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TF(拓锋)

深圳市拓锋半导体科技有限公司创办于1997年,已发展20余年。 公司集研发、生产、销售与一体,主营MOSFET场效应管、通用IC。 公司于2017年合资建设了浙江和睿半导体科技有限公司,注册资金达7000万元,占地面积3万6千平方米,专业技术人员100余人,封装产品线有TO、SOT、SOP、DIP、DFN系列,全部产品封装完全在ISO9001质量管理体系认证监控下自动化生产。 拓锋发展理念和宗旨:信誉至上,品质卓越,价格合理,合作共赢。
类目:
  • 全部
  • 达林顿管
  • 线性稳压器(LDO)
  • 场效应管(MOSFET)
封装:
  • 全部
  • PDFN-8-EP(3.1x3.1)
  • SOP-8
  • SOT-23-3L
  • SOT-223-3
  • TDFN2030
  • PDFN-8(5.9x5.2)
  • TO-252-2
  • PDFN-8L(5x6)
  • SOT-23
  • PDFN-8(3.3x3.3)
  • PDFNWB-8(3.3x3.3)
  • PDFN-8L(3x3)
  • TO-252
  • PDFNWB-8L-EP(5x6)
  • PDFN3333-8
  • PDFNWB-8(3x3)
  • PDFNWB-8L(5x6)
  • TO-220
  • SOT-23-6
当前 “TF(拓锋)” 共87件相关型号
  • 综合
  • 价格
  • 库存
  • 销量

型号/类目/品牌/封装/描述

参数

库存

价格梯度(含税价格)

数量

操作

68N75
品牌: TF(拓锋)
封装: TO-220
描述:
场效应管(MOSFET) TF(拓锋) TO-220
0
最小包:50
起订量:1
增量:1
1+: ¥ 1.8
200+: ¥ 0.6966
500+: ¥ 0.6721
1000+: ¥ 0.66
合计总额: ¥ 1.8000
15N10B
品牌: TF(拓锋)
封装: TO-252-2
描述:
场效应管(MOSFET) TF(拓锋) TO-252-2
类型: -
漏源电压(Vdss): -
连续漏极电流(Id): -
功率(Pd): -
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): -
阈值电压(Vgs(th)@Id): -
栅极电荷(Qg@Vgs): -
输入电容(Ciss@Vds): -
反向传输电容(Crss@Vds): -
0
最小包:2500
起订量:1
增量:1
5+: ¥ 0.66906
50+: ¥ 0.54906
150+: ¥ 0.48906
500+: ¥ 0.44406
2500+: ¥ 0.40806
5000+: ¥ 0.39006
合计总额: ¥ 0.6691
1117-1.8V
品牌: TF(拓锋)
封装: SOT-223-3
描述:
线性稳压器(LDO) TF(拓锋) SOT-223-3 固定 15V 1.8V 800mA 75dB@(120Hz) 热保护(TSD);过流保护(OCP) -40℃~+125℃@(Tj) 1
输出类型: 固定
最大输入电压: 15V
输出电压: 1.8V
输出电流: 800mA
电源纹波抑制比(PSRR): 75dB@(120Hz)
特性: 热保护(TSD);过流保护(OCP)
工作温度: -40℃~+125℃@(Tj)
输出通道数: 1
0
最小包:2500
起订量:1
增量:1
10+: ¥ 0.315029
100+: ¥ 0.259029
300+: ¥ 0.231029
2500+: ¥ 0.1764
5000+: ¥ 0.1596
10000+: ¥ 0.1512
合计总额: ¥ 0.3150
1117-1.2V
品牌: TF(拓锋)
封装: SOT-223-3
描述:
线性稳压器(LDO) TF(拓锋) SOT-223-3 固定 15V 1.2V 800mA 75dB@(120Hz) 热保护(TSD);过流保护(OCP) -40℃~+125℃@(Tj) 1
输出类型: 固定
最大输入电压: 15V
输出电压: 1.2V
输出电流: 800mA
电源纹波抑制比(PSRR): 75dB@(120Hz)
特性: 热保护(TSD);过流保护(OCP)
工作温度: -40℃~+125℃@(Tj)
输出通道数: 1
0
最小包:2500
起订量:1
增量:1
10+: ¥ 0.2919
100+: ¥ 0.2359
300+: ¥ 0.2079
2500+: ¥ 0.1764
5000+: ¥ 0.1596
10000+: ¥ 0.1512
合计总额: ¥ 0.2919
10N60
品牌: TF(拓锋)
封装: TO-220
描述:
场效应管(MOSFET) TF(拓锋) TO-220
类型: -
漏源电压(Vdss): -
连续漏极电流(Id): -
功率(Pd): -
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): -
阈值电压(Vgs(th)@Id): -
栅极电荷(Qg@Vgs): -
输入电容(Ciss@Vds): -
反向传输电容(Crss@Vds): -
4
最小包:50
起订量:1
增量:1
1+: ¥ 3.09
10+: ¥ 2.54
50+: ¥ 1.91
合计总额: ¥ 3.0900
TIP127A
类目: 达林顿管
品牌: TF(拓锋)
封装: TO-220
描述:
达林顿管 TF(拓锋) TO-220
20
最小包:50
起订量:1
增量:1
5+: ¥ 1.4374
50+: ¥ 1.0148
150+: ¥ 0.9037
500+: ¥ 0.7651
2000+: ¥ 0.7034
5000+: ¥ 0.6664
合计总额: ¥ 1.4374
9926B
品牌: TF(拓锋)
封装: SOP-8
描述:
场效应管(MOSFET) TF(拓锋) SOP-8 2个N沟道 20V 6.5A 2W 18mΩ@4.5V,6.5A 650mV@250uA 931pF@30V 50pF@30V -55℃~+150℃@(Tj)
类型: 2个N沟道
漏源电压(Vdss): 20V
连续漏极电流(Id): 6.5A
功率(Pd): 2W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 18mΩ@4.5V,6.5A
阈值电压(Vgs(th)@Id): 650mV@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs): -
输入电容(Ciss@Vds): 931pF@30V
反向传输电容(Crss@Vds): 50pF@30V
工作温度: -55℃~+150℃@(Tj)
0
最小包:4000
起订量:1
增量:1
5+: ¥ 0.46645
50+: ¥ 0.37845
150+: ¥ 0.33445
500+: ¥ 0.30145
2500+: ¥ 0.2508
4000+: ¥ 0.2376
合计总额: ¥ 0.4664
TFD150N04M
品牌: TF(拓锋)
封装: PDFN-8(3.3x3.3)
描述:
场效应管(MOSFET) TF(拓锋) PDFN-8(3.3x3.3) 40V 21A
漏源电压(Vdss): 40V
连续漏极电流(Id): 21A
40
最小包:5000
起订量:1
增量:1
5+: ¥ 0.8499
50+: ¥ 0.6819
150+: ¥ 0.6099
500+: ¥ 0.52
2500+: ¥ 0.456
5000+: ¥ 0.432
合计总额: ¥ 0.8499
TFD180N02
品牌: TF(拓锋)
封装: TDFN2030
描述:
场效应管(MOSFET) TF(拓锋) TDFN2030 20V 6A
漏源电压(Vdss): 20V
连续漏极电流(Id): 6A
50
最小包:3000
起订量:1
增量:1
10+: ¥ 0.3519
100+: ¥ 0.2839
300+: ¥ 0.2499
3000+: ¥ 0.2142
6000+: ¥ 0.1938
9000+: ¥ 0.1836
合计总额: ¥ 0.3519
TFD130N04N
品牌: TF(拓锋)
封装: PDFNWB-8L-EP(5x6)
描述:
场效应管(MOSFET) TF(拓锋) PDFNWB-8L-EP(5x6)
类型: -
漏源电压(Vdss): -
连续漏极电流(Id): -
功率(Pd): -
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): -
阈值电压(Vgs(th)@Id): -
栅极电荷(Qg@Vgs): -
输入电容(Ciss@Vds): -
反向传输电容(Crss@Vds): -
0
最小包:5000
起订量:1
增量:1
5+: ¥ 1.125
50+: ¥ 0.915
150+: ¥ 0.825
500+: ¥ 0.7127
2500+: ¥ 0.6125
5000+: ¥ 0.5825
合计总额: ¥ 1.1250
TFD085N03M
品牌: TF(拓锋)
封装: PDFN-8(3.3x3.3)
描述:
场效应管(MOSFET) TF(拓锋) PDFN-8(3.3x3.3) 30V 25A
漏源电压(Vdss): 30V
连续漏极电流(Id): 25A
40
最小包:5000
起订量:1
增量:1
1+: ¥ 0.8672
10+: ¥ 0.6908
30+: ¥ 0.6152
100+: ¥ 0.5208
500+: ¥ 0.4788
1000+: ¥ 0.4536
合计总额: ¥ 0.8672
TF80N03B
品牌: TF(拓锋)
封装: TO-252-2
描述:
场效应管(MOSFET) TF(拓锋) TO-252-2
类型: -
漏源电压(Vdss): -
连续漏极电流(Id): -
功率(Pd): -
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): -
阈值电压(Vgs(th)@Id): -
栅极电荷(Qg@Vgs): -
输入电容(Ciss@Vds): -
反向传输电容(Crss@Vds): -
15
最小包:2500
起订量:1
增量:1
1+: ¥ 1.4824
10+: ¥ 1.1884
30+: ¥ 1.0624
100+: ¥ 0.9052
500+: ¥ 0.8352
1000+: ¥ 0.756
合计总额: ¥ 1.4824
TF80N03
品牌: TF(拓锋)
封装: TO-252-2
描述:
场效应管(MOSFET) TF(拓锋) TO-252-2
类型: -
漏源电压(Vdss): -
连续漏极电流(Id): -
功率(Pd): -
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): -
阈值电压(Vgs(th)@Id): -
栅极电荷(Qg@Vgs): -
输入电容(Ciss@Vds): -
反向传输电容(Crss@Vds): -
15
最小包:2500
起订量:1
增量:1
1+: ¥ 1.2749
10+: ¥ 1.0229
30+: ¥ 0.9149
100+: ¥ 0.7802
500+: ¥ 0.7202
1000+: ¥ 0.648
合计总额: ¥ 1.2749
TF90N03
品牌: TF(拓锋)
封装: TO-252
描述:
场效应管(MOSFET) TF(拓锋) TO-252 30V 90A
漏源电压(Vdss): 30V
连续漏极电流(Id): 90A
15
最小包:2500
起订量:1
增量:1
5+: ¥ 0.7659
50+: ¥ 0.6179
150+: ¥ 0.5439
500+: ¥ 0.4884
2500+: ¥ 0.4218
5000+: ¥ 0.3996
合计总额: ¥ 0.7659
TF80N06A
品牌: TF(拓锋)
封装: TO-252
描述:
场效应管(MOSFET) TF(拓锋) TO-252 60V 80A
漏源电压(Vdss): 60V
连续漏极电流(Id): 80A
10
最小包:2500
起订量:1
增量:1
1+: ¥ 1.5297
10+: ¥ 1.2273
30+: ¥ 1.0977
100+: ¥ 0.936
500+: ¥ 0.864
1000+: ¥ 0.7776
合计总额: ¥ 1.5297
TF7409
品牌: TF(拓锋)
封装: PDFN-8(3.3x3.3)
描述:
场效应管(MOSFET) TF(拓锋) PDFN-8(3.3x3.3)
类型: -
漏源电压(Vdss): -
连续漏极电流(Id): -
功率(Pd): -
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): -
阈值电压(Vgs(th)@Id): -
栅极电荷(Qg@Vgs): -
输入电容(Ciss@Vds): -
反向传输电容(Crss@Vds): -
9
最小包:5000
起订量:1
增量:1
1+: ¥ 0.8672
10+: ¥ 0.6908
30+: ¥ 0.6152
100+: ¥ 0.5208
500+: ¥ 0.4788
1000+: ¥ 0.4536
合计总额: ¥ 0.8672
TF6406
品牌: TF(拓锋)
封装: PDFN-8(5.9x5.2)
描述:
场效应管(MOSFET) TF(拓锋) PDFN-8(5.9x5.2)
类型: -
漏源电压(Vdss): -
连续漏极电流(Id): -
功率(Pd): -
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): -
阈值电压(Vgs(th)@Id): -
栅极电荷(Qg@Vgs): -
输入电容(Ciss@Vds): -
反向传输电容(Crss@Vds): -
50
最小包:5000
起订量:1
增量:1
1+: ¥ 1.7661
10+: ¥ 1.4301
30+: ¥ 1.2861
100+: ¥ 1.1064
500+: ¥ 1.0264
1000+: ¥ 0.864
合计总额: ¥ 1.7661
TF70N03
品牌: TF(拓锋)
封装: TO-252-2
描述:
场效应管(MOSFET) TF(拓锋) TO-252-2
类型: -
漏源电压(Vdss): -
连续漏极电流(Id): -
功率(Pd): -
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): -
阈值电压(Vgs(th)@Id): -
栅极电荷(Qg@Vgs): -
输入电容(Ciss@Vds): -
反向传输电容(Crss@Vds): -
5
最小包:2500
起订量:1
增量:1
5+: ¥ 0.8266
50+: ¥ 0.6586
150+: ¥ 0.5866
500+: ¥ 0.4968
2500+: ¥ 0.448
5000+: ¥ 0.424
合计总额: ¥ 0.8266
TF7404
品牌: TF(拓锋)
封装: PDFN-8(3.3x3.3)
描述:
场效应管(MOSFET) TF(拓锋) PDFN-8(3.3x3.3)
类型: -
漏源电压(Vdss): -
连续漏极电流(Id): -
功率(Pd): -
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): -
阈值电压(Vgs(th)@Id): -
栅极电荷(Qg@Vgs): -
输入电容(Ciss@Vds): -
反向传输电容(Crss@Vds): -
28
最小包:5000
起订量:1
增量:1
1+: ¥ 1.6517
10+: ¥ 1.3157
30+: ¥ 1.1717
100+: ¥ 0.992
500+: ¥ 0.912
1000+: ¥ 0.864
合计总额: ¥ 1.6517
TF60N03
品牌: TF(拓锋)
封装: TO-252-2
描述:
场效应管(MOSFET) TF(拓锋) TO-252-2
类型: -
漏源电压(Vdss): -
连续漏极电流(Id): -
功率(Pd): -
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): -
阈值电压(Vgs(th)@Id): -
栅极电荷(Qg@Vgs): -
输入电容(Ciss@Vds): -
反向传输电容(Crss@Vds): -
0
最小包:0
起订量:1
增量:1
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合计总额: ¥ 0.0000
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