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SUPSiC(国晶微半导体)

"无锡国晶微半导体技术有限公司是宽禁带第三代半导体碳化硅SiC功率器件、氮化镓GaN光电器件以及常规集成电路研发及产业化的高科技创新型企业,从事碳化硅场效应管,碳化硅肖特基二极管、GaN光电光耦继电器、单片机集成电路等产品芯片设计、生产与销售并提供相关产品整体方案设计配套服务,总部位于江苏省无锡市高新技术开发区内,并在杭州、深圳和香港设有研发中心和销售服务支持中心及办事处。 公司具有国内领先的研发实力,专注于为客户提供高效能、低功耗、低阻值、品质稳定的碳化硅高低功率器件及光电集成电路产品,同时提供一站式的应用解决方案和现场技术支持服务,使客户的系统性能优异、灵活可靠,并具有成本竞争力。 公司的碳化硅功率器件涵盖650V/2A-100A,1200V/2A-90A,1700V/5A -80A等系列,产品已经投入批量生产,产品完全可以对标国际品牌同行的先进品质及水平。先后推出全电流电压等级碳化硅肖特基二极管、通过工业级、车规级可靠性测试的碳化硅MOSFET系列产品,性能达到国际先进水平,应用于太阳能逆变电源、新能源电动汽车及充电桩、智能电网、高频电焊、轨道交通、工业控制特种电源等领域。由于其具有高速开关和低导通电阻的特性,即使在高温条件下也能体现优异的电气特性,大幅降低开关损耗,使元器件更小型化及轻量化,效能更高效,提高系统整体可靠性,可使电动汽车在续航里程提升10%,整车重量降低5%左右,并实现设计用充电桩的高温环境下安全、稳定运行。 特别在高低压光耦半导体技术方面更是拥有业内领先的研发团队。在国内创先设计开发了28nm 光敏光栅开关PVG芯片技术,并成功量产应用于60V、400V、600V高低压、低内阻、低电容的光电耦合继电器芯片、涵盖1500kVrms SOP超小封装及3750kVrms 隔离增强型常规SMD、DIP等不同封装,单路、双路、混合双路、常开常闭等电路产品,另包括200V SOI MOS/LIGBT集成芯片、100V CMOS/LDMOS集成芯片、8bit及32bit单片机等集成电路产品,均获得市场及各重点科研单位、检测机构的新产品认定。 公司核心研发团队中大部分工程师拥有硕士及以上学位,并有多名博士主持项目的开发。公司建立了科技创新和知识产权管理的规范体系,在电路设计、半导体器件及工艺设计、可靠性设计、器件模型提取等方面积累了众多核心技术,拥有多项国际、国内自主发明专利。 “国之重器,从晶出发,自强自主,成就百年”是国晶微半导体的企业目标,我们为员工提供精彩的发展空间,为客户提供精良的产品服务,我们真诚期待与您携手共赢未来。"
类目:
  • 全部
  • 场效应管(MOSFET)
  • 碳化硅二极管
  • 碳化硅场效应管(MOSFET)
  • 晶体管输出光耦
  • 固态继电器(MOS输出)
封装:
  • 全部
  • TO247-4
  • TO-247-2
  • TO-220-2
  • TO-247-4
  • TO247-3
  • TO-247-3
  • SOP4
  • DIP4
  • SOP-4
  • SMD-4
  • SMD8
  • SOP8
  • SOP-8
  • SMD-8
  • DIP-8
  • SMD-5
  • SMD6
  • DIP-6
  • SMD-6
  • SOP-4-175mil-2.54mm
  • DIP-4
当前 “SUPSiC(国晶微半导体)” 共159件相关型号
  • 综合
  • 价格
  • 库存
  • 销量

型号/类目/品牌/封装/描述

参数

库存

价格梯度(含税价格)

数量

操作

GTLP3555
封装: DIP-4
描述:
固态继电器(MOS输出) SUPSiC(国晶微半导体) DIP-4 2.7ms 3.75kV 50us 1.32V 60V 69mΩ 2A
导通时间(Ton): 2.7ms
继电器触点形式: -
隔离电压(rms): 3.75kV
截止时间(Toff): 50us
正向压降: 1.32V
负载电压: 60V
导通电阻: 69mΩ
连续负载电流: 2A
适用负载类型: -
962
最小包:100
起订量:1
增量:1
1+: ¥ 5.06
10+: ¥ 4.16
30+: ¥ 3.71
100+: ¥ 3.26
500+: ¥ 3
合计总额: ¥ 5.0600
GC6D30130D
封装: TO-247-3
描述:
碳化硅二极管 SUPSiC(国晶微半导体) TO-247-3 1.2kV 1.27V 30A
直流反向耐压(Vr): 1.2kV
正向压降(Vf): 1.27V
整流电流(Io): 30A
140
最小包:30
起订量:1
增量:1
1+: ¥ 38.95
10+: ¥ 34.14
30+: ¥ 31.21
90+: ¥ 28.75
合计总额: ¥ 38.9500
GC6D10065A
封装: TO-220-2
描述:
碳化硅二极管 SUPSiC(国晶微半导体) TO-220-2 650V 1.5V 37A
直流反向耐压(Vr): 650V
正向压降(Vf): 1.5V
整流电流(Io): 37A
6
最小包:50
起订量:1
增量:1
1+: ¥ 5.75
10+: ¥ 4.72
50+: ¥ 4.21
100+: ¥ 3.7
500+: ¥ 3.39
1000+: ¥ 3.24
合计总额: ¥ 5.7500
GC6D08065A
封装: TO-220-2
描述:
碳化硅二极管 SUPSiC(国晶微半导体) TO-220-2 650V 1.3V 30A
直流反向耐压(Vr): 650V
正向压降(Vf): 1.3V
整流电流(Io): 30A
36
最小包:50
起订量:1
增量:1
1+: ¥ 5.82
10+: ¥ 4.79
50+: ¥ 4.28
100+: ¥ 3.77
500+: ¥ 3.47
1000+: ¥ 3.31
合计总额: ¥ 5.8200
GC6D06065A
封装: TO-220-2
描述:
碳化硅二极管 SUPSiC(国晶微半导体) TO-220-2 650V 1.27V 24A
直流反向耐压(Vr): 650V
正向压降(Vf): 1.27V
整流电流(Io): 24A
235
最小包:50
起订量:1
增量:1
1+: ¥ 5.65
10+: ¥ 4.62
50+: ¥ 4.11
100+: ¥ 3.6
500+: ¥ 3.3
1000+: ¥ 3.14
合计总额: ¥ 5.6500
GC6D04065A
封装: TO-220-2
描述:
碳化硅二极管 SUPSiC(国晶微半导体) TO-220-2 650V 1.27V 18A
直流反向耐压(Vr): 650V
正向压降(Vf): 1.27V
整流电流(Io): 18A
36
最小包:50
起订量:1
增量:1
1+: ¥ 5.82
10+: ¥ 4.79
50+: ¥ 4.28
100+: ¥ 3.77
500+: ¥ 3.47
1000+: ¥ 3.31
合计总额: ¥ 5.8200
GC5D05170H
封装: TO-247-2
描述:
碳化硅二极管 SUPSiC(国晶微半导体) TO-247-2 1.7kV 1.7V 18A
直流反向耐压(Vr): 1.7kV
正向压降(Vf): 1.7V
整流电流(Io): 18A
7
最小包:30
起订量:1
增量:1
1+: ¥ 33.49
10+: ¥ 29.36
30+: ¥ 26.84
90+: ¥ 24.73
合计总额: ¥ 33.4900
GC4D60120D
封装: TO-247-3
描述:
碳化硅二极管 SUPSiC(国晶微半导体) TO-247-3 1.2kV 1.27V 60A
直流反向耐压(Vr): 1.2kV
正向压降(Vf): 1.27V
整流电流(Io): 60A
22
最小包:30
起订量:1
增量:1
1+: ¥ 43.62
10+: ¥ 38.24
30+: ¥ 34.95
90+: ¥ 32.2
合计总额: ¥ 43.6200
GC4D40120H
封装: TO-247-2
描述:
碳化硅二极管 SUPSiC(国晶微半导体) TO-247-2 1.2kV 1.5V 128A
直流反向耐压(Vr): 1.2kV
正向压降(Vf): 1.5V
整流电流(Io): 128A
357
最小包:30
起订量:1
增量:1
1+: ¥ 34.95
10+: ¥ 30.53
30+: ¥ 27.83
90+: ¥ 25.58
合计总额: ¥ 34.9500
GC4D15120D
封装: TO-247-3
描述:
碳化硅二极管 SUPSiC(国晶微半导体) TO-247-3 1.2kV 1.5V 24.5A
直流反向耐压(Vr): 1.2kV
正向压降(Vf): 1.5V
整流电流(Io): 24.5A
30
最小包:30
起订量:1
增量:1
1+: ¥ 18.18
10+: ¥ 15.83
30+: ¥ 14.44
90+: ¥ 13.03
600+: ¥ 12.38
900+: ¥ 12.09
合计总额: ¥ 18.1800
GC4D05120A
封装: TO-220-2
描述:
碳化硅二极管 SUPSiC(国晶微半导体) TO-220-2 1.2kV 独立式 1.4V@5A 19A
直流反向耐压(Vr): 1.2kV
二极管配置: 独立式
正向压降(Vf): 1.4V@5A
整流电流(Io): 19A
600
最小包:50
起订量:1
增量:1
1+: ¥ 5.69
10+: ¥ 4.79
50+: ¥ 4.29
100+: ¥ 3.74
500+: ¥ 3.49
1000+: ¥ 3.38
合计总额: ¥ 5.6900
GC4D08120A
封装: TO-220-2
描述:
碳化硅二极管 SUPSiC(国晶微半导体) TO-220-2 1.2kV 1.5V 24.5A
直流反向耐压(Vr): 1.2kV
正向压降(Vf): 1.5V
整流电流(Io): 24.5A
18
最小包:50
起订量:1
增量:1
1+: ¥ 8.99
10+: ¥ 7.55
50+: ¥ 6.75
100+: ¥ 5.86
500+: ¥ 5.46
1000+: ¥ 5.28
合计总额: ¥ 8.9900
GC4D10120A
封装: TO-220-2
描述:
碳化硅二极管 SUPSiC(国晶微半导体) TO-220-2 1.2kV 1.5V 33A
直流反向耐压(Vr): 1.2kV
正向压降(Vf): 1.5V
整流电流(Io): 33A
145
最小包:50
起订量:1
增量:1
1+: ¥ 8.89
10+: ¥ 7.63
50+: ¥ 6.85
100+: ¥ 6.04
500+: ¥ 5.68
1000+: ¥ 5.52
合计总额: ¥ 8.8900
GC4D10120D
封装: TO-247-3
描述:
碳化硅二极管 SUPSiC(国晶微半导体) TO-247-3 1.2kV 1.5V 38A
直流反向耐压(Vr): 1.2kV
正向压降(Vf): 1.5V
整流电流(Io): 38A
48
最小包:30
起订量:1
增量:1
1+: ¥ 17.33
10+: ¥ 14.95
30+: ¥ 13.45
合计总额: ¥ 17.3300
GC4D10120H
封装: TO-247-2
描述:
碳化硅二极管 SUPSiC(国晶微半导体) TO-247-2 1.2kV 1.5V 31.5A
直流反向耐压(Vr): 1.2kV
正向压降(Vf): 1.5V
整流电流(Io): 31.5A
187
最小包:30
起订量:1
增量:1
1+: ¥ 14.04
10+: ¥ 12.03
30+: ¥ 10.78
90+: ¥ 9.49
600+: ¥ 8.91
900+: ¥ 8.66
合计总额: ¥ 14.0400
GC4D12120A
封装: TO-220-2
描述:
碳化硅二极管 SUPSiC(国晶微半导体) TO-220-2 1.2kV 1.35V 33A
直流反向耐压(Vr): 1.2kV
正向压降(Vf): 1.35V
整流电流(Io): 33A
215
最小包:50
起订量:1
增量:1
1+: ¥ 16.25
10+: ¥ 13.99
50+: ¥ 12.58
100+: ¥ 11.13
500+: ¥ 10.48
1000+: ¥ 10.2
合计总额: ¥ 16.2500
GC4D15120A
封装: TO-220-2
描述:
碳化硅二极管 SUPSiC(国晶微半导体) TO-220-2 1.2kV 1.27V 43.5A
直流反向耐压(Vr): 1.2kV
正向压降(Vf): 1.27V
整流电流(Io): 43.5A
20
最小包:50
起订量:1
增量:1
1+: ¥ 14.59
10+: ¥ 12.59
50+: ¥ 11.33
100+: ¥ 10.04
500+: ¥ 9.46
1000+: ¥ 9.21
合计总额: ¥ 14.5900
GC4D30120H
封装: TO-247-2
描述:
碳化硅二极管 SUPSiC(国晶微半导体) TO-247-2 1.2kV 1.5V 94A
直流反向耐压(Vr): 1.2kV
正向压降(Vf): 1.5V
整流电流(Io): 94A
25
最小包:30
起订量:1
增量:1
1+: ¥ 31.32
10+: ¥ 27.38
30+: ¥ 24.98
90+: ¥ 22.96
合计总额: ¥ 31.3200
GC4D30120D
封装: TO-247-3
描述:
碳化硅二极管 SUPSiC(国晶微半导体) TO-247-3 1.2kV 1.5V 44A
直流反向耐压(Vr): 1.2kV
正向压降(Vf): 1.5V
整流电流(Io): 44A
321
最小包:30
起订量:1
增量:1
1+: ¥ 31.94
10+: ¥ 28
30+: ¥ 25.59
90+: ¥ 23.58
合计总额: ¥ 31.9400
GC4D15120H
封装: TO-247-2
描述:
碳化硅二极管 SUPSiC(国晶微半导体) TO-247-2 1.2kV 1.5V 39A
直流反向耐压(Vr): 1.2kV
正向压降(Vf): 1.5V
整流电流(Io): 39A
154
最小包:30
起订量:1
增量:1
1+: ¥ 16.35
10+: ¥ 14.04
30+: ¥ 12.59
90+: ¥ 11.11
600+: ¥ 10.44
900+: ¥ 10.15
合计总额: ¥ 16.3500
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