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首页 品牌列表 WINSOK(微硕)

WINSOK(微硕)

网址：http://www.winsok.net/
微碩半導體專注于半導體封裝、測試，多年來緻力于電子元器件開發研究。企業于2000年成立，成爲東亞地區少數能夠提供“芯片測試、封裝設計、封裝測試、特訂産品”的企業，現已擁有地區、世界級企業技術中心、博士後科研工作站，是中国台灣重點高新技術企業、清潔環保型企業、高密度集成電路國家工程實驗室依托單位及全球半導體聯盟（GSA）成員。創新的産品和解決方案廣泛應用于汽車電子、電源管理、通信設備、工業設備、照明、便攜式産品、消費類電子與計算機3C産品等領域。企業一直秉承“客戶至上、團隊協作、坦誠守信”的理念，向顧客提供技術領先的有競争力的産品，提供周到的優質服務，不斷提高顧客滿意度；保持主業産品的品牌優勢，打造國際知名品牌
类目：
  • 全部
  • 预售阻容感
  • 电池管理
  • 场效应管(MOSFET)
封装：
  • 全部
  • TO-220FB-3L
  • DFN-8-8(3x3)
  • DFN-8(3.2x3.2)
  • PowerTDFN-8(3x3)
  • DFN-8(3.1x3.2)
  • DFN-A-8(3x3)
  • TO-263-6L
  • SOT-363
  • TO-220-3L
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  • TOLLA-8L
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  • TO-263-2L
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当前 “WINSOK(微硕)” 共500件相关型号
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参数

库存

价格梯度（含税价格）

数量

操作

WST6006
WST6006
类目： 场效应管(MOSFET)
品牌： WINSOK(微硕)
封装： SOT-323
描述：
场效应管(MOSFET) WINSOK(微硕) SOT-323 60V 115mA 20V 2.5pF 1个N沟道 17pF
漏源电压(Vdss)： 60V
连续漏极电流(Id)： 115mA
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： -
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 20V
反向传输电容(Crss@Vds)： 2.5pF
类型： 1个N沟道
输入电容(Ciss@Vds)： 17pF
39
最小包：3000
起订量：5
增量：5
5+： ¥ 0.406706
50+： ¥ 0.396857
150+： ¥ 0.39029
500+： ¥ 0.383724
合计总额： ¥ 2.0335
WST3429
WST3429
类目： 场效应管(MOSFET)
品牌： WINSOK(微硕)
封装： SOT-23-3L
描述：
场效应管(MOSFET) WINSOK(微硕) SOT-23-3L 20V 2.3A 150mΩ@4.5V,-2.3mA 8V 61pF 1个P沟道 357pF 5.6nC@0.7V
漏源电压(Vdss)： 20V
连续漏极电流(Id)： 2.3A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 150mΩ@4.5V,-2.3mA
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 8V
反向传输电容(Crss@Vds)： 61pF
类型： 1个P沟道
输入电容(Ciss@Vds)： 357pF
栅极电荷(Qg@Vgs)： 5.6nC@0.7V
12
最小包：3000
起订量：20
增量：20
20+： ¥ 0.100016
200+： ¥ 0.097712
600+： ¥ 0.096176
3000+： ¥ 0.09464
合计总额： ¥ 2.0003
WST3405
WST3405
类目： 场效应管(MOSFET)
品牌： WINSOK(微硕)
封装： SOT-23-3L
描述：
场效应管(MOSFET) WINSOK(微硕) SOT-23-3L
无
100
最小包：3000
起订量：10
增量：10
10+： ¥ 0.200458
100+： ¥ 0.196052
300+： ¥ 0.193114
合计总额： ¥ 2.0046
WST3400D
WST3400D
类目： 场效应管(MOSFET)
品牌： WINSOK(微硕)
封装： SOT-23N
描述：
场效应管(MOSFET) WINSOK(微硕) SOT-23N 20V 3.2A 45mΩ@4.5V,3.2mA 12V 33pF 1个N沟道 382pF 6.4nC@0.85V
漏源电压(Vdss)： 20V
连续漏极电流(Id)： 3.2A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 45mΩ@4.5V,3.2mA
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 12V
反向传输电容(Crss@Vds)： 33pF
类型： 1个N沟道
输入电容(Ciss@Vds)： 382pF
栅极电荷(Qg@Vgs)： 6.4nC@0.85V
0
最小包：3000
起订量：10
增量：10
10+： ¥ 0.27365
100+： ¥ 0.22165
300+： ¥ 0.19565
3000+： ¥ 0.17615
6000+： ¥ 0.16055
9000+： ¥ 0.15275
合计总额： ¥ 2.7365
WST2306
WST2306
类目： 场效应管(MOSFET)
品牌： WINSOK(微硕)
封装： SOT-23-3L
描述：
场效应管(MOSFET) WINSOK(微硕) SOT-23-3L 20V 6.2A 26mΩ@4.5V,6.2mA 12V 69pF 1个N沟道 854pF 9.5nC@0.78V
漏源电压(Vdss)： 20V
连续漏极电流(Id)： 6.2A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 26mΩ@4.5V,6.2mA
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 12V
反向传输电容(Crss@Vds)： 69pF
类型： 1个N沟道
输入电容(Ciss@Vds)： 854pF
栅极电荷(Qg@Vgs)： 9.5nC@0.78V
0
最小包：3000
起订量：5
增量：5
5+： ¥ 0.5894
50+： ¥ 0.4774
150+： ¥ 0.4214
500+： ¥ 0.3794
3000+： ¥ 0.3458
6000+： ¥ 0.329
合计总额： ¥ 2.9470
WST2038
WST2038
类目： 场效应管(MOSFET)
品牌： WINSOK(微硕)
封装： SOT-23-6L
描述：
场效应管(MOSFET) WINSOK(微硕) SOT-23-6L 20V 3A;2A 830mW 50mΩ@4.5V,3A;90mΩ@4.5V,2A 1V@250uA 1个N沟道+1个P沟道
漏源电压(Vdss)： 20V
连续漏极电流(Id)： 3A;2A
功率(Pd)： 830mW
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 50mΩ@4.5V,3A;90mΩ@4.5V,2A
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 1V@250uA
类型： 1个N沟道+1个P沟道
930
最小包：3000
起订量：5
增量：5
5+： ¥ 0.5001
50+： ¥ 0.488
150+： ¥ 0.48
500+： ¥ 0.4719
合计总额： ¥ 2.5005
WST2035
WST2035
类目： 场效应管(MOSFET)
品牌： WINSOK(微硕)
封装： SOT-23-6L
描述：
场效应管(MOSFET) WINSOK(微硕) SOT-23-6L 20V 4A 37mΩ@4.5V,-4mA 8V 160pF 1个P沟道 1.45nF 17.2nC@0.56V
漏源电压(Vdss)： 20V
连续漏极电流(Id)： 4A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 37mΩ@4.5V,-4mA
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 8V
反向传输电容(Crss@Vds)： 160pF
类型： 1个P沟道
输入电容(Ciss@Vds)： 1.45nF
栅极电荷(Qg@Vgs)： 17.2nC@0.56V
40
最小包：3000
起订量：5
增量：5
5+： ¥ 0.406706
50+： ¥ 0.396857
150+： ¥ 0.39029
500+： ¥ 0.383724
合计总额： ¥ 2.0335
WST2002
WST2002
类目： 场效应管(MOSFET)
品牌： WINSOK(微硕)
封装： SOT-723
描述：
场效应管(MOSFET) WINSOK(微硕) SOT-723 30V 600mA 20V 3pF 1个N沟道 25pF
漏源电压(Vdss)： 30V
连续漏极电流(Id)： 600mA
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： -
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 20V
反向传输电容(Crss@Vds)： 3pF
类型： 1个N沟道
输入电容(Ciss@Vds)： 25pF
30
最小包：6000
起订量：5
增量：5
5+： ¥ 0.314005
50+： ¥ 0.307006
150+： ¥ 0.302341
500+： ¥ 0.297675
合计总额： ¥ 1.5700
WST05P06
WST05P06
类目： 场效应管(MOSFET)
品牌： WINSOK(微硕)
封装： SOT-23-6L
描述：
场效应管(MOSFET) WINSOK(微硕) SOT-23-6L 60V 4.9A 80mΩ@4.5V,-4.9mA 20V 25pF 1个P沟道 430pF 11nC@0.8V
漏源电压(Vdss)： 60V
连续漏极电流(Id)： 4.9A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 80mΩ@4.5V,-4.9mA
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 20V
反向传输电容(Crss@Vds)： 25pF
类型： 1个P沟道
输入电容(Ciss@Vds)： 430pF
栅极电荷(Qg@Vgs)： 11nC@0.8V
3000
最小包：3000
起订量：5
增量：5
5+： ¥ 1.40337
50+： ¥ 1.13877
150+： ¥ 1.02537
500+： ¥ 0.88389
3000+： ¥ 0.82089
合计总额： ¥ 7.0168
WST02N30
WST02N30
类目： 场效应管(MOSFET)
品牌： WINSOK(微硕)
封装： SOT-23
描述：
场效应管(MOSFET) WINSOK(微硕) SOT-23 300V 2A 20V 5pF 1个N沟道 138pF
漏源电压(Vdss)： 300V
连续漏极电流(Id)： 2A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： -
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 20V
反向传输电容(Crss@Vds)： 5pF
类型： 1个N沟道
输入电容(Ciss@Vds)： 138pF
1225
最小包：3000
起订量：5
增量：5
5+： ¥ 1.3618
50+： ¥ 1.1098
150+： ¥ 1.0018
500+： ¥ 0.867
3000+： ¥ 0.735
6000+： ¥ 0.699
合计总额： ¥ 6.8090
WST02N20
WST02N20
类目： 场效应管(MOSFET)
品牌： WINSOK(微硕)
封装： SOT-23-6L
描述：
场效应管(MOSFET) WINSOK(微硕) SOT-23-6L 200V 1.2A 25V 8.5pF 1个N沟道 280pF
漏源电压(Vdss)： 200V
连续漏极电流(Id)： 1.2A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： -
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 25V
反向传输电容(Crss@Vds)： 8.5pF
类型： 1个N沟道
输入电容(Ciss@Vds)： 280pF
2825
最小包：3000
起订量：5
增量：5
5+： ¥ 1.1063
50+： ¥ 0.8963
150+： ¥ 0.8063
500+： ¥ 0.694
3000+： ¥ 0.6125
6000+： ¥ 0.5825
合计总额： ¥ 5.5315
WSR58P06
WSR58P06
类目： 场效应管(MOSFET)
品牌： WINSOK(微硕)
封装： TO-220
描述：
场效应管(MOSFET) WINSOK(微硕) TO-220 60V 45A 54W 30mΩ@10V,10A 3.5V@250uA 1个P沟道
漏源电压(Vdss)： 60V
连续漏极电流(Id)： 45A
功率(Pd)： 54W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 30mΩ@10V,10A
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 3.5V@250uA
类型： 1个P沟道
73
最小包：50
起订量：1
增量：1
1+： ¥ 3.312
10+： ¥ 2.727
50+： ¥ 2.439
100+： ¥ 2.142
500+： ¥ 1.971
1000+： ¥ 1.881
合计总额： ¥ 3.3120
WSR4086
WSR4086
类目： 场效应管(MOSFET)
品牌： WINSOK(微硕)
封装： TO-220-3L
描述：
场效应管(MOSFET) WINSOK(微硕) TO-220-3L
无
50
最小包：50
起订量：1
增量：1
1+： ¥ 1.404
10+： ¥ 1.368
50+： ¥ 1.35
合计总额： ¥ 1.4040
WSR2N65
WSR2N65
类目： 场效应管(MOSFET)
品牌： WINSOK(微硕)
封装： TO-220
描述：
场效应管(MOSFET) WINSOK(微硕) TO-220 650V 2A 30V 6pF 1个N沟道 310pF
漏源电压(Vdss)： 650V
连续漏极电流(Id)： 2A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： -
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 30V
反向传输电容(Crss@Vds)： 6pF
类型： 1个N沟道
输入电容(Ciss@Vds)： 310pF
0
最小包：50
起订量：1
增量：1
1+： ¥ 1.45
10+： ¥ 1.41
50+： ¥ 1.39
100+： ¥ 1.37
合计总额： ¥ 1.4500
WSR22N50F
WSR22N50F
类目： 场效应管(MOSFET)
品牌： WINSOK(微硕)
封装： TO-220F
描述：
场效应管(MOSFET) WINSOK(微硕) TO-220F 500V 20A 30V 25pF 1个N沟道 2.8nF
漏源电压(Vdss)： 500V
连续漏极电流(Id)： 20A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： -
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 30V
反向传输电容(Crss@Vds)： 25pF
类型： 1个N沟道
输入电容(Ciss@Vds)： 2.8nF
20
最小包：50
起订量：1
增量：1
1+： ¥ 5.14
10+： ¥ 5.01
50+： ¥ 4.93
100+： ¥ 4.85
合计总额： ¥ 5.1400
WSR20N60
WSR20N60
类目： 场效应管(MOSFET)
品牌： WINSOK(微硕)
封装： TO-220
描述：
场效应管(MOSFET) WINSOK(微硕) TO-220
无
48
最小包：50
起订量：1
增量：1
1+： ¥ 5.004
10+： ¥ 4.887
50+： ¥ 4.572
100+： ¥ 4.491
合计总额： ¥ 5.0040
WSR180N10
WSR180N10
类目： 场效应管(MOSFET)
品牌： WINSOK(微硕)
封装： TO-220AB
描述：
场效应管(MOSFET) WINSOK(微硕) TO-220AB
无
50
最小包：50
起订量：1
增量：1
1+： ¥ 5.859
10+： ¥ 5.724
50+： ¥ 5.382
100+： ¥ 5.292
合计总额： ¥ 5.8590
WSR180N15
WSR180N15
类目： 场效应管(MOSFET)
品牌： WINSOK(微硕)
封装： TO-220
描述：
场效应管(MOSFET) WINSOK(微硕) TO-220
无
8
最小包：50
起订量：1
增量：1
1+： ¥ 7.524
10+： ¥ 7.344
50+： ¥ 6.903
100+： ¥ 6.786
合计总额： ¥ 7.5240
WSR140N10
WSR140N10
类目： 场效应管(MOSFET)
品牌： WINSOK(微硕)
封装： TO-220AB
描述：
场效应管(MOSFET) WINSOK(微硕) TO-220AB
无
47
最小包：50
起订量：1
增量：1
1+： ¥ 4.626
10+： ¥ 4.509
50+： ¥ 4.437
100+： ¥ 4.365
合计总额： ¥ 4.6260
WSR110N20
WSR110N20
类目： 场效应管(MOSFET)
品牌： WINSOK(微硕)
封装： TO-220-3L
描述：
场效应管(MOSFET) WINSOK(微硕) TO-220-3L
无
50
最小包：50
起订量：1
增量：1
1+： ¥ 22.995
10+： ¥ 22.473
50+： ¥ 22.131
合计总额： ¥ 22.9950
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