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Vergiga(威兆)

威兆半导体总部坐落于深圳特区高新技术产业园—南山大沙河创新走廊,毗邻中科院深圳研究院、南方科技大学。专业从事等立器件系列的设计及半导体微电子相关产品研发的高科技企业。凭借多年的与知名电源厂家合作经验,坚持在分立器件领域深耕,以提升国内分立器件品牌性能竞争力,以及市场占有比例。 威兆专注实现创新,稳定,高效率,低成本整体解决方案,经过长期的努力,已经成为少数同时具备低压,中压,高压全部系列大功率POWER MOSFET分立器件,以及特殊半导体制程设计能力的先进IC设计公司。产品广泛应用于计算机,消费类电子,LCD/LED显示器,通讯电源,工业电源,以及太阳能,风能,锂电等新能源产业。
类目:
  • 全部
  • IGBT管/模块
  • 场效应管(MOSFET)
封装:
  • 全部
  • PDFN-8(5.9x5.2)
  • DFN-8(5.1x6.1)
  • SOIC-8
  • DFN-8
  • TO-220F-3
  • SOT-23-6L
  • TO-251
  • TO-252-2
  • PDFN-8(5x6)
  • PDFN-8(4.9x5.8)
  • TO-263-6
  • TO-220
  • TO-251-3
  • PDFN-8(5.8x4.9)
  • PDFN(5x6)
  • PDFN-8(5x5.8)
  • PDFN-8L(3.3x3.3)
  • PDFN-8(3.3x3.3)
  • DFN-8(4.9x5.8)
  • DFN-5(5.9x4.9)
  • TO-252
  • TO-247-3
  • PDFN3333-8
  • SOT-23-3L
  • SOT-23
  • SOP-8
  • TO-263-3
  • ITO-220AB-3
  • TO-220AB
当前 “Vergiga(威兆)” 共124件相关型号
  • 综合
  • 价格
  • 库存
  • 销量

型号/类目/品牌/封装/描述

参数

库存

价格梯度(含税价格)

数量

操作

VST018N10MS
品牌: Vergiga(威兆)
封装: ITO-220AB-3
描述:
场效应管(MOSFET) Vergiga(威兆) ITO-220AB-3 1个N沟道 100V 60A 150W 20mΩ@4.5V,20A 3V@250uA
类型: 1个N沟道
漏源电压(Vdss): 100V
连续漏极电流(Id): 60A
功率(Pd): 150W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 20mΩ@4.5V,20A
阈值电压(Vgs(th)@Id): 3V@250uA
0
最小包:50
起订量:1
增量:1
1+: ¥ 2.34
10+: ¥ 1.87
50+: ¥ 1.67
100+: ¥ 1.42
500+: ¥ 1.3
1000+: ¥ 1.24
合计总额: ¥ 2.3400
VST012N06MS
品牌: Vergiga(威兆)
封装: ITO-220AB-3
描述:
场效应管(MOSFET) Vergiga(威兆) ITO-220AB-3 1个N沟道 60V 55A 115W 14mΩ@4.5V,20A 2.5V@250uA
类型: 1个N沟道
漏源电压(Vdss): 60V
连续漏极电流(Id): 55A
功率(Pd): 115W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 14mΩ@4.5V,20A
阈值电压(Vgs(th)@Id): 2.5V@250uA
0
最小包:50
起订量:1
增量:1
1+: ¥ 1.26
10+: ¥ 1.23
30+: ¥ 1.21
100+: ¥ 1.19
合计总额: ¥ 1.2600
VST011N10MS-G
品牌: Vergiga(威兆)
封装: TO-220AB
描述:
场效应管(MOSFET) Vergiga(威兆) TO-220AB
1000
最小包:50
起订量:1
增量:1
1+: ¥ 3.26
10+: ¥ 2.64
50+: ¥ 2.29
100+: ¥ 1.96
500+: ¥ 1.81
1000+: ¥ 1.72
合计总额: ¥ 3.2600
VST007N07MS
品牌: Vergiga(威兆)
封装: ITO-220AB-3
描述:
场效应管(MOSFET) Vergiga(威兆) ITO-220AB-3 1个N沟道 80V 80A 120W 12mΩ@4.5V,20A 2.3V@250uA
类型: 1个N沟道
漏源电压(Vdss): 80V
连续漏极电流(Id): 80A
功率(Pd): 120W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 12mΩ@4.5V,20A
阈值电压(Vgs(th)@Id): 2.3V@250uA
0
最小包:50
起订量:1
增量:1
1+: ¥ 1.52
10+: ¥ 1.48
30+: ¥ 1.46
100+: ¥ 1.43
合计总额: ¥ 1.5200
VSP020P06MS
品牌: Vergiga(威兆)
封装: PDFN-8(5.9x5.2)
描述:
场效应管(MOSFET) Vergiga(威兆) PDFN-8(5.9x5.2)
类型: -
漏源电压(Vdss): -
连续漏极电流(Id): -
功率(Pd): -
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): -
阈值电压(Vgs(th)@Id): -
栅极电荷(Qg@Vgs): -
输入电容(Ciss@Vds): -
反向传输电容(Crss@Vds): -
0
最小包:3000
起订量:1
增量:1
1+: ¥ 2.28
10+: ¥ 2.22
30+: ¥ 2.19
100+: ¥ 2.15
合计总额: ¥ 2.2800
VSP015N15HS-G
品牌: Vergiga(威兆)
封装: DFN-8(5.1x6.1)
描述:
场效应管(MOSFET) Vergiga(威兆) DFN-8(5.1x6.1)
3000
最小包:3000
起订量:1
增量:1
1+: ¥ 6.21
10+: ¥ 5.15
30+: ¥ 4.62
100+: ¥ 4.09
500+: ¥ 3.6
1000+: ¥ 3.43
合计总额: ¥ 6.2100
VSP011N10MS-G
品牌: Vergiga(威兆)
封装: DFN-5(5.9x4.9)
描述:
场效应管(MOSFET) Vergiga(威兆) DFN-5(5.9x4.9)
2716
最小包:3000
起订量:1
增量:1
1+: ¥ 1.827
10+: ¥ 1.593
30+: ¥ 1.494
100+: ¥ 1.368
500+: ¥ 1.314
1000+: ¥ 1.278
合计总额: ¥ 1.8270
VSP008N10MSC
品牌: Vergiga(威兆)
封装: PDFN-8(5.8x4.9)
描述:
场效应管(MOSFET) Vergiga(威兆) PDFN-8(5.8x4.9) 1个N沟道 100V 85A 69W 7.7mΩ@4.5V,15A 2.3V@250uA
类型: 1个N沟道
漏源电压(Vdss): 100V
连续漏极电流(Id): 85A
功率(Pd): 69W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 7.7mΩ@4.5V,15A
阈值电压(Vgs(th)@Id): 2.3V@250uA
0
最小包:3000
起订量:1
增量:1
1+: ¥ 4.16
10+: ¥ 3.41
30+: ¥ 3.03
100+: ¥ 2.65
500+: ¥ 2.43
1000+: ¥ 2.31
合计总额: ¥ 4.1600
VSP007P06MS
品牌: Vergiga(威兆)
封装: PDFN-8(5.8x4.9)
描述:
场效应管(MOSFET) Vergiga(威兆) PDFN-8(5.8x4.9)
类型: -
漏源电压(Vdss): -
连续漏极电流(Id): -
功率(Pd): -
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): -
阈值电压(Vgs(th)@Id): -
栅极电荷(Qg@Vgs): -
输入电容(Ciss@Vds): -
反向传输电容(Crss@Vds): -
32
最小包:3000
起订量:1
增量:1
1+: ¥ 6.14
10+: ¥ 5.08
30+: ¥ 4.55
合计总额: ¥ 6.1400
VSP007N07MS
品牌: Vergiga(威兆)
封装: PDFN-8(5.8x4.9)
描述:
场效应管(MOSFET) Vergiga(威兆) PDFN-8(5.8x4.9) 1个N沟道 80V 65A 60W 11mΩ@4.5V,10A 3V@250uA
类型: 1个N沟道
漏源电压(Vdss): 80V
连续漏极电流(Id): 65A
功率(Pd): 60W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 11mΩ@4.5V,10A
阈值电压(Vgs(th)@Id): 3V@250uA
0
最小包:3000
起订量:1
增量:1
1+: ¥ 2.15
10+: ¥ 1.72
30+: ¥ 1.53
100+: ¥ 1.3
500+: ¥ 1.2
1000+: ¥ 1.14
合计总额: ¥ 2.1500
VSP007N06MS-K
品牌: Vergiga(威兆)
封装: PDFN-8(5x6)
描述:
场效应管(MOSFET) Vergiga(威兆) PDFN-8(5x6)
0
最小包:3000
起订量:1
增量:1
1+: ¥ 2.79
10+: ¥ 2.25
30+: ¥ 2.01
100+: ¥ 1.72
500+: ¥ 1.51
1000+: ¥ 1.43
合计总额: ¥ 2.7900
VSP007N06MS-G
品牌: Vergiga(威兆)
封装: DFN-5(5.9x4.9)
描述:
场效应管(MOSFET) Vergiga(威兆) DFN-5(5.9x4.9)
1150
最小包:3000
起订量:1
增量:1
1+: ¥ 2.0592
10+: ¥ 1.8128
30+: ¥ 1.7072
100+: ¥ 1.5752
500+: ¥ 1.4432
1000+: ¥ 1.408
合计总额: ¥ 2.0592
VSP005NE8HS-G
品牌: Vergiga(威兆)
封装: DFN-5(5.9x4.9)
描述:
场效应管(MOSFET) Vergiga(威兆) DFN-5(5.9x4.9)
38
最小包:3000
起订量:1
增量:1
1+: ¥ 2.4
10+: ¥ 2.34
30+: ¥ 2.31
合计总额: ¥ 2.4000
VSP003N10HS-K
品牌: Vergiga(威兆)
封装: DFN-5(5.9x4.9)
描述:
场效应管(MOSFET) Vergiga(威兆) DFN-5(5.9x4.9)
0
最小包:3000
起订量:1
增量:1
1+: ¥ 2.97
10+: ¥ 2.9
30+: ¥ 2.85
100+: ¥ 2.8
合计总额: ¥ 2.9700
VSP003N06MS-G
品牌: Vergiga(威兆)
封装: DFN-5(5.9x4.9)
描述:
场效应管(MOSFET) Vergiga(威兆) DFN-5(5.9x4.9)
0
最小包:3000
起订量:1
增量:1
1+: ¥ 3.14
10+: ¥ 3.07
30+: ¥ 3.02
100+: ¥ 2.98
合计总额: ¥ 3.1400
VSP003N10HS-G
品牌: Vergiga(威兆)
封装: DFN-5(5.9x4.9)
描述:
场效应管(MOSFET) Vergiga(威兆) DFN-5(5.9x4.9)
2936
最小包:3000
起订量:1
增量:1
1+: ¥ 5.706
10+: ¥ 4.842
30+: ¥ 4.374
100+: ¥ 3.834
500+: ¥ 3.591
1000+: ¥ 3.483
合计总额: ¥ 5.7060
VSP004N10MS-K
品牌: Vergiga(威兆)
封装: DFN-8(5.1x6.1)
描述:
场效应管(MOSFET) Vergiga(威兆) DFN-8(5.1x6.1)
2346
最小包:3000
起订量:1
增量:1
1+: ¥ 5.17
10+: ¥ 4.21
30+: ¥ 3.74
100+: ¥ 3.26
500+: ¥ 2.97
1000+: ¥ 2.82
合计总额: ¥ 5.1700
VSP003N04MST-G
品牌: Vergiga(威兆)
封装: DFN-5(5.9x4.9)
描述:
场效应管(MOSFET) Vergiga(威兆) DFN-5(5.9x4.9)
0
最小包:3000
起订量:1
增量:1
1+: ¥ 3.02
10+: ¥ 2.4
30+: ¥ 2.14
100+: ¥ 1.8
500+: ¥ 1.66
1000+: ¥ 1.57
合计总额: ¥ 3.0200
VSP002N03MST-G
品牌: Vergiga(威兆)
封装: DFN-5(5.9x4.9)
描述:
场效应管(MOSFET) Vergiga(威兆) DFN-5(5.9x4.9)
2777
最小包:3000
起订量:1
增量:1
1+: ¥ 3.13
10+: ¥ 2.54
30+: ¥ 2.28
100+: ¥ 1.97
500+: ¥ 1.74
1000+: ¥ 1.65
合计总额: ¥ 3.1300
VSO025C03MC
品牌: Vergiga(威兆)
封装: SOP-8
描述:
场效应管(MOSFET) Vergiga(威兆) SOP-8
类型: -
漏源电压(Vdss): -
连续漏极电流(Id): -
功率(Pd): -
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): -
阈值电压(Vgs(th)@Id): -
栅极电荷(Qg@Vgs): -
输入电容(Ciss@Vds): -
反向传输电容(Crss@Vds): -
0
最小包:3000
起订量:1
增量:1
1+: ¥ 0.5937
10+: ¥ 0.579
30+: ¥ 0.5693
100+: ¥ 0.5595
合计总额: ¥ 0.5937
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