专利并获得认证,在生产中对产品质量层层把控已获得UK认证,公司创始人在固态继电器领域更是获得厦门市人才“双百计划”的认可。只为奉上最优质的成品给客户们。
类目:
  • 全部
  • 固态继电器(MOS输出)
  • 场效应管(MOSFET)
封装:
  • 全部
  • DIP-7
  • SO-8
当前 “Silicon Billion(硅兆)” 共2件相关型号
  • 综合
  • 价格
  • 库存
  • 销量

型号/类目/品牌/封装/描述

参数

库存

价格梯度(含税价格)

数量

操作

YDS2006D7
封装: DIP-7
描述:
固态继电器(MOS输出) Silicon Billion(硅兆) DIP-7 1.2V 60V 2A 100mΩ 4kV 500us 1ms
继电器触点形式: -
适用负载类型: -
正向压降: 1.2V
负载电压: 60V
连续负载电流: 2A
导通电阻: 100mΩ
隔离电压(rms): 4kV
导通时间(Ton): 500us
截止时间(Toff): 1ms
0
最小包:50
起订量:1
增量:1
1+: ¥ 6.09
10+: ¥ 5.05
30+: ¥ 4.53
100+: ¥ 4.019999
500+: ¥ 3.31
1000+: ¥ 3.15
合计总额: ¥ 6.0900
YPN438S
封装: SO-8
描述:
场效应管(MOSFET) Silicon Billion(硅兆) SO-8 1个N沟道+1个P沟道 40V 15mΩ@10V,10A;27mΩ@10V,7.2A -55℃~+150℃@(Tj)
类型: 1个N沟道+1个P沟道
漏源电压(Vdss): 40V
连续漏极电流(Id): -
功率(Pd): -
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 15mΩ@10V,10A;27mΩ@10V,7.2A
阈值电压(Vgs(th)@Id): -
栅极电荷(Qg@Vgs): -
输入电容(Ciss@Vds): -
反向传输电容(Crss@Vds): -
工作温度: -55℃~+150℃@(Tj)
20
最小包:4000
起订量:1
增量:1
1+: ¥ 2.48
10+: ¥ 2.03
30+: ¥ 1.83
合计总额: ¥ 2.4800
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