东海半导体成立于2004年，是一家专业从事半导体功率器件的研发、设计、生产和销售的高新技术企业。
公司是国内率先量产沟槽型功率MOSFET、屏蔽栅功率MOSFET、超级结功率MOSFET、Trench FS-IGBT、超快恢复二极管五大产品平台的企业之一，也是国内MOSFET品类最齐全且产品技术领先的公司，产品电压已经覆盖了12V~1700V的全系列产品，封装外型包含了TO直插系列、贴片系列、模块系列，产品广泛应用于各种消费电子、工业电子、新能源、智能汽车、5G通信等领域，成为国内硅基大功率器件市场占有率排名前列的本土企业。
东海以创新为动力，不断开发新产品，已获得各项专利近百项，并通过了ISO90001质量体系认证、ISO140001环境管理体系认证和IATF16949质量管理体系认证。产品荣获无锡市知名商标及江苏省著名商标，是国家工商总局认定的守合同重信用企业。
公司将进一步依托技术、品牌、渠道等综合优势，结合大尺寸晶圆芯片（8英寸、12英寸）先进工艺技术，开拓国际先进功率器件封装制造技术，全力推进高端功率MOSFET、IGBT、SiC等第三代半导体、车规级、PIM模块的研发与产业化，提升公司核心产品竞争力和国内外市场地位。
封装： -
全部
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TO-251B
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TO-263
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TO-252B
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PDFN-8L(3x3)
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DFN-8L(5x6)
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TOLL
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TO-252
当前 “WXDH(东海半导体)”
共14件相关型号
漏源电压(Vdss)： 40V
连续漏极电流(Id)： 360A
功率(Pd)： 333W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 0.5mΩ@10V,100A
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 2.9V@250uA
反向传输电容(Crss@Vds)： 171pF@20V
类型： 1个N沟道
输入电容(Ciss@Vds)： 9.669nF@20V
栅极电荷(Qg@Vgs)： 118nC@10V
工作温度： -55℃~+175℃
1+： ¥ 5.73
10+： ¥ 5.6
30+： ¥ 5.52
100+： ¥ 5.43
漏源电压(Vdss)： 150V
连续漏极电流(Id)： 85A
功率(Pd)： 120W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 13mΩ@10V,50A
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 3.8V@250uA
反向传输电容(Crss@Vds)： 20pF@75V
类型： 1个N沟道
输入电容(Ciss@Vds)： 3.98nF@75V
栅极电荷(Qg@Vgs)： 54nC@10V
工作温度： -55℃~+150℃
1+： ¥ 2.69
10+： ¥ 2.64
30+： ¥ 2.6
100+： ¥ 2.57
漏源电压(Vdss)： 120V
连续漏极电流(Id)： 270A
功率(Pd)： 417W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 2.7mΩ@10V,60A
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 3V@250uA
反向传输电容(Crss@Vds)： 24pF@60V
类型： 1个N沟道
输入电容(Ciss@Vds)： 8.592nF@60V
栅极电荷(Qg@Vgs)： 105nC@10V
工作温度： -55℃~+150℃
1+： ¥ 4.8
10+： ¥ 4.69
30+： ¥ 4.62
100+： ¥ 4.55
漏源电压(Vdss)： 100V
连续漏极电流(Id)： 110A
功率(Pd)： 190W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 5.1mΩ@10V,70A
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 3V@250uA
反向传输电容(Crss@Vds)： 27pF@30V
类型： 1个N沟道
输入电容(Ciss@Vds)： 5.384nF@30V
栅极电荷(Qg@Vgs)： 74nC@10V
工作温度： -55℃~+175℃
1+： ¥ 2.45
10+： ¥ 2.4
30+： ¥ 2.37
100+： ¥ 2.34
漏源电压(Vdss)： 100V
连续漏极电流(Id)： 100A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 6.5mΩ@10V,50A
功率(Pd)： 172W
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 3V@250uA
反向传输电容(Crss@Vds)： 73pF@30V
类型： 1个N沟道
输入电容(Ciss@Vds)： 4.027nF@30V
栅极电荷(Qg@Vgs)： 53nC@10V
工作温度： -55℃~+175℃
1+： ¥ 1.78
10+： ¥ 1.74
30+： ¥ 1.72
100+： ¥ 1.69
漏源电压(Vdss)： 60V
连续漏极电流(Id)： 20A
功率(Pd)： 43W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 58.5mΩ@10V,10A
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 1.6V@250uA
反向传输电容(Crss@Vds)： 60pF@30V
类型： 1个P沟道
输入电容(Ciss@Vds)： 1.528nF@30V
栅极电荷(Qg@Vgs)： 28.2nC@10V
工作温度： -55℃~+175℃
5+： ¥ 1.5247
50+： ¥ 1.2349
150+： ¥ 1.1107
500+： ¥ 0.9557
2500+： ¥ 0.8453
5000+： ¥ 0.8039
漏源电压(Vdss)： 40V
连续漏极电流(Id)： 96A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 3.5mΩ@10V,50A
功率(Pd)： 105W
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 1.5V@250uA
反向传输电容(Crss@Vds)： 333pF@30V
类型： 1个N沟道
输入电容(Ciss@Vds)： 3.676nF@30V
栅极电荷(Qg@Vgs)： 87nC@10V
工作温度： -55℃~+175℃
1+： ¥ 1.0202
10+： ¥ 0.9972
30+： ¥ 0.9818
100+： ¥ 0.9664
漏源电压(Vdss)： 40V
连续漏极电流(Id)： 80A
功率(Pd)： 50W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 5.7mΩ@10V,30A
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 1.5V@250uA
反向传输电容(Crss@Vds)： 176pF@15V
类型： 1个N沟道
输入电容(Ciss@Vds)： 2.289nF@15V
栅极电荷(Qg@Vgs)： 52nC@10V
工作温度： -55℃~+175℃
5+： ¥ 0.7652
50+： ¥ 0.7479
150+： ¥ 0.7364
漏源电压(Vdss)： 60V
连续漏极电流(Id)： 115A
功率(Pd)： 172W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 4.1mΩ@10V,30A
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 3V@250uA
反向传输电容(Crss@Vds)： 270pF@30V
类型： 1个N沟道
输入电容(Ciss@Vds)： 4.8nF@30V
栅极电荷(Qg@Vgs)： 80nC@10V
工作温度： -55℃~+175℃
1+： ¥ 1.73
10+： ¥ 1.69
30+： ¥ 1.67
100+： ¥ 1.64
漏源电压(Vdss)： 30V
连续漏极电流(Id)： 54A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 5.5mΩ@10V,25A
功率(Pd)： 30W
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 1.5V@250uA
反向传输电容(Crss@Vds)： 137pF@15V
类型： 1个N沟道
输入电容(Ciss@Vds)： 1.2nF@15V
栅极电荷(Qg@Vgs)： 25.7nC@10V
工作温度： -55℃~+150℃
5+： ¥ 0.47921
50+： ¥ 0.468612
150+： ¥ 0.461546
500+： ¥ 0.45448
漏源电压(Vdss)： 30V
连续漏极电流(Id)： 120A
功率(Pd)： 104W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 2mΩ@10V,60A
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 1.5V@250uA
反向传输电容(Crss@Vds)： 440pF@15V
类型： 1个N沟道
输入电容(Ciss@Vds)： 3.795nF@15V
栅极电荷(Qg@Vgs)： 88nC@10V
工作温度： -55℃~+175℃
5+： ¥ 0.9819
50+： ¥ 0.9598
150+： ¥ 0.945
漏源电压(Vdss)： 30V
连续漏极电流(Id)： 96A
功率(Pd)： 96W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 3.1mΩ@10V,60A
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 1.5V@250uA
反向传输电容(Crss@Vds)： 293pF@15V
类型： 1个N沟道
输入电容(Ciss@Vds)： 2.531nF@15V
栅极电荷(Qg@Vgs)： 61nC@10V
工作温度： -55℃~+175℃
5+： ¥ 1.1621
50+： ¥ 0.9395
150+： ¥ 0.8441
500+： ¥ 0.7251
漏源电压(Vdss)： 30V
连续漏极电流(Id)： 65A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 3.4mΩ@10V,30A
功率(Pd)： 48W
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 1.5V@250uA
反向传输电容(Crss@Vds)： 237pF@15V
类型： 1个N沟道
输入电容(Ciss@Vds)： 2.248nF@15V
栅极电荷(Qg@Vgs)： 51nC@10V
工作温度： -55℃~+150℃
5+： ¥ 0.507858
50+： ¥ 0.496626
150+： ¥ 0.489138
500+： ¥ 0.48165
漏源电压(Vdss)： 200V
连续漏极电流(Id)： 18A
功率(Pd)： 100W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 120mΩ@10V,9A
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 3V@250uA
反向传输电容(Crss@Vds)： 16.4pF@25V
类型： 1个N沟道
输入电容(Ciss@Vds)： 1.136nF@25V
栅极电荷(Qg@Vgs)： 20.4nC@10V
工作温度： -55℃~+150℃
1+： ¥ 1.75
10+： ¥ 1.71
30+： ¥ 1.69
100+： ¥ 1.67
