"厦门芯达茂微电子有限公司坐落于厦门国家火炬高新园区，是一家从事半导体电源器件、集成电路、模块及电机驱动控制器的专业设计企业。
我们采用国内外先进的半导体制造、封装与组装代工技术，专注于开发直流无刷马达所需的关键零组件，包括各类的MOS管, IGBT, 闸极驱动IC, MOSFET/IGBT功率模块与驱动器, 功率范围从10W到100KW, 包含从家用到工业用的各类马达之应用， 如各种风扇、冰箱、空调到工具机、增氧机、水泵、慢速车等。
芯达茂微电子主要股东包括国企与国家基金，资金上无后顾之忧。经营与研发团队成员来自中国台湾与大陆的精英。不只在功率器件、集成电路与系统等技术领域学有专精，在生产、销售方面也有多年之经验。总计超过200年以上的产品开发与管理经验。配合集团自有之机电产业园需求，更可发挥产完整产业链之综效。
秉持诚信、品质与服务的三大公司信念，结合人力、技术、资金与产业链优势，芯达茂矢志提供市场最具竞争力的解决方案，也必是您最佳的合作伙伴。
类目： -
全部
-
栅极驱动芯片
-
碳化硅场效应管(MOSFET)
-
IGBT管/模块
-
场效应管(MOSFET)
封装： -
全部
-
-
LSOP-6
-
PDFN-8L(5x6)
-
TO-220F
-
TO-247-4
-
TO-247-3L
-
TO-247-3
-
TO-252-2L
-
TO-220F-3L
IGBT类型： IGBT模块
集射极击穿电压(Vces)： 1.2kV
集电极电流(Ic)： 75A
功率(Pd)： 357W
集射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Vge)： 1.65V@75A,15V
栅极阈值电压(Vge(th)@Ic)： 5.7V@5000uA
栅极电荷(Qg@Ic,Vge)： 9.5uC@50A.15V
输入电容(Cies@Vce)： -
开启延迟时间(Td(on))： 110ns
关断延迟时间(Td(off))： 270ns
导通损耗(Eon)： 1.9mJ
关断损耗(Eoff)： 4.8mJ
反向恢复时间(trr)： -
1+： ¥ 264
3+： ¥ 251.4
32+： ¥ 240.9
IGBT类型： IGBT模块
集射极击穿电压(Vces)： 1.2kV
集电极电流(Ic)： 50A
功率(Pd)： 108W
集射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Vge)： 2.07V@50A,15V
栅极阈值电压(Vge(th)@Ic)： 5.7V@1700uA
栅极电荷(Qg@Ic,Vge)： 140nC@25A,15V
输入电容(Cies@Vce)： 3.734nF@25V
开启延迟时间(Td(on))： 161ns
关断延迟时间(Td(off))： 337ns
导通损耗(Eon)： 6.1mJ
关断损耗(Eoff)： 3.2mJ
反向恢复时间(trr)： -
1+： ¥ 212.88
3+： ¥ 202.8
30+： ¥ 194.4
IGBT类型： IGBT模块
集射极击穿电压(Vces)： 1.2kV
集电极电流(Ic)： 40A
功率(Pd)： 193W
集射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Vge)： 1.83V@40A,15V
栅极阈值电压(Vge(th)@Ic)： 6.2V@2000uA
栅极电荷(Qg@Ic,Vge)： 980nC@40A,15V
输入电容(Cies@Vce)： -
开启延迟时间(Td(on))： 50ns
关断延迟时间(Td(off))： 200ns
导通损耗(Eon)： 2.64mJ
关断损耗(Eoff)： 1.87mJ
反向恢复时间(trr)： -
1+： ¥ 144.57
5+： ¥ 137.67
20+： ¥ 131.92
IGBT类型： IGBT模块
集射极击穿电压(Vces)： 1.2kV
集电极电流(Ic)： 35A
功率(Pd)： 172W
集射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Vge)： 2.1V@35A,15V
栅极阈值电压(Vge(th)@Ic)： 5.6V@1200uA
栅极电荷(Qg@Ic,Vge)： 1.8nC@30A,15V
输入电容(Cies@Vce)： 2.59nF@25V
开启延迟时间(Td(on))： 34ns
关断延迟时间(Td(off))： 230ns
导通损耗(Eon)： 2.5mJ
关断损耗(Eoff)： 2.5mJ
反向恢复时间(trr)： -
1+： ¥ 354
200+： ¥ 137
500+： ¥ 132.18
1000+： ¥ 129.8
IGBT类型： IGBT模块
集射极击穿电压(Vces)： 1.2kV
集电极电流(Ic)： 25A
功率(Pd)： 153W
集射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Vge)： 2.24V@25A,15V
栅极阈值电压(Vge(th)@Ic)： 5.5V@800uA
栅极电荷(Qg@Ic,Vge)： 1.2uC@25A,15V
输入电容(Cies@Vce)： 1.85nF@25V
开启延迟时间(Td(on))： 21ns
关断延迟时间(Td(off))： 196ns
导通损耗(Eon)： 1.62mJ
关断损耗(Eoff)： 2.83mJ
反向恢复时间(trr)： -
1+： ¥ 131.82
10+： ¥ 117.35
40+： ¥ 108.51
100+： ¥ 100.8
IGBT类型： IGBT模块
集射极击穿电压(Vces)： 1.2kV
集电极电流(Ic)： 15A
功率(Pd)： 130W
集射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Vge)： 2.1V@15A,15V
栅极阈值电压(Vge(th)@Ic)： 5.6V@480uA
栅极电荷(Qg@Ic,Vge)： 4.7uC@15A,15V
输入电容(Cies@Vce)： 990pF@25V
开启延迟时间(Td(on))： 38ns
关断延迟时间(Td(off))： 150ns
导通损耗(Eon)： 1.11mJ
关断损耗(Eoff)： 0.95mJ
反向恢复时间(trr)： -
1+： ¥ 84.06
10+： ¥ 77.29
24+： ¥ 71.59
96+： ¥ 66.629999
IGBT类型： IGBT模块
集射极击穿电压(Vces)： 1.2kV
集电极电流(Ic)： 15A
功率(Pd)： 130W
集射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Vge)： 2.1V@15A,15V
栅极阈值电压(Vge(th)@Ic)： 5.6V@480uA
栅极电荷(Qg@Ic,Vge)： 4.7uC@15A,15V
输入电容(Cies@Vce)： 990pF@25V
开启延迟时间(Td(on))： 38ns
关断延迟时间(Td(off))： 150ns
导通损耗(Eon)： 1.11mJ
关断损耗(Eoff)： 0.95mJ
反向恢复时间(trr)： -
1+： ¥ 89.83
10+： ¥ 85.73
32+： ¥ 78.62
96+： ¥ 72.42
1+： ¥ 4.059999
10+： ¥ 3.21
30+： ¥ 2.79
100+： ¥ 2.36
漏源电压(Vdss)： 80V
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 3mΩ
1+： ¥ 2.69
10+： ¥ 2.62
30+： ¥ 2.58
100+： ¥ 2.54
漏源电压(Vdss)： 650V
连续漏极电流(Id)： 7A
功率(Pd)： 36W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 500mΩ@10V,3.5A
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 3V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)： 13.6nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)： 462pF@50V
反向传输电容(Crss@Vds)： 11.7pF@50V
工作温度： -55℃~+150℃
1+： ¥ 3.47
10+： ¥ 2.87
50+： ¥ 2.48
100+： ¥ 2.18
500+： ¥ 2.01
1000+： ¥ 1.92
漏源电压(Vdss)： 650V
连续漏极电流(Id)： 11A
功率(Pd)： 133W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 3.3Ω@10V,5.5A
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 3V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)： 22nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)： 898pF@50V
反向传输电容(Crss@Vds)： 9.5pF@50V
工作温度： -55℃~+150℃
1+： ¥ 4.43
10+： ¥ 3.68
50+： ¥ 3.17
100+： ¥ 2.8
500+： ¥ 2.57
1000+： ¥ 2.46
Vds-漏源击穿电压： 1200V
Id-漏极电流(25℃)： 36A
Pd-功耗： 208W
1+： ¥ 59.19
10+： ¥ 51.11
30+： ¥ 46.18
90+： ¥ 42.05
IGBT类型： -
集射极击穿电压(Vces)： 650V
集电极电流(Ic)： 50A
功率(Pd)： 385W
集射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Vge)： 1.55V@50A,15V
栅极阈值电压(Vge(th)@Ic)： 4V@750uA
栅极电荷(Qg@Ic,Vge)： 115nC@50A,15V
输入电容(Cies@Vce)： 3.821nF@25V
开启延迟时间(Td(on))： 28ns
关断延迟时间(Td(off))： 177ns
导通损耗(Eon)： 0.83mJ
关断损耗(Eoff)： 1.58mJ
反向恢复时间(trr)： 117ns
1+： ¥ 18.51
10+： ¥ 15.74
30+： ¥ 14.09
90+： ¥ 12.42
IGBT类型： -
集射极击穿电压(Vces)： 1.2kV
集电极电流(Ic)： 40A
功率(Pd)： 277W
集射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Vge)： 2V@40A,15V
栅极阈值电压(Vge(th)@Ic)： 5.9V@1000uA
栅极电荷(Qg@Ic,Vge)： 2.1uC@40A,15V
输入电容(Cies@Vce)： 3nF@25V
开启延迟时间(Td(on))： 24ns
关断延迟时间(Td(off))： 168ns
导通损耗(Eon)： 2.8mJ
关断损耗(Eoff)： 0.8mJ
反向恢复时间(trr)： -
1+： ¥ 31.5
210+： ¥ 12.2
360+： ¥ 11.77
1080+： ¥ 11.55
Vds-漏源击穿电压： 1200V
Id-漏极电流(25℃)： 60A
Pd-功耗： 330W
1+： ¥ 180
210+： ¥ 69.66
510+： ¥ 67.21
1200+： ¥ 66
漏源电压(Vdss)： 500V
连续漏极电流(Id)： 28A
功率(Pd)： 85W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 200mΩ@10V,14A
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 3.1V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)： 73.3nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)： 4.454nF@25V
反向传输电容(Crss@Vds)： 43pF@25V
工作温度： -55℃~+150℃
1+： ¥ 7.53
10+： ¥ 6.17
30+： ¥ 5.41
90+： ¥ 4.56
IGBT类型： -
集射极击穿电压(Vces)： 1.2kV
集电极电流(Ic)： 15A
功率(Pd)： 245W
集射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Vge)： 2V@15A,15V
栅极阈值电压(Vge(th)@Ic)： 5.8V@480uA
栅极电荷(Qg@Ic,Vge)： 68nC@15A,15V
输入电容(Cies@Vce)： 903pF@25V
开启延迟时间(Td(on))： 36ns
关断延迟时间(Td(off))： 215ns
导通损耗(Eon)： 1.62mJ
关断损耗(Eoff)： 1.11mJ
反向恢复时间(trr)： 131.5ns
1+： ¥ 9.25
10+： ¥ 7.81
30+： ¥ 6.73
90+： ¥ 5.83
450+： ¥ 5.44
900+： ¥ 5.26
漏源电压(Vdss)： 650V
连续漏极电流(Id)： 12A
功率(Pd)： 42W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 620mΩ@10V,5A
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 3V@150uA
栅极电荷(Qg@Vgs)： 36.4nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)： 2.031nF@25V
反向传输电容(Crss@Vds)： 27pF@25V
工作温度： -55℃~+150℃
1+： ¥ 3
10+： ¥ 2.43
50+： ¥ 2.11
100+： ¥ 1.81
500+： ¥ 1.67
1000+： ¥ 1.59
类型： -
漏源电压(Vdss)： 650V
连续漏极电流(Id)： 7A
功率(Pd)： 35.2W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 1.1Ω@10V,3.5A
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 3V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)： 22.1nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)： 1.205nF@25V
反向传输电容(Crss@Vds)： 23pF@25V
工作温度： -55℃~+150℃
5+： ¥ 2.0207
50+： ¥ 1.5815
150+： ¥ 1.4168
500+： ¥ 1.2113
2000+： ¥ 1.1198
5000+： ¥ 1.0649
类型： -
漏源电压(Vdss)： 650V
连续漏极电流(Id)： 7A
功率(Pd)： 35.2W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 1.1Ω@10V,3.5A
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 3V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)： 22.1nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)： 1.205nF@25V
反向传输电容(Crss@Vds)： 23pF@25V
工作温度： -55℃~+150℃
5+： ¥ 0.9601
50+： ¥ 0.9386
150+： ¥ 0.9244
500+： ¥ 0.9101
