无锡华润华晶微电子有限公司，是华润微电子旗下负责功率半导体器件业务的国家重点高新技术企业，中国半导体协会分立器件分会副理事长单位，生产国内著名的“华晶”牌分立器件。
类目： -
全部
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LED驱动
-
IGBT管/模块
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晶体管输出光耦
-
RF调制器和解调器
-
DC-DC电源芯片
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监控和复位芯片
-
肖特基二极管
-
音频功率放大器
-
三极管(BJT)
-
特殊功能放大器
-
射频低噪声放大器
-
场效应管(MOSFET)
封装： -
全部
-
DIP-7
-
TO-247-3
-
TO-262-3
-
SMD-4P
-
DIP-4
-
FZIP-25
-
FZIP5
-
SOP-16
-
TO-3P
-
SIP-8
-
SOP-8
-
TO-220-3
-
TO-3PN
-
TO-92-Forming1
-
TO-126
-
TO-263-2
-
TO-220AB-3
-
TO-220
-
TO-220F-3
-
TO-252
-
TO-252-2(DPAK)
-
Plugin
-
FZIP25
-
FZIP15
-
HDIP-12
-
TO-220-15(Forming)
-
FSIP-14
-
HZIP15
-
DIP-18
-
TO-220-5(Forming)
-
TO-92
-
TO-220-7(Forming)
-
DIP-8
-
TO-220F
-
TO-251
1+： ¥ 1.2852
200+： ¥ 0.5129
500+： ¥ 0.4957
1000+： ¥ 0.4872
1+： ¥ 2.26
10+： ¥ 1.99
50+： ¥ 1.85
100+： ¥ 1.72
500+： ¥ 1.64
5+： ¥ 0.494675
50+： ¥ 0.400675
150+： ¥ 0.353675
500+： ¥ 0.318425
2500+： ¥ 0.290225
1+： ¥ 4.77
10+： ¥ 4.66
34+： ¥ 4.58
1+： ¥ 4.19
10+： ¥ 3.45
30+： ¥ 3.08
100+： ¥ 2.71
5+： ¥ 1.4089
50+： ¥ 1.1317
150+： ¥ 1.0129
500+： ¥ 0.8646
2500+： ¥ 0.7986
5000+： ¥ 0.759
漏源电压(Vdss)： 650V
连续漏极电流(Id)： 4A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 2Ω@10V,2A
功率(Pd)： 75W
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 4V@250uA
反向传输电容(Crss@Vds)： 8.5pF@25V
类型： N沟道
输入电容(Ciss@Vds)： 544pF@25V
栅极电荷(Qg@Vgs)： 14.5nC@10V
工作温度： +150℃@(Tj)
1+： ¥ 0.2481
10+： ¥ 0.2013
30+： ¥ 0.1813
100+： ¥ 0.1563
500+： ¥ 0.1385
1000+： ¥ 0.1318
接收端电压： 80V
隔离电压(rms)： 5kV
工作温度： -55℃~+110℃
输出电流： 50mA
下降时间： 18us@2mA,100Ω
上升时间： 18us@2mA,100Ω
集射极饱和电压(Vce(sat)@Ic,IF)： 100mV@1mA,20mA
输出通道数： 1
反向电压： 6V
正向电压： 1.2V
输出类型： 光电三极管
输入电压类型： DC
10+： ¥ 0.0557
100+： ¥ 0.0462
300+： ¥ 0.0414
1000+： ¥ 0.0378
5000+： ¥ 0.035
10000+： ¥ 0.0335
接收端电压： 80V
隔离电压(rms)： 5kV
工作温度： -55℃~+110℃
输出电流： 50mA
下降时间： 18us@2mA,100Ω
上升时间： 18us@2mA,100Ω
集射极饱和电压(Vce(sat)@Ic,IF)： 100mV@1mA,20mA
输出通道数： 1
反向电压： 6V
正向电压： 1.2V
输出类型： 光电三极管
输入电压类型： DC
10+： ¥ 0.0598
100+： ¥ 0.0503
300+： ¥ 0.0455
1000+： ¥ 0.0419
5000+： ¥ 0.0391
10000+： ¥ 0.0377
集电极截止电流(Icbo)： 100uA
集射极击穿电压(Vceo)： 400V
功率(Pd)： 50W
直流电流增益(hFE@Ic,Vce)： 15@1A,5V
集电极电流(Ic)： 4A
特征频率(fT)： 5MHz
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)： 250mV@2A,500mA
晶体管类型： NPN(集电极发射极结二极管)
工作温度： +150℃@(Tj)
1+： ¥ 0.3474
10+： ¥ 0.2819
30+： ¥ 0.2538
100+： ¥ 0.2188
500+： ¥ 0.2032
1000+： ¥ 0.1938
漏源电压(Vdss)： 400V
连续漏极电流(Id)： 10A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 360mΩ@10V,5A
功率(Pd)： 120W
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 4V@250uA
反向传输电容(Crss@Vds)： 21pF@25V
类型： N沟道
输入电容(Ciss@Vds)： 1.254nF@25V
栅极电荷(Qg@Vgs)： 28nC@10V
工作温度： +150℃@(Tj)
1+： ¥ 0.6682
10+： ¥ 0.5648
30+： ¥ 0.5139
100+： ¥ 0.4614
500+： ¥ 0.4312
1000+： ¥ 0.4153
漏源电压(Vdss)： -
连续漏极电流(Id)： -
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： -
功率(Pd)： -
阈值电压(Vgs(th)@Id)： -
反向传输电容(Crss@Vds)： -
类型： -
输入电容(Ciss@Vds)： -
栅极电荷(Qg@Vgs)： -
1+： ¥ 0.5569
10+： ¥ 0.4582
30+： ¥ 0.4169
100+： ¥ 0.3644
500+： ¥ 0.3405
1000+： ¥ 0.3262
漏源电压(Vdss)： 700V
连续漏极电流(Id)： 4A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 2.55Ω@10V,2A
功率(Pd)： 30W
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 4V@250uA
反向传输电容(Crss@Vds)： 2.7pF@25V
类型： N沟道
输入电容(Ciss@Vds)： 606pF@25V
栅极电荷(Qg@Vgs)： 12.7nC@10V
工作温度： +150℃@(Tj)
1+： ¥ 0.4264
10+： ¥ 0.3548
50+： ¥ 0.3246
100+： ¥ 0.2848
500+： ¥ 0.2689
1000+： ¥ 0.257799
漏源电压(Vdss)： 600V
连续漏极电流(Id)： 8A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 800mΩ@10V,4A
功率(Pd)： 110W
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 4V@250uA
反向传输电容(Crss@Vds)： 15pF@25V
类型： N沟道
输入电容(Ciss@Vds)： 1.253nF@25V
栅极电荷(Qg@Vgs)： 29nC@10V
工作温度： +150℃@(Tj)
1+： ¥ 0.5728
10+： ¥ 0.4741
50+： ¥ 0.4264
100+： ¥ 0.3771
500+： ¥ 0.3485
1000+： ¥ 0.3341
漏源电压(Vdss)： -
连续漏极电流(Id)： -
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： -
功率(Pd)： -
阈值电压(Vgs(th)@Id)： -
反向传输电容(Crss@Vds)： -
类型： -
输入电容(Ciss@Vds)： -
栅极电荷(Qg@Vgs)： -
1+： ¥ 0.2013
10+： ¥ 0.1634
30+： ¥ 0.1471
100+： ¥ 0.1268
500+： ¥ 0.1178
1000+： ¥ 0.107
漏源电压(Vdss)： 650V
连续漏极电流(Id)： 10A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 900mΩ@10V,3.5A
功率(Pd)： 110W
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 4V@250uA
反向传输电容(Crss@Vds)： 7.4pF@25V
类型： N沟道
输入电容(Ciss@Vds)： 1.42nF@25V
栅极电荷(Qg@Vgs)： 21.3nC@10V
工作温度： +150℃@(Tj)
1+： ¥ 0.5537
10+： ¥ 0.455
30+： ¥ 0.4137
100+： ¥ 0.3612
500+： ¥ 0.3389
1000+： ¥ 0.3246
漏源电压(Vdss)： -
连续漏极电流(Id)： -
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： -
功率(Pd)： -
阈值电压(Vgs(th)@Id)： -
反向传输电容(Crss@Vds)： -
类型： -
输入电容(Ciss@Vds)： -
栅极电荷(Qg@Vgs)： -
1+： ¥ 0.2721
200+： ¥ 0.1053
500+： ¥ 0.1016
1000+： ¥ 0.0998
漏源电压(Vdss)： -
连续漏极电流(Id)： -
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： -
功率(Pd)： -
阈值电压(Vgs(th)@Id)： -
反向传输电容(Crss@Vds)： -
类型： -
输入电容(Ciss@Vds)： -
栅极电荷(Qg@Vgs)： -
1+： ¥ 0.5553
10+： ¥ 0.4614
30+： ¥ 0.4137
100+： ¥ 0.366
500+： ¥ 0.3389
1000+： ¥ 0.3246
漏源电压(Vdss)： -
连续漏极电流(Id)： -
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： -
功率(Pd)： -
阈值电压(Vgs(th)@Id)： -
反向传输电容(Crss@Vds)： -
类型： -
输入电容(Ciss@Vds)： -
栅极电荷(Qg@Vgs)： -
1+： ¥ 0.1471
10+： ¥ 0.1184
30+： ¥ 0.1061
100+： ¥ 0.0907
500+： ¥ 0.0839
1000+： ¥ 0.0798
