矽普半导体成立于2017年10月，是一家专业从事于半导体分立器件研发、设计及销售的高新技术企业。公司专注于功率半导体器件进口替代，努力成为国内领先，国际知名的行业厂商。公司总部位于合肥市高新区，研发中心位于上海张江高科，深圳南山区设有办事处。公司技术人员占比30%，核心成员均有行业内十余年的研发经验，精通功率半导体器件的技术、应用、市场。
矽普半导体产品以20V-250V的中低压MOSFET和1200V高压 SiC MOS为主，公司产品型号丰富，广泛运用于消费类电子与家电、新能源、工业马达驱动、汽车电子等市场领域。
矽普半导体产品已导入国内知名企业，有着一套完整的研发、销售和服务体系。结合自身技术优势，与行业内知名晶圆代工厂和一线封装测试代工厂紧密合作，在芯片设计、晶圆流片、封装测试、可靠性测试方面建立了完善的质量管理体系，确保产品优质和供货稳定。
类目： -
全部
-
碳化硅场效应管(MOSFET)
-
碳化硅二极管
-
场效应管(MOSFET)
封装： -
全部
-
TOLL-8L
-
TO-220
-
TO-252-2L
-
TO-252-4L
-
PDFNWB-8L(5x6)
-
TO-247-3L
-
SOT-223
-
TO-263-3L
-
TO-263
-
TOLL
-
TO-252
-
TO-220-3L
-
PDFN-8L(3x3)
-
PDFN-8L(5x6)
-
PDFNWB-8L(3.3x3.3)
-
TO-247-4L
-
TO-247
-
TO-247-2L
-
TO-220-2L
-
TO-220F
-
SOP-8
-
SOP-8L
当前 “Siliup(矽普)”
共178件相关型号
5+： ¥ 0.7993
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150+： ¥ 0.77
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500+： ¥ 0.4972
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150+： ¥ 0.492251
500+： ¥ 0.484763
漏源电压(Vdss)： 30V
连续漏极电流(Id)： 150A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 2.6mΩ
类型： 1个N沟道
5+： ¥ 2.1046
50+： ¥ 1.6846
150+： ¥ 1.5046
500+： ¥ 1.28
5+： ¥ 1.3102
50+： ¥ 1.2814
150+： ¥ 1.2622
漏源电压(Vdss)： 30V
连续漏极电流(Id)： 160A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 1.65mΩ
类型： 1个N沟道
1+： ¥ 3.21
10+： ¥ 2.64
30+： ¥ 2.35
100+： ¥ 2.06
漏源电压(Vdss)： 30V
连续漏极电流(Id)： 120A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 1.2mΩ
类型： 1个N沟道
1+： ¥ 2.29
10+： ¥ 1.84
30+： ¥ 1.65
100+： ¥ 1.41
500+： ¥ 1.31
1000+： ¥ 1.24
漏源电压(Vdss)： 30V
连续漏极电流(Id)： 5A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 28mΩ;38mΩ
类型： 1个N沟道+1个P沟道
5+： ¥ 0.512499
50+： ¥ 0.4125
150+： ¥ 0.3625
500+： ¥ 0.325
2500+： ¥ 0.295
漏源电压(Vdss)： 30V
连续漏极电流(Id)： 7A;8A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 28mΩ;30mΩ
类型： 1个N沟道+1个P沟道
5+： ¥ 0.7175
50+： ¥ 0.5775
150+： ¥ 0.507499
500+： ¥ 0.455
2500+： ¥ 0.413
5000+： ¥ 0.392
漏源电压(Vdss)： 30V
连续漏极电流(Id)： 12A;8A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 18mΩ;30mΩ
类型： 1个N沟道+1个P沟道
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50+： ¥ 0.61875
150+： ¥ 0.54375
500+： ¥ 0.4875
2500+： ¥ 0.4425
5000+： ¥ 0.42
漏源电压(Vdss)： 30V
连续漏极电流(Id)： 7A;8A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 18mΩ;19mΩ
类型： 1个N沟道+1个P沟道
5+： ¥ 0.76875
50+： ¥ 0.61875
150+： ¥ 0.54375
500+： ¥ 0.4875
2500+： ¥ 0.4425
漏源电压(Vdss)： 30V
连续漏极电流(Id)： 16A;8A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 11mΩ;28mΩ
类型： 1个N沟道+1个P沟道
5+： ¥ 0.8682
50+： ¥ 0.6949
150+： ¥ 0.6207
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2500+： ¥ 0.4868
漏源电压(Vdss)： 30V
连续漏极电流(Id)： 9A;8A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 11mΩ;21mΩ
类型： 1个N沟道+1个P沟道
5+： ¥ 0.640625
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漏源电压(Vdss)： 30V
连续漏极电流(Id)： 8A;7A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 15mΩ;18mΩ
类型： 1个N沟道+1个P沟道
5+： ¥ 0.589375
50+： ¥ 0.474375
150+： ¥ 0.416875
500+： ¥ 0.37375
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漏源电压(Vdss)： 30V
连续漏极电流(Id)： 16A;12A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 11mΩ;21mΩ
类型： 1个N沟道+1个P沟道
5+： ¥ 0.9471
50+： ¥ 0.7581
150+： ¥ 0.6771
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漏源电压(Vdss)： 30V
连续漏极电流(Id)： 9A;8.5A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 10mΩ;14mΩ
类型： 1个N沟道+1个P沟道
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500+： ¥ 0.8
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漏源电压(Vdss)： 30V
连续漏极电流(Id)： 29A;24A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 9mΩ;20mΩ
类型： 1个N沟道+1个P沟道
5+： ¥ 1.3154
50+： ¥ 1.0529
150+： ¥ 0.9404
500+： ¥ 0.8
2500+： ¥ 0.7375
漏源电压(Vdss)： 30V
连续漏极电流(Id)： 22A;18A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 9mΩ;20mΩ
类型： 1个N沟道+1个P沟道
5+： ¥ 0.6932
50+： ¥ 0.677
150+： ¥ 0.6662
500+： ¥ 0.6554
