芯贸网 - 电子元器件现货平台
您好，
会员套餐 广告服务
  • 全部分类
    • 电容/电阻/电感
    • 微控制器/逻辑器件
    • 二极管/晶体管
    • 板级电路保护/电源管理
    • 接口芯片/时钟和计时
    • 连接器/开关
    • 数据转换芯片/射频无线
    • 光电器件/显示模块
    • 滤波器/晶体/振荡器
    • 存储器/传感器/隔离器件
    • 继电器/蜂鸣器/马达
    • 功能模块/通信模块
    • 放大器/开发板
  • 首页
  • 芯片/元器件
  • 品牌专区
首页 产品类目 存储器

动态随机存取存储器(DRAM)
品牌：
  • 全部
  • FORESEE(江波龙)
  • ROHM(罗姆)
  • ISSI(美国芯成)
  • Alliance Memory
  • Apmemory
  • HYNIX(海力士)
  • micron(镁光)
  • Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
  • SAMSUNG(三星半导体)
封装：
  • 全部
  • BGA
  • FBGA-496
  • FBGA-253
  • FBGA-556
  • FBGA-376
  • FBGA-432
  • BGA-200
  • SMD
  • TFBGA
  • BGA-180
  • FBGA
  • BGA-24
  • VFBGA-133
  • SOP-8
  • VFBGA-200
  • BGA-90
  • TFSOP-86-10.2mm
  • FBGA-200
  • TWBGA-144(11x18.5)
  • BGA-168(13.5x13.5)
  • FBGA-144(11x18.5)
  • BGA-168
  • TSOPII-54
  • -
  • TSOP-26
  • FBGA-84(8x12.5)
  • TSOP-50
  • FBGA-96
  • VFBGA-60
  • WFBGA-153
  • TSOP-54
  • BGA-78
  • BGA-178
  • FBGA-60
  • FBGA-84
  • FBGA-170
当前 “动态随机存取存储器(DRAM)” 共435件相关型号
  • 综合
  • 价格
  • 库存
  • 销量

型号/类目/品牌/封装/描述

参数

库存

价格梯度（含税价格）

数量

操作

K4FBE3D4HM-MGCJ
K4FBE3D4HM-MGCJ
类目： 动态随机存取存储器(DRAM)
品牌： SAMSUNG(三星半导体)
封装： BGA-200
描述：
动态随机存取存储器(DRAM) SAMSUNG(三星半导体) BGA-200
无
0
最小包：2000
起订量：1
增量：1
1+： ¥ 110.47
10+： ¥ 105.78
30+： ¥ 97.65
100+： ¥ 90.56
合计总额： ¥ 110.4700
K4AAG165WB-BCWE
K4AAG165WB-BCWE
类目： 动态随机存取存储器(DRAM)
品牌： SAMSUNG(三星半导体)
封装： FBGA-96
描述：
动态随机存取存储器(DRAM) SAMSUNG(三星半导体) FBGA-96
无
0
最小包：2000
起订量：1
增量：1
1+： ¥ 83.76
10+： ¥ 80.88
合计总额： ¥ 83.7600
K4AAG165WA-BITD
K4AAG165WA-BITD
类目： 动态随机存取存储器(DRAM)
品牌： SAMSUNG(三星半导体)
封装： FBGA-96
描述：
动态随机存取存储器(DRAM) SAMSUNG(三星半导体) FBGA-96
无
1
最小包：2000
起订量：1
增量：1
1+： ¥ 172.8
30+： ¥ 165.6
合计总额： ¥ 172.8000
IS43LQ32256B-062BLI
IS43LQ32256B-062BLI
类目： 动态随机存取存储器(DRAM)
品牌： ISSI(美国芯成)
封装： FBGA-200
描述：
动态随机存取存储器(DRAM) ISSI(美国芯成) FBGA-200
无
3
最小包：136
起订量：1
增量：1
1+： ¥ 174.88
30+： ¥ 167.27
合计总额： ¥ 174.8800
IS43LD32128C-18BLI
IS43LD32128C-18BLI
类目： 动态随机存取存储器(DRAM)
品牌： ISSI(美国芯成)
封装： FBGA
描述：
动态随机存取存储器(DRAM) ISSI(美国芯成) FBGA
无
3
最小包：171
起订量：1
增量：1
1+： ¥ 118.34
10+： ¥ 113.55
30+： ¥ 105.24
合计总额： ¥ 118.3400
IS42S32800J-6TL
IS42S32800J-6TL
类目： 动态随机存取存储器(DRAM)
品牌： ISSI(美国芯成)
封装： TFSOP-86-10.2mm
描述：
动态随机存取存储器(DRAM) ISSI(美国芯成) TFSOP-86-10.2mm
无
10
最小包：108
起订量：1
增量：1
1+： ¥ 31.95
10+： ¥ 31.2
30+： ¥ 30.7
合计总额： ¥ 31.9500
IS42S32200L-7BLI
IS42S32200L-7BLI
类目： 动态随机存取存储器(DRAM)
品牌： ISSI(美国芯成)
封装： BGA-90
描述：
动态随机存取存储器(DRAM) ISSI(美国芯成) BGA-90
无
5
最小包：240
起订量：1
增量：1
1+： ¥ 59.47
10+： ¥ 58.07
30+： ¥ 57.14
合计总额： ¥ 59.4700
H9HCNNNCPMMLXR-NEE
H9HCNNNCPMMLXR-NEE
类目： 动态随机存取存储器(DRAM)
品牌： HYNIX(海力士)
封装： BGA-200
描述：
动态随机存取存储器(DRAM) HYNIX(海力士) BGA-200
无
0
最小包：120
起订量：1
增量：1
1+： ¥ 290.7
200+： ¥ 116
500+： ¥ 112.12
1000+： ¥ 110.2
合计总额： ¥ 290.7000
MT53E1G32D2FW-046 AUT:A
MT53E1G32D2FW-046 AUT:A
类目： 动态随机存取存储器(DRAM)
品牌： micron(镁光)
封装： VFBGA-200
描述：
动态随机存取存储器(DRAM) micron(镁光) VFBGA-200
无
0
最小包：2000
起订量：1
增量：1
1+： ¥ 550.91
200+： ¥ 213.2
500+： ¥ 205.71
1000+： ¥ 202.01
合计总额： ¥ 550.9100
APS6404L-3SQR-SN
APS6404L-3SQR-SN
类目： 动态随机存取存储器(DRAM)
品牌： Apmemory
封装： SOP-8
描述：
动态随机存取存储器(DRAM) Apmemory SOP-8
无
0
最小包：2500
起订量：1
增量：1
1+： ¥ 77.65
10+： ¥ 74.49
30+： ¥ 69.01
100+： ¥ 64.239999
500+： ¥ 63.4
合计总额： ¥ 77.6500
H5ANAG6NCJR-XNC
H5ANAG6NCJR-XNC
类目： 动态随机存取存储器(DRAM)
品牌： HYNIX(海力士)
封装： -
描述：
动态随机存取存储器(DRAM) HYNIX(海力士)
无
188
最小包：160
起订量：1
增量：1
1+： ¥ 9.4787
10+： ¥ 8.2871
30+： ¥ 7.5585
100+： ¥ 6.9491
合计总额： ¥ 9.4787
MT53D1024M32D4DT-053 AIT:D
MT53D1024M32D4DT-053 AIT:D
类目： 动态随机存取存储器(DRAM)
品牌： micron(镁光)
封装： -
描述：
动态随机存取存储器(DRAM) micron(镁光)
无
0
最小包：2000
起订量：1
增量：1
1+： ¥ 87.551
200+： ¥ 33.8816
500+： ¥ 32.6916
1000+： ¥ 32.103
合计总额： ¥ 87.5510
S72XS256RE0AHBH20
S72XS256RE0AHBH20
类目： 动态随机存取存储器(DRAM)
品牌： Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
封装： VFBGA-133
描述：
动态随机存取存储器(DRAM) Infineon/CYPRESS(赛普拉斯) VFBGA-133
无
0
最小包：260
起订量：1
增量：1
1+： ¥ 0.4296
260+： ¥ 0.1663
520+： ¥ 0.1604
1040+： ¥ 0.1575
合计总额： ¥ 0.4296
S72XS256RE0AHBJ20
S72XS256RE0AHBJ20
类目： 动态随机存取存储器(DRAM)
品牌： Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
封装： VFBGA-133
描述：
动态随机存取存储器(DRAM) Infineon/CYPRESS(赛普拉斯) VFBGA-133
无
0
最小包：1
起订量：1
增量：1
1+： ¥ 0.4296
200+： ¥ 0.1663
500+： ¥ 0.1604
1000+： ¥ 0.1575
合计总额： ¥ 0.4296
F60C1A0002-M69W
F60C1A0002-M69W
类目： 动态随机存取存储器(DRAM)
品牌： FORESEE(江波龙)
封装： FBGA-96
描述：
动态随机存取存储器(DRAM) FORESEE(江波龙) FBGA-96 -40℃~+95℃ 2Gbit 1.35V~1.5V
工作温度： -40℃~+95℃
存储容量： 2Gbit
工作电压： 1.35V~1.5V
364
最小包：209
起订量：1
增量：1
1+： ¥ 3.2566
10+： ¥ 2.6807
30+： ¥ 2.5885
100+： ¥ 2.116
合计总额： ¥ 3.2566
F60C1A0002-M6AR
F60C1A0002-M6AR
类目： 动态随机存取存储器(DRAM)
品牌： FORESEE(江波龙)
封装： FBGA-96
描述：
动态随机存取存储器(DRAM) FORESEE(江波龙) FBGA-96 0℃~+85℃ 2Gbit 1.35V~1.5V
工作温度： 0℃~+85℃
存储容量： 2Gbit
工作电压： 1.35V~1.5V
23
最小包：209
起订量：1
增量：1
1+： ¥ 2.7428
10+： ¥ 2.4373
30+： ¥ 2.3896
100+： ¥ 2.1016
合计总额： ¥ 2.7428
F60C1A0004-M79W
F60C1A0004-M79W
类目： 动态随机存取存储器(DRAM)
品牌： FORESEE(江波龙)
封装： FBGA-96
描述：
动态随机存取存储器(DRAM) FORESEE(江波龙) FBGA-96 -40℃~+95℃ 4Gbit 1.35V~1.5V
工作温度： -40℃~+95℃
存储容量： 4Gbit
工作电压： 1.35V~1.5V
218
最小包：209
起订量：1
增量：1
1+： ¥ 3.5732
10+： ¥ 3.2232
30+： ¥ 3.1676
209+： ¥ 2.8319
合计总额： ¥ 3.5732
S71NS512RD0ZHEUL0
S71NS512RD0ZHEUL0
类目： 动态随机存取存储器(DRAM)
品牌： Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
封装： -
描述：
动态随机存取存储器(DRAM) Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
无
0
最小包：500
起订量：1
增量：1
1+： ¥ 0.472
200+： ¥ 0.1827
500+： ¥ 0.1763
1000+： ¥ 0.1731
合计总额： ¥ 0.4720
S72XS256RE0AHBJ23
S72XS256RE0AHBJ23
类目： 动态随机存取存储器(DRAM)
品牌： Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
封装： VFBGA-133
描述：
动态随机存取存储器(DRAM) Infineon/CYPRESS(赛普拉斯) VFBGA-133
无
0
最小包：1
起订量：1
增量：1
1+： ¥ 0.4296
200+： ¥ 0.1663
500+： ¥ 0.1604
1000+： ¥ 0.1575
合计总额： ¥ 0.4296
S27KS0641DPBHI020
S27KS0641DPBHI020
类目： 动态随机存取存储器(DRAM)
品牌： Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
封装： BGA-24
描述：
动态随机存取存储器(DRAM) Infineon/CYPRESS(赛普拉斯) BGA-24
无
22
最小包：1690
起订量：1
增量：1
1+： ¥ 7.2101
10+： ¥ 6.3573
30+： ¥ 5.8371
100+： ¥ 5.1355
合计总额： ¥ 7.2101
回到顶部

联系我们

工作时间：周一至周五（09:00 ~ 18:00）

客服时间：周一至周日（08:00 ~ 22:00）

客服微信

芯贸网客服微信

Copyright © 2024 - 2024 www.xinmaoic.com 版权所有 芯贸网 粤ICP备2022138699号-3