珠海市宏迦橙科技有限公司是一家专业从事半导体产品研发、设计和销售的企业。公司主营产品包含整流桥、二极管、三极管、保护器件、MOSFET和小信号。各类产品满足消费类市场和工业类市场的需求，为客户提供丰富的产品选择。
公司汇集了大量经验丰富的专业人才，具备优秀的技术能力和丰富的产品开发经验，为客户提供专业的售前和售后服务。公司以“品质打响品牌，精工成就精彩”的严谨态度管理产品，用优质的产品经营品牌，致力于以最优质的品质与服务打造国产半导体品牌。
随着国内市场发展，宏迦橙紧跟半导体国产化趋势，秉承以客户的需求为导向，持续推动中国元器件全球化。
类目： -
全部
-
肖特基二极管
-
静电和浪涌保护(TVS/ESD)
-
三极管(BJT)
-
场效应管(MOSFET)
封装： -
全部
-
SMB
-
SOD-123FL
-
SOT-363
-
SOT-143
-
DFN2510-10L
-
DFN1006-3L
-
SOT-23-6L
-
DFN0603-2L
-
SOD-523
-
DFN1006-2L
-
SOD-323
-
DFN2020-3L
-
DFN1610-2L
-
SOT-89
-
SOT-23
漏源电压(Vdss)： 20V
连续漏极电流(Id)： 4A
功率(Pd)： 1.5W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 43mΩ@4.5V,4A
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 900mV@250uA
反向传输电容(Crss@Vds)： 115pF@10V
类型： 1个P沟道
输入电容(Ciss@Vds)： 905pF@10V
栅极电荷(Qg@Vgs)： 11nC@4.5V
工作温度： -55℃~+150℃
6080
最小包：3000
起订量：20
增量：20
20+： ¥ 0.12432
200+： ¥ 0.12144
600+： ¥ 0.11952
2000+： ¥ 0.1176
漏源电压(Vdss)： 20V
连续漏极电流(Id)： 6.5A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 22mΩ@4.5V,6.5A
功率(Pd)： 1.3W
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 620mV@250uA
反向传输电容(Crss@Vds)： 120pF@10V
类型： 1个N沟道
输入电容(Ciss@Vds)： 890pF@10V
栅极电荷(Qg@Vgs)： 11nC@4.5V
工作温度： -55℃~+150℃
12150
最小包：3000
起订量：10
增量：10
10+： ¥ 0.268232
100+： ¥ 0.21566
300+： ¥ 0.189374
1000+： ¥ 0.169659
5000+： ¥ 0.153887
10000+： ¥ 0.146002
漏源电压(Vdss)： 20V
连续漏极电流(Id)： 5.6A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 42mΩ@4.5V,5A
功率(Pd)： 1.3W
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 620mV@250uA
反向传输电容(Crss@Vds)： 88pF@0V
类型： 1个P沟道
输入电容(Ciss@Vds)： 1.18nF@0V
栅极电荷(Qg@Vgs)： 11nC@4.5V
工作温度： -55℃~+150℃
15139
最小包：3000
起订量：10
增量：10
10+： ¥ 0.216067
100+： ¥ 0.173715
300+： ¥ 0.152539
1000+： ¥ 0.136657
5000+： ¥ 0.123951
10000+： ¥ 0.117598
漏源电压(Vdss)： 30V
连续漏极电流(Id)： 4.1A
功率(Pd)： 1.2W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 55mΩ@10V,4.1A
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 2.4V@250uA
反向传输电容(Crss@Vds)： 70pF@0V
类型： 1个P沟道
输入电容(Ciss@Vds)： 572pF@0V
栅极电荷(Qg@Vgs)： 12nC@10V
工作温度： -55℃~+150℃
12129
最小包：3000
起订量：10
增量：10
10+： ¥ 0.220069
100+： ¥ 0.178277
300+： ¥ 0.157381
1000+： ¥ 0.141709
5000+： ¥ 0.129172
10000+： ¥ 0.122903
漏源电压(Vdss)： 30V
连续漏极电流(Id)： 2.5A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 50mΩ@10V,2.5A
功率(Pd)： 1W
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 1.5V@250uA
反向传输电容(Crss@Vds)： 41pF@0V
类型： 1个N沟道
输入电容(Ciss@Vds)： 390pF@0V
栅极电荷(Qg@Vgs)： 5nC@10V
工作温度： -55℃~+150℃
12148
最小包：3000
起订量：20
增量：20
20+： ¥ 0.203809
200+： ¥ 0.161379
600+： ¥ 0.137806
2000+： ¥ 0.123663
10000+： ¥ 0.111405
漏源电压(Vdss)： 30V
连续漏极电流(Id)： 4.2A
功率(Pd)： 350mW
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 55mΩ@10V,4.2A
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 1.4V@250uA
反向传输电容(Crss@Vds)： 68pF@15V
类型： 1个P沟道
输入电容(Ciss@Vds)： 1.04nF@15V
栅极电荷(Qg@Vgs)： 22nC@10V
工作温度： -55℃~+150℃
113555
最小包：3000
起订量：10
增量：10
10+： ¥ 0.177722
100+： ¥ 0.150309
300+： ¥ 0.136211
3000+： ¥ 0.124599
6000+： ¥ 0.120547
9000+： ¥ 0.117805
漏源电压(Vdss)： 30V
连续漏极电流(Id)： 4.4A
功率(Pd)： 1.2W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 55mΩ@10V,4.4A
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 900mV@250uA
反向传输电容(Crss@Vds)： 68pF@15V
类型： 1个P沟道
输入电容(Ciss@Vds)： 1.04nF@15V
栅极电荷(Qg@Vgs)： 22nC@4.5V
工作温度： -55℃~+150℃
14930
最小包：3000
起订量：20
增量：20
20+： ¥ 0.18283
200+： ¥ 0.14476
600+： ¥ 0.12361
3000+： ¥ 0.11092
9000+： ¥ 0.099922
漏源电压(Vdss)： 30V
连续漏极电流(Id)： 5.8A
功率(Pd)： 350mW
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 35mΩ@10V,5.6A
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 1.5V@250uA
反向传输电容(Crss@Vds)： 71pF@15V
类型： 1个N沟道
输入电容(Ciss@Vds)： 630pF@15V
栅极电荷(Qg@Vgs)： 17.5nC@10V
工作温度： -55℃~+150℃
117880
最小包：3000
起订量：20
增量：20
20+： ¥ 0.163202
200+： ¥ 0.132296
600+： ¥ 0.11856
3000+： ¥ 0.108258
9000+： ¥ 0.104137
21000+： ¥ 0.101389
漏源电压(Vdss)： 20V
连续漏极电流(Id)： 5.5A
功率(Pd)： 1.2W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 25mΩ@4.5V,4.5A
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 620mV@250uA
反向传输电容(Crss@Vds)： 70pF@10V
类型： 1个N沟道
输入电容(Ciss@Vds)： 418pF@10V
栅极电荷(Qg@Vgs)： 6nC@4.5V
工作温度： -55℃~+150℃
6042
最小包：3000
起订量：20
增量：20
20+： ¥ 0.097679
200+： ¥ 0.095416
600+： ¥ 0.093908
2000+： ¥ 0.092399
漏源电压(Vdss)： 30V
连续漏极电流(Id)： 2.6A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 90mΩ@10V,2.6A
功率(Pd)： 1W
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 2.2V@250uA
反向传输电容(Crss@Vds)： 30pF@15V
类型： 1个P沟道
输入电容(Ciss@Vds)： 200pF@15V
栅极电荷(Qg@Vgs)： 4nC@15V
工作温度： -55℃~+150℃
5896
最小包：3000
起订量：20
增量：20
20+： ¥ 0.103597
200+： ¥ 0.101197
600+： ¥ 0.099597
2000+： ¥ 0.097997
漏源电压(Vdss)： 60V
连续漏极电流(Id)： 1.25A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 340mΩ@10V,1.25A
功率(Pd)： 1.25W
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 3V@250uA
反向传输电容(Crss@Vds)： 6pF@30V
类型： 1个P沟道
输入电容(Ciss@Vds)： 380pF@30V
栅极电荷(Qg@Vgs)： 12nC@10V
工作温度： -55℃~+150℃
15030
最小包：3000
起订量：10
增量：10
10+： ¥ 0.355268
100+： ¥ 0.287798
300+： ¥ 0.254062
1000+： ¥ 0.228762
5000+： ¥ 0.208521
10000+： ¥ 0.198401
漏源电压(Vdss)： 60V
连续漏极电流(Id)： 3A
功率(Pd)： 1.2W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 105mΩ@10V,3.0A
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 2V@250uA
反向传输电容(Crss@Vds)： 19.5pF@30V
类型： 1个N沟道
输入电容(Ciss@Vds)： 247pF@30V
栅极电荷(Qg@Vgs)： 6nC@4.5V
工作温度： -55℃~+150℃
12743
最小包：3000
起订量：10
增量：10
10+： ¥ 0.203343
100+： ¥ 0.168633
300+： ¥ 0.151278
3000+： ¥ 0.138262
6000+： ¥ 0.127849
9000+： ¥ 0.122642
漏源电压(Vdss)： 30V
连续漏极电流(Id)： 3.5A
功率(Pd)： 1.25W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 39mΩ@10V,3A
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 2.2V@250uA
反向传输电容(Crss@Vds)： 39pF@15V
类型： 1个N沟道
输入电容(Ciss@Vds)： 363pF@15V
栅极电荷(Qg@Vgs)： 7.2nC@10V
工作温度： -55℃~+150℃
6082
最小包：3000
起订量：20
增量：20
20+： ¥ 0.096516
200+： ¥ 0.094281
600+： ¥ 0.092791
2000+： ¥ 0.091301
漏源电压(Vdss)： 12V
连续漏极电流(Id)： 3.6A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 30mΩ@4.5V,2.6A
功率(Pd)： 1.25W
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 900mV@250uA
反向传输电容(Crss@Vds)： 190pF@10V
类型： 1个P沟道
输入电容(Ciss@Vds)： 740pF@10V
栅极电荷(Qg@Vgs)： 12nC@2.5V
工作温度： -55℃~+150℃
9062
最小包：3000
起订量：10
增量：10
10+： ¥ 0.133301
100+： ¥ 0.130215
300+： ¥ 0.128158
1000+： ¥ 0.126101
漏源电压(Vdss)： 30V
连续漏极电流(Id)： 3.6A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 60mΩ@10V,3.6A
功率(Pd)： 1W
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 2.2V@250uA
反向传输电容(Crss@Vds)： 48pF@15V
类型： 1个N沟道
输入电容(Ciss@Vds)： 314pF@15V
栅极电荷(Qg@Vgs)： 6.08nC@10V
工作温度： -55℃~+150℃
25761
最小包：3000
起订量：20
增量：20
20+： ¥ 0.174396
200+： ¥ 0.145438
600+： ¥ 0.129349
3000+： ¥ 0.108056
9000+： ¥ 0.09969
21000+： ¥ 0.095185
漏源电压(Vdss)： 30V
连续漏极电流(Id)： 1.9A
功率(Pd)： 350mW
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 190mΩ@10V,1.9A
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 3V@250uA
反向传输电容(Crss@Vds)： 25pF@15V
类型： 1个P沟道
输入电容(Ciss@Vds)： 155pF@15V
栅极电荷(Qg@Vgs)： 4nC@10V
工作温度： -55℃~+150℃
26060
最小包：3000
起订量：20
增量：20
20+： ¥ 0.146756
200+： ¥ 0.121747
600+： ¥ 0.107853
3000+： ¥ 0.097071
9000+： ¥ 0.089847
21000+： ¥ 0.085956
漏源电压(Vdss)： 20V
连续漏极电流(Id)： 3A
功率(Pd)： 700mW
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 55mΩ@4.5V,2.5A
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 750mV@250uA
反向传输电容(Crss@Vds)： 25pF@10V
类型： 1个N沟道
输入电容(Ciss@Vds)： 120pF@10V
栅极电荷(Qg@Vgs)： 4.5nC@4.5V
工作温度： -55℃~+150℃
8622
最小包：3000
起订量：20
增量：20
20+： ¥ 0.071037
200+： ¥ 0.069391
600+： ¥ 0.068294
2000+： ¥ 0.067197
漏源电压(Vdss)： 20V
连续漏极电流(Id)： 2.3A
功率(Pd)： 700mW
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 112mΩ@4.5V,2.3A
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 1V@250uA
反向传输电容(Crss@Vds)： 55pF@10V
类型： 1个P沟道
输入电容(Ciss@Vds)： 405pF@10V
栅极电荷(Qg@Vgs)： 10nC@4.5V
工作温度： -55℃~+150℃
34455
最小包：3000
起订量：20
增量：20
20+： ¥ 0.169412
200+： ¥ 0.138296
600+： ¥ 0.121009
3000+： ¥ 0.110637
9000+： ¥ 0.101648
21000+： ¥ 0.096807
反向电流(Ir)： 20uA@100V
直流反向耐压(Vr)： 100V
二极管配置： 独立式
整流电流： 8A
正向压降(Vf)： 850mV@8A
5+： ¥ 0.378701
50+： ¥ 0.369444
150+： ¥ 0.363272
集电极截止电流(Icbo)： 100nA
集射极击穿电压(Vceo)： 50V
功率(Pd)： 500mW
直流电流增益(hFE@Ic,Vce)： 390@500mA,2V
集电极电流(Ic)： 2A
特征频率(fT)： 210MHz
晶体管类型： NPN
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)： 350mV@1A,50mA
工作温度： -55℃~+150℃
4142
最小包：1000
起订量：10
增量：10
10+： ¥ 0.345889
100+： ¥ 0.280217
300+： ¥ 0.247381
1000+： ¥ 0.222754
