信安半导体成立于2008年，属安联集团全资子公司，致力于大中华地区MOSFET产品销售，2009年安联集团投资韩国半导体DESIGN领域，同年收购韩国POWER SOLUSTION 8英寸VD-MOS芯片工厂。
POWER SOLUSTION是一家专业电力半导体FAB OWN公司。公司成立于2005年，工厂坐落在韩国第一工业城市--浦项，主营POWER MOSFET及IGBT的生产于研发。目前8 英寸月产能12000片，是东亚地区唯一的PLANNER 8英寸晶圆生产线，目前公司员工195人，所有技术骨干均来自韩国SAMSUNG（三星）半导体和美国FAIRCHILD（仙童）半导体。他们在产品研发和生产制程方面具有丰富的行业经验。公司2009年获得韩国政府IT VENTURE企业认可。在韩国极东大学和富川设有附属研究所。目前VD-MOSFET和IGBT产品获得韩国政府12项技术专利。
POWER SOLUSTION生产的产品广泛应用于电焊机、逆变器、镇流器、适配器、充电器、PC电源、电视机电源等各领域。韩国三星电子、LG电子、康佳等公司均为POWER SOLUSTION终端客户。
封装： -
全部
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TO-252-2
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TO-252
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TO-263
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TO-220FP-3
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TO-251
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TO-220F
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TO-3P
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TO-247
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TO-220
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TO-3P-3
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TO-247-3
当前 “Truesemi(信安)”
共76件相关型号
漏源电压(Vdss)： 250V
连续漏极电流(Id)： 50A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 78mΩ
类型： 1个N沟道
1+： ¥ 4
10+： ¥ 3.91
50+： ¥ 3.85
漏源电压(Vdss)： 200V
连续漏极电流(Id)： 32A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 86mΩ
类型： 1个N沟道
1+： ¥ 3.82
10+： ¥ 3.15
50+： ¥ 2.81
100+： ¥ 2.48
漏源电压(Vdss)： 250V
连续漏极电流(Id)： 16A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 250mΩ
类型： 1个N沟道
1+： ¥ 2.37
10+： ¥ 1.91
50+： ¥ 1.71
100+： ¥ 1.46
漏源电压(Vdss)： 500V
连续漏极电流(Id)： 50A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 180mΩ
类型： 1个N沟道
1+： ¥ 18.02
10+： ¥ 17.11
30+： ¥ 16.57
90+： ¥ 16.02
450+： ¥ 15.77
900+： ¥ 15.65
漏源电压(Vdss)： 500V
连续漏极电流(Id)： 50A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 110mΩ
类型： 1个N沟道
1+： ¥ 18.45
10+： ¥ 15.8
30+： ¥ 14.22
90+： ¥ 12.62
漏源电压(Vdss)： 300V
连续漏极电流(Id)： 50A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 60mΩ
类型： 1个N沟道
1+： ¥ 12.13
10+： ¥ 10.46
30+： ¥ 9.42
90+： ¥ 8.35
1+： ¥ 2.7
10+： ¥ 2.64
50+： ¥ 2.6
漏源电压(Vdss)： 650V
连续漏极电流(Id)： 20A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 190mΩ
类型： 1个N沟道
1+： ¥ 8.9
10+： ¥ 7.51
50+： ¥ 6.75
100+： ¥ 5.89
漏源电压(Vdss)： 250V
连续漏极电流(Id)： 16A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 250mΩ
类型： 1个N沟道
1+： ¥ 2.37
10+： ¥ 1.91
50+： ¥ 1.71
100+： ¥ 1.46
漏源电压(Vdss)： 300V
连续漏极电流(Id)： 14A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 290mΩ
类型： 1个N沟道
1+： ¥ 2.61
10+： ¥ 2.1
50+： ¥ 1.88
100+： ¥ 1.61
漏源电压(Vdss)： 500V
连续漏极电流(Id)： 6A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 1.3Ω
类型： 1个N沟道
5+： ¥ 0.8133
50+： ¥ 0.7943
150+： ¥ 0.7816
漏源电压(Vdss)： 250V
连续漏极电流(Id)： 40A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 90mΩ
类型： 1个N沟道
1+： ¥ 3.16
10+： ¥ 3.08
30+： ¥ 3.04
100+： ¥ 2.99
漏源电压(Vdss)： 650V
连续漏极电流(Id)： 20A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 190mΩ
类型： 1个N沟道
1+： ¥ 9.32
10+： ¥ 7.87
30+： ¥ 7.07
90+： ¥ 6.17
漏源电压(Vdss)： 250V
连续漏极电流(Id)： 65A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 50mΩ
类型： 1个N沟道
1+： ¥ 6.92
10+： ¥ 6.77
30+： ¥ 6.66
漏源电压(Vdss)： 500V
连续漏极电流(Id)： 25A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 250mΩ
类型： 1个N沟道
1+： ¥ 8.3
10+： ¥ 7.01
30+： ¥ 6.3
90+： ¥ 5.5
漏源电压(Vdss)： 900V
连续漏极电流(Id)： 12A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 1.1Ω
类型： 1个N沟道
1+： ¥ 7.96
10+： ¥ 6.72
30+： ¥ 6.04
90+： ¥ 5.27
漏源电压(Vdss)： 200V
连续漏极电流(Id)： 18A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 170mΩ
类型： N沟道
1+： ¥ 0.2721
10+： ¥ 0.2419
50+： ¥ 0.2371
100+： ¥ 0.2196
漏源电压(Vdss)： 500V
连续漏极电流(Id)： 8A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： -
功率(Pd)： -
阈值电压(Vgs(th)@Id)： -
反向传输电容(Crss@Vds)： -
类型： N沟道
输入电容(Ciss@Vds)： -
栅极电荷(Qg@Vgs)： -
1+： ¥ 0.3353
10+： ¥ 0.2699
30+： ¥ 0.2418
100+： ¥ 0.2069
500+： ¥ 0.173
1000+： ¥ 0.1637
漏源电压(Vdss)： 500V
连续漏极电流(Id)： 8A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： -
功率(Pd)： -
阈值电压(Vgs(th)@Id)： -
反向传输电容(Crss@Vds)： -
类型： N沟道
输入电容(Ciss@Vds)： -
栅极电荷(Qg@Vgs)： -
1+： ¥ 0.2689
10+： ¥ 0.2419
50+： ¥ 0.2371
100+： ¥ 0.2005
漏源电压(Vdss)： 200V
连续漏极电流(Id)： 18A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 170mΩ
功率(Pd)： -
阈值电压(Vgs(th)@Id)： -
反向传输电容(Crss@Vds)： -
类型： N沟道
输入电容(Ciss@Vds)： -
栅极电荷(Qg@Vgs)： -
1+： ¥ 0.2148
10+： ¥ 0.1894
30+： ¥ 0.1846
100+： ¥ 0.1751
