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首页 产品类目 三极管/MOS管/晶体管

达林顿管
品牌：
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封装：
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操作

5962-8777801YA
5962-8777801YA
类目： 达林顿管
品牌： TI(德州仪器)
封装： TO-3-2
描述：
达林顿管 TI(德州仪器) TO-3-2 42V NPN -55℃~+150℃
集射极击穿电压(Vceo)： 42V
类型： NPN
工作温度： -55℃~+150℃
0
最小包：1
起订量：1
增量：1
1+： ¥ 381.17
200+： ¥ 147.51
500+： ¥ 142.33
1000+： ¥ 139.77
合计总额： ¥ 381.1700
5962-8777801XA
5962-8777801XA
类目： 达林顿管
品牌： TI(德州仪器)
封装： TO-39-3
描述：
达林顿管 TI(德州仪器) TO-39-3 42V NPN -55℃~+125℃
集射极击穿电压(Vceo)： 42V
类型： NPN
工作温度： -55℃~+125℃
0
最小包：1
起订量：1
增量：1
1+： ¥ 588.71
200+： ¥ 227.82
500+： ¥ 219.82
1000+： ¥ 215.86
合计总额： ¥ 588.7100
TTD1409B,S4X
TTD1409B,S4X
类目： 达林顿管
品牌： TOSHIBA(东芝)
封装： TO-220SIS
描述：
达林顿管 TOSHIBA(东芝) TO-220SIS 600@2A,2V 400V NPN 20uA 6A 2W 2V@40mA,4A
直流电流增益(hFE@Vce,Ic)： 600@2A,2V
集射极击穿电压(Vceo)： 400V
类型： NPN
集电极截止电流(Icbo@Vcb)： 20uA
集电极电流(Ic)： 6A
功率(Pd)： 2W
集电极-发射极饱和电压((VCE(sat)@Ic,Ib)： 2V@40mA,4A
0
最小包：50
起订量：1
增量：1
1+： ¥ 11.31
200+： ¥ 4.52
500+： ¥ 4.37
1000+： ¥ 4.29
合计总额： ¥ 11.3100
ZTX705STZ
ZTX705STZ
类目： 达林顿管
品牌： DIODES(美台)
封装： -
描述：
达林顿管 DIODES(美台) 3000@1A,5V 120V PNP 160MHz 10uA 1A -55℃~+200℃@(Tj) 1W 2.5V@2mA,2A
直流电流增益(hFE@Vce,Ic)： 3000@1A,5V
集射极击穿电压(Vceo)： 120V
类型： PNP
特征频率(fT)： 160MHz
集电极截止电流(Icbo@Vcb)： 10uA
集电极电流(Ic)： 1A
工作温度： -55℃~+200℃@(Tj)
功率(Pd)： 1W
集电极-发射极饱和电压((VCE(sat)@Ic,Ib)： 2.5V@2mA,2A
0
最小包：2000
起订量：1
增量：1
1+： ¥ 5.76
200+： ¥ 2.3
500+： ¥ 2.22
1000+： ¥ 2.19
合计总额： ¥ 5.7600
ZTX614STZ
ZTX614STZ
类目： 达林顿管
品牌： DIODES(美台)
封装： -
描述：
达林顿管 DIODES(美台) 100V 10000@500mA,5V NPN 100nA 800mA -55℃~+200℃@(Tj) 1W 1.25V@8mA,800mA
集射极击穿电压(Vceo)： 100V
直流电流增益(hFE@Vce,Ic)： 10000@500mA,5V
类型： NPN
集电极截止电流(Icbo@Vcb)： 100nA
集电极电流(Ic)： 800mA
工作温度： -55℃~+200℃@(Tj)
功率(Pd)： 1W
集电极-发射极饱和电压((VCE(sat)@Ic,Ib)： 1.25V@8mA,800mA
0
最小包：2000
起订量：1
增量：1
1+： ¥ 5.92
200+： ¥ 2.36
500+： ¥ 2.29
1000+： ¥ 2.25
合计总额： ¥ 5.9200
ZTX614QSTZ
ZTX614QSTZ
类目： 达林顿管
品牌： DIODES(美台)
封装： -
描述：
达林顿管 DIODES(美台) 100V 10000@500mA,5V NPN 100nA 800mA -55℃~+200℃@(Tj) 1W 1.25V@8mA,800mA
集射极击穿电压(Vceo)： 100V
直流电流增益(hFE@Vce,Ic)： 10000@500mA,5V
类型： NPN
集电极截止电流(Icbo@Vcb)： 100nA
集电极电流(Ic)： 800mA
工作温度： -55℃~+200℃@(Tj)
功率(Pd)： 1W
集电极-发射极饱和电压((VCE(sat)@Ic,Ib)： 1.25V@8mA,800mA
0
最小包：2000
起订量：1
增量：1
1+： ¥ 4.67
200+： ¥ 1.87
500+： ¥ 1.81
1000+： ¥ 1.77
合计总额： ¥ 4.6700
ZTX605STZ
ZTX605STZ
类目： 达林顿管
品牌： DIODES(美台)
封装： -
描述：
达林顿管 DIODES(美台) 120V 2000@1A,5V NPN 150MHz 10uA 1A -55℃~+200℃@(Tj) 1W 1.5V@1mA,1A
集射极击穿电压(Vceo)： 120V
直流电流增益(hFE@Vce,Ic)： 2000@1A,5V
类型： NPN
特征频率(fT)： 150MHz
集电极截止电流(Icbo@Vcb)： 10uA
集电极电流(Ic)： 1A
工作温度： -55℃~+200℃@(Tj)
功率(Pd)： 1W
集电极-发射极饱和电压((VCE(sat)@Ic,Ib)： 1.5V@1mA,1A
0
最小包：2000
起订量：1
增量：1
1+： ¥ 5.76
200+： ¥ 2.3
500+： ¥ 2.22
1000+： ¥ 2.19
合计总额： ¥ 5.7600
ZTX601STZ
ZTX601STZ
类目： 达林顿管
品牌： DIODES(美台)
封装： -
描述：
达林顿管 DIODES(美台) 2000@500mA,10V 160V NPN 250MHz 10uA 1A -55℃~+200℃@(Tj) 1W 1.2V@10mA,1A
直流电流增益(hFE@Vce,Ic)： 2000@500mA,10V
集射极击穿电压(Vceo)： 160V
类型： NPN
特征频率(fT)： 250MHz
集电极截止电流(Icbo@Vcb)： 10uA
集电极电流(Ic)： 1A
工作温度： -55℃~+200℃@(Tj)
功率(Pd)： 1W
集电极-发射极饱和电压((VCE(sat)@Ic,Ib)： 1.2V@10mA,1A
0
最小包：2000
起订量：1
增量：1
2000+： ¥ 2.347762
合计总额： ¥ 2.3478
ZTX601QSTZ
ZTX601QSTZ
类目： 达林顿管
品牌： DIODES(美台)
封装： -
描述：
达林顿管 DIODES(美台) 2000@500mA,10V 160V NPN 250MHz 10uA 1A -55℃~+200℃@(Tj) 1W 1.2V@10mA,1A
直流电流增益(hFE@Vce,Ic)： 2000@500mA,10V
集射极击穿电压(Vceo)： 160V
类型： NPN
特征频率(fT)： 250MHz
集电极截止电流(Icbo@Vcb)： 10uA
集电极电流(Ic)： 1A
工作温度： -55℃~+200℃@(Tj)
功率(Pd)： 1W
集电极-发射极饱和电压((VCE(sat)@Ic,Ib)： 1.2V@10mA,1A
0
最小包：4000
起订量：1
增量：1
1+： ¥ 6.09
200+： ¥ 2.43
500+： ¥ 2.35
1000+： ¥ 2.31
合计总额： ¥ 6.0900
ZTX601BSTZ
ZTX601BSTZ
类目： 达林顿管
品牌： DIODES(美台)
封装： -
描述：
达林顿管 DIODES(美台) 10000@500mA,10V 160V NPN 250MHz 10uA 1A -55℃~+200℃@(Tj) 1W 1.2V@10mA,1A
直流电流增益(hFE@Vce,Ic)： 10000@500mA,10V
集射极击穿电压(Vceo)： 160V
类型： NPN
特征频率(fT)： 250MHz
集电极截止电流(Icbo@Vcb)： 10uA
集电极电流(Ic)： 1A
工作温度： -55℃~+200℃@(Tj)
功率(Pd)： 1W
集电极-发射极饱和电压((VCE(sat)@Ic,Ib)： 1.2V@10mA,1A
0
最小包：2000
起订量：1
增量：1
2000+： ¥ 2.347762
合计总额： ¥ 2.3478
ZTX558QSTZ
ZTX558QSTZ
类目： 达林顿管
品牌： DIODES(美台)
封装： -
描述：
达林顿管 DIODES(美台) 400V 100@50mA,10V PNP 50MHz 100nA 200mA -55℃~+200℃@(Tj) 1W 500mV@6mA,50mA
集射极击穿电压(Vceo)： 400V
直流电流增益(hFE@Vce,Ic)： 100@50mA,10V
类型： PNP
特征频率(fT)： 50MHz
集电极截止电流(Icbo@Vcb)： 100nA
集电极电流(Ic)： 200mA
工作温度： -55℃~+200℃@(Tj)
功率(Pd)： 1W
集电极-发射极饱和电压((VCE(sat)@Ic,Ib)： 500mV@6mA,50mA
0
最小包：4000
起订量：1
增量：1
1+： ¥ 4.12
200+： ¥ 1.65
500+： ¥ 1.59
1000+： ¥ 1.57
合计总额： ¥ 4.1200
TN2219A TIN/LEAD
TN2219A TIN/LEAD
类目： 达林顿管
品牌： Central(中环)
封装： TO-237
描述：
达林顿管 Central(中环) TO-237 40V NPN 300MHz 800mA 2W
集射极击穿电压(Vceo)： 40V
类型： NPN
特征频率(fT)： 300MHz
集电极电流(Ic)： 800mA
功率(Pd)： 2W
0
最小包：2000
起订量：1
增量：1
1+： ¥ 11.62
200+： ¥ 4.64
500+： ¥ 4.48
1000+： ¥ 4.41
合计总额： ¥ 11.6200
TIP126-JSM
TIP126-JSM
类目： 达林顿管
品牌： JSMSEMI(杰盛微)
封装： TO-220
描述：
达林顿管 JSMSEMI(杰盛微) TO-220
无
1000
最小包：50
起订量：5
增量：5
5+： ¥ 1.904655
50+： ¥ 1.545555
150+： ¥ 1.391655
500+： ¥ 1.199565
合计总额： ¥ 9.5233
TIP127A
TIP127A
类目： 达林顿管
品牌： TF(拓锋)
封装： TO-220
描述：
达林顿管 TF(拓锋) TO-220
无
20
最小包：50
起订量：1
增量：1
5+： ¥ 1.4374
50+： ¥ 1.0148
150+： ¥ 0.9037
500+： ¥ 0.7651
2000+： ¥ 0.7034
5000+： ¥ 0.6664
合计总额： ¥ 1.4374
TIP127-JSM
TIP127-JSM
类目： 达林顿管
品牌： JSMSEMI(杰盛微)
封装： TO-220-3
描述：
达林顿管 JSMSEMI(杰盛微) TO-220-3 100V 1000@3V,3A PNP 5A 2W
集射极击穿电压(Vceo)： 100V
直流电流增益(hFE@Vce,Ic)： 1000@3V,3A
类型： PNP
特征频率(fT)： -
集电极截止电流(Icbo@Vcb)： -
集电极电流(Ic)： 5A
功率(Pd)： 2W
工作温度： -
集电极-发射极饱和电压((VCE(sat)@Ic,Ib)： -
1415
最小包：50
起订量：5
增量：5
5+： ¥ 1.34596
50+： ¥ 1.08661
150+： ¥ 0.97546
500+： ¥ 0.836855
2000+： ¥ 0.775105
5000+： ¥ 0.738055
合计总额： ¥ 6.7298
TIP122-JSM
TIP122-JSM
类目： 达林顿管
品牌： JSMSEMI(杰盛微)
封装： TO-220-3
描述：
达林顿管 JSMSEMI(杰盛微) TO-220-3 100V 1000@3V,3A NPN 5A 2W
集射极击穿电压(Vceo)： 100V
直流电流增益(hFE@Vce,Ic)： 1000@3V,3A
类型： NPN
特征频率(fT)： -
集电极截止电流(Icbo@Vcb)： -
集电极电流(Ic)： 5A
功率(Pd)： 2W
工作温度： -
集电极-发射极饱和电压((VCE(sat)@Ic,Ib)： -
359
最小包：50
起订量：5
增量：5
5+： ¥ 1.33665
50+： ¥ 1.0773
150+： ¥ 0.96615
500+： ¥ 0.82745
2000+： ¥ 0.7657
5000+： ¥ 0.72865
合计总额： ¥ 6.6832
TIP122F
TIP122F
类目： 达林顿管
品牌： CJ(江苏长电/长晶)
封装： TO-220F
描述：
达林顿管 CJ(江苏长电/长晶) TO-220F
无
25
最小包：50
起订量：5
增量：5
5+： ¥ 2.0828
50+： ¥ 1.6901
150+： ¥ 1.5218
合计总额： ¥ 10.4140
TIP112 PBFREE
TIP112 PBFREE
类目： 达林顿管
品牌： Central(中环)
封装： TO-220-3
描述：
达林顿管 Central(中环) TO-220-3 1000@1A,4V 100V NPN 25MHz 1mA -65℃~+150℃@(Tj) 2.5V@8mA,2A
直流电流增益(hFE@Vce,Ic)： 1000@1A,4V
集射极击穿电压(Vceo)： 100V
类型： NPN
特征频率(fT)： 25MHz
集电极截止电流(Icbo@Vcb)： 1mA
工作温度： -65℃~+150℃@(Tj)
集电极-发射极饱和电压((VCE(sat)@Ic,Ib)： 2.5V@8mA,2A
0
最小包：50
起订量：1
增量：1
1+： ¥ 8.68
200+： ¥ 3.46
500+： ¥ 3.35
1000+： ¥ 3.29
合计总额： ¥ 8.6800
TIP112 TIN/LEAD
TIP112 TIN/LEAD
类目： 达林顿管
品牌： Central(中环)
封装： TO-220-3
描述：
达林顿管 Central(中环) TO-220-3 1000@1A,4V 100V NPN 25MHz -65℃~+150℃@(Tj) 2.5V@8mA,2A
直流电流增益(hFE@Vce,Ic)： 1000@1A,4V
集射极击穿电压(Vceo)： 100V
类型： NPN
特征频率(fT)： 25MHz
工作温度： -65℃~+150℃@(Tj)
集电极-发射极饱和电压((VCE(sat)@Ic,Ib)： 2.5V@8mA,2A
0
最小包：50
起订量：1
增量：1
1+： ¥ 9.96
200+： ¥ 3.98
500+： ¥ 3.84
1000+： ¥ 3.78
合计总额： ¥ 9.9600
TIP117 PBFREE
TIP117 PBFREE
类目： 达林顿管
品牌： Central(中环)
封装： TO-220-3
描述：
达林顿管 Central(中环) TO-220-3 1000@1A,4V 100V NPN 25MHz 1mA -65℃~+150℃@(Tj) 2.5V@8mA,2A
直流电流增益(hFE@Vce,Ic)： 1000@1A,4V
集射极击穿电压(Vceo)： 100V
类型： NPN
特征频率(fT)： 25MHz
集电极截止电流(Icbo@Vcb)： 1mA
工作温度： -65℃~+150℃@(Tj)
集电极-发射极饱和电压((VCE(sat)@Ic,Ib)： 2.5V@8mA,2A
0
最小包：50
起订量：1
增量：1
1+： ¥ 13.27
200+： ¥ 5.3
500+： ¥ 5.12
1000+： ¥ 5.03
合计总额： ¥ 13.2700
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