无锡紫光微电子有限公司是由北京同方微电子有限公司投资的一家高新技术企业，是一家专注于先进半导体功率器件和集成电路的设计研发、芯片加工、封装测试及产品销售的集成电路设计企业，公司总部位于无锡新吴区的中国传感网国际创新园D2栋四层。
公司的团队是由一批在国内外著名半导体公司工作多年的具有丰富产品设计、经营管理经验的成员组成，不仅掌握了世界先进的产品研发与生产技术，而且拥有丰富的半导体公司经营管理经验。公司开发和生产的SJ MOSFET、DT MOSFET、HV VDMOS、IGBT、IGTO、Half Bridge Gate Driver等先进半导体功率器件以及相关的电源管理集成电路等产品广泛应用于节能、绿色照明、风力发电、智能电网、混合动力\电动汽车、仪器仪表、消费电子等领域。
公司将秉承“用我们的努力和出色的产品服务客户，造福社会”的企业宗旨，将世界级水平的先进技术与中国市场相结合，打破国外企业高压大功率器件在国内的垄断，并致力在功率半导体领域成为技术先进、品质一流的专业的品牌供应商，为客户提供高性价比的产品与全方位的服务。
如今，紫光微电子给TMC以新的诠释——Thinking Makes Change！思考，带来改变！并因此提出了新的公司理念：“very TMC，very Innovation”，通过思维、服务、产品、商务、管理等创新来持续不断地满足客户日益提升的需求。
封装： -
全部
-
SOT-23-3L
-
DFN-8(5x6)
-
TO-251-3
-
TO-262
-
TO-247AC-3
-
TO-247AD
-
DFN-8-EP(5.8x5.3)
-
TO-251
-
TO-220F
-
TO-220FP
-
TO-263
-
DFN-8-EP(6.1x5.2)
-
TO-3P-3
-
SOP-8
-
DFN-8(3x3)
-
SOT-23(TO-236)
-
SOT-223-2
-
DFN-5(8x8)
-
TO-263-2
-
TO-247
-
TO-252
-
DFN-8(6x4.9)
-
TO-247S
-
TO-220
1+： ¥ 1.2807
10+： ¥ 1.0898
50+： ¥ 0.9848
100+： ¥ 0.8655
500+： ¥ 0.7748
1000+： ¥ 0.751
1+： ¥ 2.9591
10+： ¥ 2.6044
30+： ¥ 2.3928
90+： ¥ 2.1796
510+： ¥ 1.9998
1200+： ¥ 1.9553
漏源电压(Vdss)： -
连续漏极电流(Id)： -
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： -
功率(Pd)： -
阈值电压(Vgs(th)@Id)： -
反向传输电容(Crss@Vds)： -
类型： -
输入电容(Ciss@Vds)： -
栅极电荷(Qg@Vgs)： -
1+： ¥ 0.3771
10+： ¥ 0.3055
30+： ¥ 0.2753
100+： ¥ 0.2371
500+： ¥ 0.2212
1000+： ¥ 0.21
漏源电压(Vdss)： 60V
连续漏极电流(Id)： 105A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 3.8mΩ@10V,30A
功率(Pd)： 217W
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 3V@250uA
反向传输电容(Crss@Vds)： 461pF@30V
类型： N沟道
输入电容(Ciss@Vds)： 6.819nF@30V
栅极电荷(Qg@Vgs)： 125nC@10V
工作温度： -55℃~+175℃@(Tj)
1+： ¥ 0.507499
10+： ¥ 0.4169
30+： ¥ 0.3771
100+： ¥ 0.3278
500+： ¥ 0.3071
1000+： ¥ 0.2944
漏源电压(Vdss)： -
连续漏极电流(Id)： -
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： -
功率(Pd)： -
阈值电压(Vgs(th)@Id)： -
反向传输电容(Crss@Vds)： -
类型： -
输入电容(Ciss@Vds)： -
栅极电荷(Qg@Vgs)： -
1+： ¥ 1.9998
10+： ¥ 1.7564
30+： ¥ 1.6053
90+： ¥ 1.4494
510+： ¥ 1.3778
1200+： ¥ 1.3476
漏源电压(Vdss)： 600V
连续漏极电流(Id)： 7A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 500mΩ@10V,3A
功率(Pd)： 63W
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 4V@250uA
反向传输电容(Crss@Vds)： 4pF@50V
类型： N沟道
输入电容(Ciss@Vds)： 587pF@50V
栅极电荷(Qg@Vgs)： 14.5nC@10V
工作温度： -55℃~+150℃@(Tj)
1+： ¥ 0.5521
10+： ¥ 0.4582
30+： ¥ 0.4105
100+： ¥ 0.3644
500+： ¥ 0.2944
1000+： ¥ 0.2801
漏源电压(Vdss)： -
连续漏极电流(Id)： -
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： -
功率(Pd)： -
阈值电压(Vgs(th)@Id)： -
反向传输电容(Crss@Vds)： -
类型： -
输入电容(Ciss@Vds)： -
栅极电荷(Qg@Vgs)： -
1+： ¥ 0.4694
10+： ¥ 0.3803
30+： ¥ 0.3421
100+： ¥ 0.296
500+： ¥ 0.2737
1000+： ¥ 0.2625
漏源电压(Vdss)： 550V
连续漏极电流(Id)： 11A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 220mΩ@10V,5.5A
功率(Pd)： 78W
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 4V@250uA
反向传输电容(Crss@Vds)： 5.5pF@50V
类型： N沟道
输入电容(Ciss@Vds)： 901pF@50V
栅极电荷(Qg@Vgs)： 21nC@10V
工作温度： -55℃~+150℃@(Tj)
1+： ¥ 0.7716
10+： ¥ 0.646
30+： ¥ 0.5823
100+： ¥ 0.5187
500+： ¥ 0.4821
1000+： ¥ 0.463
漏源电压(Vdss)： -
连续漏极电流(Id)： -
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： -
功率(Pd)： -
阈值电压(Vgs(th)@Id)： -
反向传输电容(Crss@Vds)： -
类型： -
输入电容(Ciss@Vds)： -
栅极电荷(Qg@Vgs)： -
1+： ¥ 0.4853
10+： ¥ 0.3978
30+： ¥ 0.3596
100+： ¥ 0.3119
500+： ¥ 0.2912
1000+： ¥ 0.2785
漏源电压(Vdss)： -
连续漏极电流(Id)： -
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： -
功率(Pd)： -
阈值电压(Vgs(th)@Id)： -
反向传输电容(Crss@Vds)： -
类型： -
输入电容(Ciss@Vds)： -
栅极电荷(Qg@Vgs)： -
1+： ¥ 0.7716
10+： ¥ 0.6444
30+： ¥ 0.5823
100+： ¥ 0.5187
500+： ¥ 0.4821
1000+： ¥ 0.4614
漏源电压(Vdss)： 500V
连续漏极电流(Id)： 7A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 360mΩ@10V,3A
功率(Pd)： 28W
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 4V@250uA
反向传输电容(Crss@Vds)： 4pF@50V
类型： N沟道
输入电容(Ciss@Vds)： 587pF@50V
栅极电荷(Qg@Vgs)： 14.5nC@10V
工作温度： -55℃~+150℃@(Tj)
1+： ¥ 0.8782
200+： ¥ 0.3405
500+： ¥ 0.3294
1000+： ¥ 0.323
漏源电压(Vdss)： -
连续漏极电流(Id)： -
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： -
功率(Pd)： -
阈值电压(Vgs(th)@Id)： -
反向传输电容(Crss@Vds)： -
类型： -
输入电容(Ciss@Vds)： -
栅极电荷(Qg@Vgs)： -
1+： ¥ 1.5194
10+： ¥ 1.2919
30+： ¥ 1.1662
100+： ¥ 1.0246
500+： ¥ 0.8432
1000+： ¥ 0.8146
漏源电压(Vdss)： 650V
连续漏极电流(Id)： 6A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 700mΩ@10V,3A
功率(Pd)： 25W
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 4V@250uA
反向传输电容(Crss@Vds)： 3pF@50V
类型： N沟道
输入电容(Ciss@Vds)： 475pF@50V
栅极电荷(Qg@Vgs)： 12nC@10V
工作温度： -55℃~+150℃@(Tj)
1+： ¥ 0.7685
200+： ¥ 0.2975
500+： ¥ 0.288
1000+： ¥ 0.2832
漏源电压(Vdss)： 700V
连续漏极电流(Id)： 20A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 140mΩ@10V,10A
功率(Pd)： 34W
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 4V@250uA
反向传输电容(Crss@Vds)： 7pF@50V
类型： N沟道
输入电容(Ciss@Vds)： 2.328nF@50V
栅极电荷(Qg@Vgs)： 46nC@10V
工作温度： -55℃~+150℃@(Tj)
1+： ¥ 1.5814
10+： ¥ 1.3523
30+： ¥ 1.2282
100+： ¥ 1.0866
500+： ¥ 1.023
1000+： ¥ 0.9944
漏源电压(Vdss)： 600V
连续漏极电流(Id)： 4A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 840mΩ@10V,1A
功率(Pd)： 23W
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 4V@250uA
反向传输电容(Crss@Vds)： 2.6pF@50V
类型： N沟道
输入电容(Ciss@Vds)： 350pF@50V
栅极电荷(Qg@Vgs)： 7nC@10V
工作温度： -55℃~+150℃@(Tj)
1+： ¥ 0.6825
200+： ¥ 0.2657
500+： ¥ 0.256199
1000+： ¥ 0.2514
漏源电压(Vdss)： 600V
连续漏极电流(Id)： 11A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 320mΩ@10V,5.5A
功率(Pd)： 83W
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 5V@250uA
反向传输电容(Crss@Vds)： 2pF@100V
类型： N沟道
输入电容(Ciss@Vds)： 890pF@100V
栅极电荷(Qg@Vgs)： 20.5nC@10V
工作温度： -55℃~+150℃@(Tj)
1+： ¥ 0.9291
10+： ¥ 0.7764
30+： ¥ 0.7001
100+： ¥ 0.6237
500+： ¥ 0.5091
1000+： ¥ 0.4869
