江苏韦达半导体有限公司是一家从事半导体分立器件研发、生产和销售的高新技术企业。公司初创就具有成熟的核心团队，并具备完善的技术创新能力、良好的市场源。公司主要投资方为上海韦尔半导体股份有限公司。
上海韦尔半导体股份有限公司（证券代码:603501）是一家以自主研发、销售服务为主体的半导体器件设计和销售公司，公司成立于2007年5月，总部坐落于有“中国硅谷”之称的上海张江高科技园区，在深圳、中国台湾、香港等地设立办事处。韦尔半导体业绩连续多年保持稳定增长，并逐步成为半导体器件厂商。
本公司成立于2018年，现注册资本为10000万元，位于江苏省扬州市甘泉生态科技园区，环境优美，伴随在美丽的山，水，田，园，林，花中，使人产生自然清新的感受，且交通便捷。另外政府已支持50亩土地作为公司二期生产基地。
类目： -
全部
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静电和浪涌保护(TVS/ESD)
-
触发二极管
-
浪涌保护器
-
肖特基二极管
-
三极管(BJT)
-
晶闸管(可控硅)/模块
-
场效应管(MOSFET)
封装： -
全部
-
TO-202-3
-
TO-220B
-
TO-220A
-
TO-220M
-
TO-252-4R
-
TO-202-B
-
TO-126
-
SOT-223-2L
-
SOT-23(TO-236)
-
SOT-23-3L
-
TO-92
-
SOT-223-4
-
TO-220F
-
SOT-223
-
SOP-8
-
SOT-23
-
SOT-23-3
-
TO-3P
-
SMB
-
SMC(DO-214AB)
-
SMA
-
SOT-89
-
DFN2510
-
DFN1006
-
DFN0603
-
TO-92-3
-
TO-263-3
-
TO-220
-
TO-263
-
TO-252
-
SOT-223-3L
漏源电压(Vdss)： 650V
连续漏极电流(Id)： 4A
5+： ¥ 0.72615
50+： ¥ 0.58125
150+： ¥ 0.51915
500+： ¥ 0.4416
2500+： ¥ 0.4071
5000+： ¥ 0.3864
漏源电压(Vdss)： 650V
连续漏极电流(Id)： 4A
5+： ¥ 0.631425
50+： ¥ 0.505425
150+： ¥ 0.451425
500+： ¥ 0.384
2500+： ¥ 0.354
4000+： ¥ 0.336
1+： ¥ 5.29
10+： ¥ 4.39
50+： ¥ 3.94
100+： ¥ 3.49
500+： ¥ 3.22
1000+： ¥ 3.08
1+： ¥ 3.17
10+： ¥ 2.63
50+： ¥ 2.36
100+： ¥ 2.1
500+： ¥ 1.94
1000+： ¥ 1.85
漏源电压(Vdss)： 30V
连续漏极电流(Id)： 3A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 48mΩ
功率(Pd)： 1.4W
10+： ¥ 0.2288
100+： ¥ 0.1848
300+： ¥ 0.1628
3000+： ¥ 0.1463
6000+： ¥ 0.1331
9000+： ¥ 0.1265
漏源电压(Vdss)： 30V
连续漏极电流(Id)： 4.2A
功率(Pd)： 1.2W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 55mΩ
680
最小包：3000
起订量：20
增量：20
20+： ¥ 0.113063
200+： ¥ 0.097875
600+： ¥ 0.089438
3000+： ¥ 0.084375
9000+： ¥ 0.079988
21000+： ¥ 0.077625
漏源电压(Vdss)： 30V
连续漏极电流(Id)： 5.8A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 35mΩ
功率(Pd)： 350mW
3000
最小包：3000
起订量：10
增量：10
10+： ¥ 0.169575
100+： ¥ 0.148575
300+： ¥ 0.138075
3000+： ¥ 0.1302
6000+： ¥ 0.1239
9000+： ¥ 0.12075
漏源电压(Vdss)： 20V
连续漏极电流(Id)： 2A
功率(Pd)： 350mW
3000
最小包：3000
起订量：20
增量：20
20+： ¥ 0.072863
200+： ¥ 0.063075
600+： ¥ 0.057638
3000+： ¥ 0.054375
9000+： ¥ 0.051548
21000+： ¥ 0.050025
集射极击穿电压(Vceo)： 400V
功率(Pd)： 2W
直流电流增益(hFE@Ic,Vce)： 50@10mA,10V
集电极电流(Ic)： 300mA
晶体管类型： NPN
1+： ¥ 0.9854
10+： ¥ 0.8594
30+： ¥ 0.8054
100+： ¥ 0.738
500+： ¥ 0.708
1000+： ¥ 0.69
5+： ¥ 0.7458
50+： ¥ 0.6513
150+： ¥ 0.6108
500+： ¥ 0.5603
2500+： ¥ 0.5378
4000+： ¥ 0.5243
1+： ¥ 3.02
10+： ¥ 2.48
50+： ¥ 2.21
100+： ¥ 1.94
500+： ¥ 1.78
门极触发电流(Igt)： 35mA
通态RMS电流(It(rms))： 12A
断态峰值电压(Vdrm)： 800V
浪涌电流(Itsm@f)： 120A
可控硅类型： 双向可控硅
14620
最小包：2500
起订量：5
增量：5
5+： ¥ 0.83655
50+： ¥ 0.68055
150+： ¥ 0.60255
500+： ¥ 0.54405
2500+： ¥ 0.49725
5000+： ¥ 0.47385
集电极截止电流(Icbo)： 100nA
集射极击穿电压(Vceo)： 25V
功率(Pd)： 1W
集电极电流(Ic)： 1.5A
特征频率(fT)： 100MHz
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)： 500mV@800mA,80mA
晶体管类型： NPN
工作温度： -55℃~+150℃@(Tj)
900
最小包：1000
起订量：50
增量：50
50+： ¥ 0.0164
500+： ¥ 0.0124
2000+： ¥ 0.0107
5000+： ¥ 0.0096
25000+： ¥ 0.0087
50000+： ¥ 0.0082
集电极截止电流(Icbo)： 100nA
集射极击穿电压(Vceo)： 45V
功率(Pd)： 1.3W
集电极电流(Ic)： 1A
特征频率(fT)： 130MHz
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)： 500mV@500mA,50mA
晶体管类型： NPN
工作温度： +150℃@(Tj)
760
最小包：1000
起订量：10
增量：10
10+： ¥ 0.0599
100+： ¥ 0.0484
300+： ¥ 0.0427
1000+： ¥ 0.0376
5000+： ¥ 0.0341
10000+： ¥ 0.0324
11480
最小包：10000
起订量：20
增量：20
20+： ¥ 0.0137
200+： ¥ 0.0121
600+： ¥ 0.0118
2000+： ¥ 0.0116
10+： ¥ 0.0433
100+： ¥ 0.035
300+： ¥ 0.0309
3000+： ¥ 0.0261
6000+： ¥ 0.0236
9000+： ¥ 0.0224
1900
最小包：10000
起订量：20
增量：20
20+： ¥ 0.0202
200+： ¥ 0.0162
600+： ¥ 0.0139
2000+： ¥ 0.0126
10000+： ¥ 0.0112
20000+： ¥ 0.0106
8850
最小包：10000
起订量：50
增量：50
50+： ¥ 0.0144
500+： ¥ 0.0116
1500+： ¥ 0.01
10000+： ¥ 0.0087
20000+： ¥ 0.0079
50000+： ¥ 0.0074
9000
最小包：10000
起订量：50
增量：50
50+： ¥ 0.0162
500+： ¥ 0.013
1500+： ¥ 0.0112
10000+： ¥ 0.0098
20000+： ¥ 0.0089
50000+： ¥ 0.0084
460
最小包：10000
起订量：20
增量：20
20+： ¥ 0.0324
200+： ¥ 0.026
600+： ¥ 0.0224
2000+： ¥ 0.0195
10000+： ¥ 0.0177
20000+： ¥ 0.0167
