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首页 品牌列表 上海超致

上海超致

网址：http://www.supersemi.com.cn/
超致半导体是一家专注于高端高压功率半导体（Super-Junction MOSFET、IGBT）的集成电路产品设计公司（产品设计、测试、销售）。 公司成立于2013年初，注册资本：1000万人民币。由香港安联集团投资组建，公司凝聚了来自中日韩三国的资深功率半导体专家，目前员工总数15人，公司总部座落在有“中国硅谷”之称的上海张江高科技园，产品生产及封装测试均委托国内外知名半导体公司，如天水华天微电子、南通富士通。 目前公司已经成功地开发出媲美英飞凌第6代CoolMOS的超结MOS，产品种类覆盖从2A到47A，耐压500V/600V/650V/700V/800V的全系列。目前公司产品已经稳定应用到电源适配器、LED驱动、通信电源、音响电源、焊机电源、电动车充电器、电动车充电桩、风能太阳能逆变器、UPS电源、专用工业定制电源等各个AC/DC领域。
类目：
  • 全部
  • 场效应管(MOSFET)
封装：
  • 全部
  • TO-220F-3
  • TO-263-2
  • TO-220
  • TO-247-3
  • TO-252
  • SO-8
当前 “上海超致” 共21件相关型号
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SSP1991
SSP1991
类目： 场效应管(MOSFET)
品牌： 上海超致
封装： TO-220
描述：
场效应管(MOSFET) 上海超致 TO-220 1个N沟道 100V 120A 223W 3.8mΩ@10V,50A 3V@250uA 100nC@10V 6.75nF@40V 50pF@40V -55℃~+150℃@(Tj)
类型： 1个N沟道
漏源电压(Vdss)： 100V
连续漏极电流(Id)： 120A
功率(Pd)： 223W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 3.8mΩ@10V,50A
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 3V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)： 100nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)： 6.75nF@40V
反向传输电容(Crss@Vds)： 50pF@40V
工作温度： -55℃~+150℃@(Tj)
1
最小包：1000
起订量：1
增量：1
1+： ¥ 3.45
10+： ¥ 3.36
30+： ¥ 3.3
合计总额： ¥ 3.4500
SGO100N08L
SGO100N08L
类目： 场效应管(MOSFET)
品牌： 上海超致
封装： SO-8
描述：
场效应管(MOSFET) 上海超致 SO-8 1个N沟道 100V 14A 3.1W 6.8mΩ@10V,14A 2V@250uA 19nC@4.5V 2.57nF@50V 16pF@50V -55℃~+150℃@(Tj)
类型： 1个N沟道
漏源电压(Vdss)： 100V
连续漏极电流(Id)： 14A
功率(Pd)： 3.1W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 6.8mΩ@10V,14A
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 2V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)： 19nC@4.5V
输入电容(Ciss@Vds)： 2.57nF@50V
反向传输电容(Crss@Vds)： 16pF@50V
工作温度： -55℃~+150℃@(Tj)
0
最小包：2500
起订量：1
增量：1
1+： ¥ 1.38
10+： ¥ 1.35
30+： ¥ 1.32
100+： ¥ 1.3
合计总额： ¥ 1.3800
SSW50R140S
SSW50R140S
类目： 场效应管(MOSFET)
品牌： 上海超致
封装： TO-247-3
描述：
场效应管(MOSFET) 上海超致 TO-247-3
类型： -
漏源电压(Vdss)： -
连续漏极电流(Id)： -
功率(Pd)： -
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： -
阈值电压(Vgs(th)@Id)： -
栅极电荷(Qg@Vgs)： -
输入电容(Ciss@Vds)： -
反向传输电容(Crss@Vds)： -
4
最小包：330
起订量：1
增量：1
1+： ¥ 6.43
10+： ¥ 6.27
30+： ¥ 6.16
合计总额： ¥ 6.4300
SSW50R100SFD
SSW50R100SFD
类目： 场效应管(MOSFET)
品牌： 上海超致
封装： TO-247-3
描述：
场效应管(MOSFET) 上海超致 TO-247-3 1个N沟道 500V 33A 284W 90mΩ@10V,17A 5V@250uA 45nC@10V 2.1nF@25V 13pF@25V -55℃~+150℃@(Tj)
类型： 1个N沟道
漏源电压(Vdss)： 500V
连续漏极电流(Id)： 33A
功率(Pd)： 284W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 90mΩ@10V,17A
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 5V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)： 45nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)： 2.1nF@25V
反向传输电容(Crss@Vds)： 13pF@25V
工作温度： -55℃~+150℃@(Tj)
0
最小包：30
起订量：1
增量：1
1+： ¥ 17.42
10+： ¥ 14.96
30+： ¥ 13.42
90+： ¥ 11.85
450+： ¥ 11.13
900+： ¥ 10.83
合计总额： ¥ 17.4200
SST80R850S
SST80R850S
类目： 场效应管(MOSFET)
品牌： 上海超致
封装： TO-252
描述：
场效应管(MOSFET) 上海超致 TO-252 1个N沟道 800V 6.6A 63W 850mΩ@10V,3.5A 3.5V@250uA 9.5nC@10V 380pF@25V 9pF@25V -55℃~+150℃@(Tj)
类型： 1个N沟道
漏源电压(Vdss)： 800V
连续漏极电流(Id)： 6.6A
功率(Pd)： 63W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 850mΩ@10V,3.5A
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 3.5V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)： 9.5nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)： 380pF@25V
反向传输电容(Crss@Vds)： 9pF@25V
工作温度： -55℃~+150℃@(Tj)
0
最小包：2500
起订量：1
增量：1
1+： ¥ 3.09
10+： ¥ 3.01
30+： ¥ 2.96
100+： ¥ 2.91
合计总额： ¥ 3.0900
SST65R420S2
SST65R420S2
类目： 场效应管(MOSFET)
品牌： 上海超致
封装： TO-252
描述：
场效应管(MOSFET) 上海超致 TO-252 1个N沟道 650V 10.5A 96W 370mΩ@10V,5.5A 3V@250uA 19.5nC@10V 700pF@100v 0.4pF@100V -55℃~+150℃@(Tj)
类型： 1个N沟道
漏源电压(Vdss)： 650V
连续漏极电流(Id)： 10.5A
功率(Pd)： 96W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 370mΩ@10V,5.5A
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 3V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)： 19.5nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)： 700pF@100v
反向传输电容(Crss@Vds)： 0.4pF@100V
工作温度： -55℃~+150℃@(Tj)
2
最小包：2500
起订量：1
增量：1
1+： ¥ 2.95
10+： ¥ 2.88
30+： ¥ 2.84
合计总额： ¥ 2.9500
SSP80R850S
SSP80R850S
类目： 场效应管(MOSFET)
品牌： 上海超致
封装： TO-220
描述：
场效应管(MOSFET) 上海超致 TO-220
类型： -
漏源电压(Vdss)： -
连续漏极电流(Id)： -
功率(Pd)： -
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： -
阈值电压(Vgs(th)@Id)： -
栅极电荷(Qg@Vgs)： -
输入电容(Ciss@Vds)： -
反向传输电容(Crss@Vds)： -
50
最小包：1000
起订量：1
增量：1
1+： ¥ 3.38
10+： ¥ 3.31
30+： ¥ 3.26
合计总额： ¥ 3.3800
SSP65R190S2
SSP65R190S2
类目： 场效应管(MOSFET)
品牌： 上海超致
封装： TO-220
描述：
场效应管(MOSFET) 上海超致 TO-220
类型： -
漏源电压(Vdss)： -
连续漏极电流(Id)： -
功率(Pd)： -
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： -
阈值电压(Vgs(th)@Id)： -
栅极电荷(Qg@Vgs)： -
输入电容(Ciss@Vds)： -
反向传输电容(Crss@Vds)： -
1
最小包：1000
起订量：1
增量：1
1+： ¥ 5.78
10+： ¥ 5.66
30+： ¥ 5.58
合计总额： ¥ 5.7800
SSF80R380S
SSF80R380S
类目： 场效应管(MOSFET)
品牌： 上海超致
封装： TO-220F-3
描述：
场效应管(MOSFET) 上海超致 TO-220F-3
类型： -
漏源电压(Vdss)： -
连续漏极电流(Id)： -
功率(Pd)： -
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： -
阈值电压(Vgs(th)@Id)： -
栅极电荷(Qg@Vgs)： -
输入电容(Ciss@Vds)： -
反向传输电容(Crss@Vds)： -
9
最小包：1000
起订量：1
增量：1
1+： ¥ 4.94
10+： ¥ 4.81
30+： ¥ 4.73
合计总额： ¥ 4.9400
SSF80R850S
SSF80R850S
类目： 场效应管(MOSFET)
品牌： 上海超致
封装： TO-220F-3
描述：
场效应管(MOSFET) 上海超致 TO-220F-3
类型： -
漏源电压(Vdss)： -
连续漏极电流(Id)： -
功率(Pd)： -
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： -
阈值电压(Vgs(th)@Id)： -
栅极电荷(Qg@Vgs)： -
输入电容(Ciss@Vds)： -
反向传输电容(Crss@Vds)： -
4
最小包：1000
起订量：1
增量：1
1+： ¥ 3.59
10+： ¥ 3.52
30+： ¥ 3.47
合计总额： ¥ 3.5900
SSF80R500S
SSF80R500S
类目： 场效应管(MOSFET)
品牌： 上海超致
封装： TO-220F-3
描述：
场效应管(MOSFET) 上海超致 TO-220F-3 1个N沟道 800V 10.5A 31W 480mΩ@10V,5.5A 3.5V@250uA 13nC@10V 630pF@25V 11pF@25V -55℃~+150℃@(Tj)
类型： 1个N沟道
漏源电压(Vdss)： 800V
连续漏极电流(Id)： 10.5A
功率(Pd)： 31W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 480mΩ@10V,5.5A
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 3.5V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)： 13nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)： 630pF@25V
反向传输电容(Crss@Vds)： 11pF@25V
工作温度： -55℃~+150℃@(Tj)
20
最小包：40
起订量：1
增量：1
1+： ¥ 7.4307
10+： ¥ 5.6357
40+： ¥ 4.4822
合计总额： ¥ 7.4307
SSF80R1K3S
SSF80R1K3S
类目： 场效应管(MOSFET)
品牌： 上海超致
封装： TO-220F-3
描述：
场效应管(MOSFET) 上海超致 TO-220F-3
类型： -
漏源电压(Vdss)： -
连续漏极电流(Id)： -
功率(Pd)： -
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： -
阈值电压(Vgs(th)@Id)： -
栅极电荷(Qg@Vgs)： -
输入电容(Ciss@Vds)： -
反向传输电容(Crss@Vds)： -
30
最小包：1000
起订量：1
增量：1
1+： ¥ 2.6
10+： ¥ 2.55
30+： ¥ 2.51
合计总额： ¥ 2.6000
SSF70R650S2
SSF70R650S2
类目： 场效应管(MOSFET)
品牌： 上海超致
封装： TO-220F-3
描述：
场效应管(MOSFET) 上海超致 TO-220F-3 1个N沟道 700V 7.8A 30W 550mΩ@10V,3.5A 3V@250uA 13.6nC@10V 480pF@100V 1.1pF@100V -55℃~+150℃@(Tj)
类型： 1个N沟道
漏源电压(Vdss)： 700V
连续漏极电流(Id)： 7.8A
功率(Pd)： 30W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 550mΩ@10V,3.5A
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 3V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)： 13.6nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)： 480pF@100V
反向传输电容(Crss@Vds)： 1.1pF@100V
工作温度： -55℃~+150℃@(Tj)
2
最小包：1000
起订量：1
增量：1
1+： ¥ 3.34
10+： ¥ 2.73
30+： ¥ 2.42
合计总额： ¥ 3.3400
SSF65R650S2
SSF65R650S2
类目： 场效应管(MOSFET)
品牌： 上海超致
封装： TO-220F-3
描述：
场效应管(MOSFET) 上海超致 TO-220F-3 1个N沟道 650V 7.8A 30W 550mΩ@10V,3.5A 3V@250uA 13.6nC@10V 480pF@100V 1.1pF@100V -55℃~+150℃@(Tj)
类型： 1个N沟道
漏源电压(Vdss)： 650V
连续漏极电流(Id)： 7.8A
功率(Pd)： 30W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 550mΩ@10V,3.5A
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 3V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)： 13.6nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)： 480pF@100V
反向传输电容(Crss@Vds)： 1.1pF@100V
工作温度： -55℃~+150℃@(Tj)
132
最小包：50
起订量：1
增量：1
1+： ¥ 4.22
10+： ¥ 3.5
50+： ¥ 3.15
100+： ¥ 2.79
合计总额： ¥ 4.2200
SSF65R260S2
SSF65R260S2
类目： 场效应管(MOSFET)
品牌： 上海超致
封装： TO-220F-3
描述：
场效应管(MOSFET) 上海超致 TO-220F-3
类型： -
漏源电压(Vdss)： -
连续漏极电流(Id)： -
功率(Pd)： -
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： -
阈值电压(Vgs(th)@Id)： -
栅极电荷(Qg@Vgs)： -
输入电容(Ciss@Vds)： -
反向传输电容(Crss@Vds)： -
5
最小包：50
起订量：1
增量：1
1+： ¥ 6.74
10+： ¥ 5.69
50+： ¥ 5.12
合计总额： ¥ 6.7400
SSF60R260S2
SSF60R260S2
类目： 场效应管(MOSFET)
品牌： 上海超致
封装： TO-220F-3
描述：
场效应管(MOSFET) 上海超致 TO-220F-3 1个N沟道 600V 16A 32W 220mΩ@10V,8A 3V@250uA 28nC@10V 1.05nF@100V 1.1pF@100V -55℃~+150℃@(Tj)
类型： 1个N沟道
漏源电压(Vdss)： 600V
连续漏极电流(Id)： 16A
功率(Pd)： 32W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 220mΩ@10V,8A
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 3V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)： 28nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)： 1.05nF@100V
反向传输电容(Crss@Vds)： 1.1pF@100V
工作温度： -55℃~+150℃@(Tj)
45
最小包：50
起订量：1
增量：1
1+： ¥ 6.4
10+： ¥ 5.44
50+： ¥ 4.91
合计总额： ¥ 6.4000
SSF60R190S2
SSF60R190S2
类目： 场效应管(MOSFET)
品牌： 上海超致
封装： TO-220F-3
描述：
场效应管(MOSFET) 上海超致 TO-220F-3 1个N沟道 600V 20A 34W 160mΩ@10V,10A 3V@250uA 36.5nC@10V 1.505nF@100V 2.1pF@100V -55℃~+150℃@(Tj)
类型： 1个N沟道
漏源电压(Vdss)： 600V
连续漏极电流(Id)： 20A
功率(Pd)： 34W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 160mΩ@10V,10A
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 3V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)： 36.5nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)： 1.505nF@100V
反向传输电容(Crss@Vds)： 2.1pF@100V
工作温度： -55℃~+150℃@(Tj)
27
最小包：50
起订量：1
增量：1
1+： ¥ 7.9705
10+： ¥ 6.0605
50+： ¥ 4.83
合计总额： ¥ 7.9705
SSF50R240S
SSF50R240S
类目： 场效应管(MOSFET)
品牌： 上海超致
封装： TO-220F-3
描述：
场效应管(MOSFET) 上海超致 TO-220F-3 1个N沟道 500V 18A 34W 210mΩ@10V,9A 4.5V@250uA 21nC@10V 800pF@25V 10pF@25V -55℃~+150℃@(Tj)
类型： 1个N沟道
漏源电压(Vdss)： 500V
连续漏极电流(Id)： 18A
功率(Pd)： 34W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 210mΩ@10V,9A
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 4.5V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)： 21nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)： 800pF@25V
反向传输电容(Crss@Vds)： 10pF@25V
工作温度： -55℃~+150℃@(Tj)
25
最小包：50
起订量：1
增量：1
1+： ¥ 6.831
10+： ¥ 5.2154
50+： ¥ 4.1791
合计总额： ¥ 6.8310
SSB80R380S
SSB80R380S
类目： 场效应管(MOSFET)
品牌： 上海超致
封装： TO-263-2
描述：
场效应管(MOSFET) 上海超致 TO-263-2 1个N沟道 800V 13.6A 104W 360mΩ@10V,7.5A 3.5V@250uA 17.5nC@10V 800pF@25V 15pF@25V -55℃~+150℃@(Tj)
类型： 1个N沟道
漏源电压(Vdss)： 800V
连续漏极电流(Id)： 13.6A
功率(Pd)： 104W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 360mΩ@10V,7.5A
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 3.5V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)： 17.5nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)： 800pF@25V
反向传输电容(Crss@Vds)： 15pF@25V
工作温度： -55℃~+150℃@(Tj)
8
最小包：1000
起订量：1
增量：1
1+： ¥ 6.39
10+： ¥ 6.24
30+： ¥ 6.15
合计总额： ¥ 6.3900
SSB80R240S
SSB80R240S
类目： 场效应管(MOSFET)
品牌： 上海超致
封装： TO-263-2
描述：
场效应管(MOSFET) 上海超致 TO-263-2 1个N沟道 800V 18.4A 151W 220mΩ@10V,9A 3.5V@250uA 27.5nC@10V 1.29nF@25V 22pF@25V -55℃~+150℃@(Tj)
类型： 1个N沟道
漏源电压(Vdss)： 800V
连续漏极电流(Id)： 18.4A
功率(Pd)： 151W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 220mΩ@10V,9A
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 3.5V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)： 27.5nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)： 1.29nF@25V
反向传输电容(Crss@Vds)： 22pF@25V
工作温度： -55℃~+150℃@(Tj)
0
最小包：50
起订量：1
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