华微电子拥有4英寸、5英寸与6英寸等多条功率半导体分立器件及IC芯片生产线，芯片加工能力为每年330万片，封装资源为24亿只/年。公司在终端设计、工艺制造和产品设计方面拥有多项专利，各系列产品采用IGBT、MOS、双极技术及集成电路等核心制造技术，公司主要生产功率半导体器件及IC，应用于汽车电子、电力电子、光伏逆变、工业控制与LED照明等领域。目前公司已形成IGBT、VDMOS、FRED、SBD、BJT、IPM等为营销主线的系列产品，成为功率半导体器件领域为客户提供解决方案的制造商、LED照明解决方案提供商。
类目： -
全部
-
智能功率模块(IPM)
-
IGBT管/模块
-
晶闸管(可控硅)/模块
-
三极管(BJT)
-
快恢复/高效率二极管
-
肖特基二极管
-
场效应管(MOSFET)
封装： -
全部
-
TO-92
-
DIP-25
-
SOP23-FP
-
IPAK
-
TO-263-3
-
TO-3PB
-
DAPK
-
TO-252-3
-
-
-
TO-220HF
-
TO-263
-
TO-247-3
-
TO-252
-
TO-220MF
-
TO-251
-
TO-262
-
TO-92-3
-
ITO-220AB-3
-
TO-126
-
TO-247-2
-
TO-3P
-
TO-220-2
-
TO-277A
-
SMB(DO-214AA)
-
SMA
-
DPAKM
-
DO-201AD
-
TO-220F-3
-
TO-220
-
TO-220C
1+： ¥ 81.92
10+： ¥ 78.8
24+： ¥ 73.4
96+： ¥ 68.69
1+： ¥ 34.09
10+： ¥ 33.28
24+： ¥ 32.74
1+： ¥ 32.119999
10+： ¥ 31.43
24+： ¥ 30.97
96+： ¥ 30.5
1+： ¥ 15.33
10+： ¥ 14.98
60+： ¥ 14.75
120+： ¥ 14.52
1+： ¥ 9.84
10+： ¥ 9.61
24+： ¥ 9.45
120+： ¥ 9.3
1+： ¥ 22.5
10+： ¥ 19.6
30+： ¥ 17.88
1+： ¥ 19.04
10+： ¥ 16.579999
30+： ¥ 15.12
105+： ¥ 13.64
495+： ¥ 12.96
1005+： ¥ 12.65
1+： ¥ 18.44
10+： ¥ 16.059999
30+： ¥ 14.56
105+： ¥ 13.04
495+： ¥ 12.35
1005+： ¥ 12.05
1+： ¥ 5.39
10+： ¥ 4.87
50+： ¥ 4.58
100+： ¥ 4.26
1+： ¥ 0.5839
10+： ¥ 0.5219
30+： ¥ 0.5123
100+： ¥ 0.498
1930
最小包：2000
起订量：10
增量：10
10+： ¥ 0.0683
100+： ¥ 0.0559
300+： ¥ 0.0496
2000+： ¥ 0.0431
4000+： ¥ 0.0393
10000+： ¥ 0.0375
漏源电压(Vdss)： -
连续漏极电流(Id)： -
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： -
功率(Pd)： -
阈值电压(Vgs(th)@Id)： -
反向传输电容(Crss@Vds)： -
类型： -
输入电容(Ciss@Vds)： -
栅极电荷(Qg@Vgs)： -
1+： ¥ 0.7589
10+： ¥ 0.6348
30+： ¥ 0.5728
100+： ¥ 0.5107
500+： ¥ 0.4741
1000+： ¥ 0.455
漏源电压(Vdss)： 800V
连续漏极电流(Id)： 4A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 1.9Ω@10V,2A
功率(Pd)： 38.2W
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 4V@250uA
反向传输电容(Crss@Vds)： 8.8pF@25V
类型： N沟道
输入电容(Ciss@Vds)： 675pF@25V
栅极电荷(Qg@Vgs)： 29.5nC@10V
工作温度： -55℃~+150℃@(Tj)
1+： ¥ 0.4885
10+： ¥ 0.401
30+： ¥ 0.3628
100+： ¥ 0.3166
500+： ¥ 0.296
1000+： ¥ 0.2832
漏源电压(Vdss)： 900V
连续漏极电流(Id)： 9A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 1.18Ω@10V,4.5A
功率(Pd)： 36W
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 5V@250uA
反向传输电容(Crss@Vds)： 13pF@25V
类型： N沟道
输入电容(Ciss@Vds)： 2.15nF@25V
栅极电荷(Qg@Vgs)： 43nC@10V
工作温度： -55℃~+150℃@(Tj)
1+： ¥ 0.9641
10+： ¥ 0.8114
50+： ¥ 0.7335
100+： ¥ 0.6587
500+： ¥ 0.5473
1000+： ¥ 0.525
正向压降(Vf)： 1.1V@30A
反向电流(Ir)： 10uA@300V
反向恢复时间(trr)： 30ns
二极管配置： 1对共阴极
平均整流电流(Io)： 30A
工作温度： -50℃~+150℃@(Tj)
直流反向耐压(Vr)： 300V
1+： ¥ 1.05
10+： ¥ 0.9053
30+： ¥ 0.8257
90+： ¥ 0.735
510+： ¥ 0.6953
900+： ¥ 0.6778
漏源电压(Vdss)： 600V
连续漏极电流(Id)： 10A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 650mΩ@10V,5A
功率(Pd)： 40W
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 4V@250uA
反向传输电容(Crss@Vds)： 16.9pF@25V
类型： N沟道
输入电容(Ciss@Vds)： 1.435nF@25V
栅极电荷(Qg@Vgs)： 51.5nC@10V
工作温度： -55℃~+150℃@(Tj)
1+： ¥ 0.5203
10+： ¥ 0.4264
50+： ¥ 0.3866
100+： ¥ 0.3373
500+： ¥ 0.315
1000+： ¥ 0.3007
反向电流(Ir)： 30uA@45V
直流反向耐压(Vr)： 45V
二极管配置： 1对共阴极
平均整流电流(Io)： 15A
正向压降(Vf)： 580mV@15A
1+： ¥ 0.4391
10+： ¥ 0.3596
30+： ¥ 0.3246
100+： ¥ 0.2816
500+： ¥ 0.2641
1000+： ¥ 0.2514
漏源电压(Vdss)： 200V
连续漏极电流(Id)： 9A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 340mΩ@10V,4.5A
功率(Pd)： 48W
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 4V@250uA
反向传输电容(Crss@Vds)： 22pF@25V
类型： N沟道
输入电容(Ciss@Vds)： 550pF@25V
栅极电荷(Qg@Vgs)： 22nC@10V
工作温度： -55℃~+150℃@(Tj)
1+： ¥ 0.3246
200+： ¥ 0.1256
500+： ¥ 0.1212
1000+： ¥ 0.119
漏源电压(Vdss)： 600V
连续漏极电流(Id)： 1.9A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 3.8Ω@10V,1A
功率(Pd)： 44W
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 4V@250uA
反向传输电容(Crss@Vds)： 3.1pF@25V
类型： N沟道
输入电容(Ciss@Vds)： 312pF@25V
栅极电荷(Qg@Vgs)： 8.1nC@10V
工作温度： -55℃~+150℃@(Tj)
1+： ¥ 0.1971
10+： ¥ 0.1618
30+： ¥ 0.1467
100+： ¥ 0.1279
500+： ¥ 0.1195
1000+： ¥ 0.1144
漏源电压(Vdss)： -
连续漏极电流(Id)： -
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： -
功率(Pd)： -
阈值电压(Vgs(th)@Id)： -
反向传输电容(Crss@Vds)： -
类型： -
输入电容(Ciss@Vds)： -
栅极电荷(Qg@Vgs)： -
1+： ¥ 0.338
10+： ¥ 0.2743
30+： ¥ 0.2469
100+： ¥ 0.2129
500+： ¥ 0.1977
1000+： ¥ 0.1886
