"芯长征科技是一家专注于新型功率半导体器件开发的高科技设计公司，核心业务包括：IGBT、coolmos，SiC等芯片产品及技术开发。技术团队依托于中科院技术专家以及引进优秀的海外技术精英共同组成，团队核心成员均拥有10年以上产品开发经验，实现从芯片设计、制造工艺、封测、可靠性、应用等全链条贯通。公司具有专业的市场销售和运营管理团队，对于该方向的技术、行业及市场非常熟悉且较好的经营能力，技术和管理团队均经历从技术开发到样品到产品到量产到完全市场化过程。
“一往无前长征路，自强不息中国芯”，芯长征将承载功率芯片国产化使命，秉持市场化运营的理念，为广大客户提供一流的产品与优质的服务！
随着2014年国务院颁布了《国家集成电路产业发展推进纲要》，中国微电子产业真正迎来快速发展的黄金十年，中央以及地方政府纷纷牵头成立集成电路产业投资基金，拟拉动数万亿社会投资；而功率器件则是微电子产业非常重要的一个方向，同时也是国家重点战略新兴产业之一。"
1+： ¥ 13.8489
10+： ¥ 12.1737
1+： ¥ 16.9655
10+： ¥ 14.9132
功率(Pd)： 280W
关断延迟时间(Td(off))： 140ns
工作温度： -55℃~+150℃@(Tj)
开启延迟时间(Td(on))： 55ns
集电极电流(Ic)： 80A
集射极击穿电压(Vces)： 650V
IGBT类型： 沟槽栅式场截止
栅极阈值电压(Vge(th)@Ic)： 5.8V@1mA
栅极电荷(Qg@Ic,Vge)： 239nC@40A,15V
集射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Vge)： 1.9V@40A,15V
反向恢复时间(trr)： 80ns
关断损耗(Eoff)： 0.7mJ
导通损耗(Eon)： 1.6mJ
集电极截止电流(Ices@Vce)： 100uA@650V
输入电容(Cies@Vce)： 3.453nF@25V
正向压降(Vf@If)： 1.7V@20A
集电极脉冲电流(Icm)： 120A
1+： ¥ 1.0835
10+： ¥ 0.9116
30+： ¥ 0.8178
100+： ¥ 0.7112
500+： ¥ 0.63
1000+： ¥ 0.6078
1+： ¥ 1.1264
10+： ¥ 1.0039
30+： ¥ 0.9848
100+： ¥ 0.8496
1+： ¥ 12.6239
10+： ¥ 11.2032
30+： ¥ 10.9789
100+： ¥ 10.6432
