芯贸网 - 电子元器件现货平台
您好，
会员套餐 广告服务
  • 全部分类
    • 电容/电阻/电感
    • 微控制器/逻辑器件
    • 二极管/晶体管
    • 板级电路保护/电源管理
    • 接口芯片/时钟和计时
    • 连接器/开关
    • 数据转换芯片/射频无线
    • 光电器件/显示模块
    • 滤波器/晶体/振荡器
    • 存储器/传感器/隔离器件
    • 继电器/蜂鸣器/马达
    • 功能模块/通信模块
    • 放大器/开发板
  • 首页
  • 芯片/元器件
  • 品牌专区
首页 产品类目 三极管/MOS管/晶体管

结型场效应管(JFET)
品牌：
  • 全部
  • VISHAY(威世)
  • Transphorm
  • PANASONIC(松下)
  • NXP(恩智浦)
  • SANKEN(三垦)
  • NTE ELECTRONICS, INC.
  • Central(中环)
  • TOSHIBA(东芝)
  • RENESAS(瑞萨)/IDT
  • Infineon(英飞凌)
  • TI(德州仪器)
  • HARRIS(哈利斯)
  • ADI(亚德诺)
  • SANYO DENKI(山洋)
  • MICROCHIP(美国微芯)
  • onsemi(安森美)
封装：
  • 全部
  • SC-70-3
  • SOT-23-6
  • UB-3(2.5x3.1)
  • DIP-8
  • TO-18-3
  • SC-70-5
  • DIP-16
  • TO-72-4
  • SOT-223-4
  • TO-72
  • SOT-89
  • SMD-4P
  • TO-78-7
  • TO-71
  • SOP-8
  • TO-92-3LF
  • SMD-3P
  • SOT-89-3
  • TO-106
  • TO-218
  • TO-236AB
  • TO-236-3(SOT-23-3)
  • TSSOP-5(SC-70-5)SOT-353
  • SOT-323-3
  • SC-70(SOT-323)
  • TO-92(TO-226)
  • SSOT-3
  • SOT-23
  • SOT-723
  • SC-59
  • TO-92-3
  • SC-59-3
  • SOT-883
  • SC-88AFL
  • CPH-6
  • SOT-23(SOT-236)
  • SOT-23-3
  • MCPH-3
  • MCPH-5
  • SOT-23(TO-236)
  • CPH-3
  • SOT-23-3L
  • SOIC-8
  • TO-71-6
  • -
  • TO-92
  • DFN-8(2x2)
  • TO-18(TO-206AA)
  • TO-18
  • UB-3(3.09x2.45)
  • SOT-623F
  • TO-78-6
当前 “结型场效应管(JFET)” 共687件相关型号
  • 综合
  • 价格
  • 库存
  • 销量

型号/类目/品牌/封装/描述

参数

库存

价格梯度（含税价格）

数量

操作

175 DFN 8L ROHS
175 DFN 8L ROHS
类目： 结型场效应管(JFET)
品牌： ADI(亚德诺)
封装： DFN-8(2x2)
描述：
结型场效应管(JFET) ADI(亚德诺) DFN-8(2x2) 350mW P沟道 125Ω 30V -55℃~+135℃@(Tj)
功率(Pd)： 350mW
FET类型： P沟道
漏源导通电阻(RDS(on))： 125Ω
栅源击穿电压(V(BR)GSS)： 30V
工作温度： -55℃~+135℃@(Tj)
0
最小包：3000
起订量：1
增量：1
1+： ¥ 61.14
200+： ¥ 24.4
500+： ¥ 23.58
1000+： ¥ 23.18
合计总额： ¥ 61.1400
174DFN 8L ROHS
174DFN 8L ROHS
类目： 结型场效应管(JFET)
品牌： ADI(亚德诺)
封装： DFN-8(2x2)
描述：
结型场效应管(JFET) ADI(亚德诺) DFN-8(2x2) 20mA@15V 350mW P沟道 85Ω 30V 5V@10nA -55℃~+135℃@(Tj)
饱和漏源电流(Idss@Vds,Vgs=0)： 20mA@15V
功率(Pd)： 350mW
FET类型： P沟道
漏源导通电阻(RDS(on))： 85Ω
栅源击穿电压(V(BR)GSS)： 30V
栅源截止电压(VGS(off)@ID)： 5V@10nA
工作温度： -55℃~+135℃@(Tj)
0
最小包：3000
起订量：1
增量：1
1+： ¥ 53.5
200+： ¥ 21.35
500+： ¥ 20.64
1000+： ¥ 20.28
合计总额： ¥ 53.5000
VS-FB190SA10
VS-FB190SA10
类目： 结型场效应管(JFET)
品牌： VISHAY(威世)
封装： -
描述：
结型场效应管(JFET) VISHAY(威世)
无
0
最小包：10
起订量：1
增量：1
1+： ¥ 446.48
200+： ¥ 178.15
500+： ¥ 172.2
1000+： ¥ 169.26
合计总额： ¥ 446.4800
TK80S04K3L(T6L1,NQ
TK80S04K3L(T6L1,NQ
类目： 结型场效应管(JFET)
品牌： TOSHIBA(东芝)
封装： -
描述：
结型场效应管(JFET) TOSHIBA(东芝)
无
0
最小包：2000
起订量：1
增量：1
1+： ¥ 13.69
200+： ¥ 5.47
500+： ¥ 5.28
1000+： ¥ 5.19
合计总额： ¥ 13.6900
TK20S06K3L(T6L1,NQ
TK20S06K3L(T6L1,NQ
类目： 结型场效应管(JFET)
品牌： TOSHIBA(东芝)
封装： -
描述：
结型场效应管(JFET) TOSHIBA(东芝)
无
0
最小包：2000
起订量：1
增量：1
1+： ¥ 7.68
200+： ¥ 3.07
500+： ¥ 2.97
1000+： ¥ 2.92
合计总额： ¥ 7.6800
TPH3206LS
TPH3206LS
类目： 结型场效应管(JFET)
品牌： Transphorm
封装： -
描述：
结型场效应管(JFET) Transphorm
无
0
最小包：60
起订量：1
增量：1
1+： ¥ 190.04
180+： ¥ 75.83
480+： ¥ 73.3
1020+： ¥ 72.04
合计总额： ¥ 190.0400
EKI04027
EKI04027
类目： 结型场效应管(JFET)
品牌： SANKEN(三垦)
封装： -
描述：
结型场效应管(JFET) SANKEN(三垦)
无
0
最小包：50
起订量：1
增量：1
1+： ¥ 14.53
200+： ¥ 5.8
500+： ¥ 5.61
1000+： ¥ 5.51
合计总额： ¥ 14.5300
CMS35N04V8-HF
CMS35N04V8-HF
类目： 结型场效应管(JFET)
品牌： -
封装： -
描述：
结型场效应管(JFET)
无
0
最小包：3000
起订量：1
增量：1
1+： ¥ 5.18
200+： ¥ 2.07
500+： ¥ 2
1000+： ¥ 1.97
合计总额： ¥ 5.1800
TF410-TL-HX
TF410-TL-HX
类目： 结型场效应管(JFET)
品牌： SANYO DENKI(山洋)
封装： -
描述：
结型场效应管(JFET) SANYO DENKI(山洋)
无
0
最小包：10000
起订量：1
增量：1
1+： ¥ 1.04795
200+： ¥ 0.418139
500+： ¥ 0.404166
1000+： ¥ 0.397262
合计总额： ¥ 1.0479
TF222B-B4-TL-E
TF222B-B4-TL-E
类目： 结型场效应管(JFET)
品牌： SANYO DENKI(山洋)
封装： -
描述：
结型场效应管(JFET) SANYO DENKI(山洋)
无
0
最小包：8000
起订量：1
增量：1
1+： ¥ 0.523973
200+： ¥ 0.209069
500+： ¥ 0.202083
1000+： ¥ 0.198631
合计总额： ¥ 0.5240
TF218THC-5-TL-H-SY
TF218THC-5-TL-H-SY
类目： 结型场效应管(JFET)
品牌： SANYO DENKI(山洋)
封装： -
描述：
结型场效应管(JFET) SANYO DENKI(山洋)
无
0
最小包：6662
起订量：1
增量：1
1+： ¥ 0.873291
200+： ¥ 0.348449
500+： ¥ 0.336805
1000+： ¥ 0.331052
合计总额： ¥ 0.8733
4392DFN 8L ROHS
4392DFN 8L ROHS
类目： 结型场效应管(JFET)
品牌： ADI(亚德诺)
封装： DFN-8(2x2)
描述：
结型场效应管(JFET) ADI(亚德诺) DFN-8(2x2) 13pF@20V 300mW N沟道 25mA@20V 60Ω 40V 2V@10nA -55℃~+150℃@(Tj)
输入电容(Ciss@Vds)： 13pF@20V
功率(Pd)： 300mW
FET类型： N沟道
饱和漏源电流(Idss@Vds,Vgs=0)： 25mA@20V
漏源导通电阻(RDS(on))： 60Ω
栅源击穿电压(V(BR)GSS)： 40V
栅源截止电压(VGS(off)@ID)： 2V@10nA
工作温度： -55℃~+150℃@(Tj)
0
最小包：3000
起订量：1
增量：1
1+： ¥ 26.05
200+： ¥ 10.4
500+： ¥ 10.05
1000+： ¥ 9.88
合计总额： ¥ 26.0500
4391 DFN 8L ROHS
4391 DFN 8L ROHS
类目： 结型场效应管(JFET)
品牌： ADI(亚德诺)
封装： DFN-8(2x2)
描述：
结型场效应管(JFET) ADI(亚德诺) DFN-8(2x2) 13pF@20V 50mA@20V 300mW N沟道 30Ω 40V 4V@10nA -55℃~+150℃@(Tj)
输入电容(Ciss@Vds)： 13pF@20V
饱和漏源电流(Idss@Vds,Vgs=0)： 50mA@20V
功率(Pd)： 300mW
FET类型： N沟道
漏源导通电阻(RDS(on))： 30Ω
栅源击穿电压(V(BR)GSS)： 40V
栅源截止电压(VGS(off)@ID)： 4V@10nA
工作温度： -55℃~+150℃@(Tj)
0
最小包：3000
起订量：1
增量：1
1+： ¥ 27.89
200+： ¥ 11.13
500+： ¥ 10.76
1000+： ¥ 10.58
合计总额： ¥ 27.8900
2N2608UB/TR
2N2608UB/TR
类目： 结型场效应管(JFET)
品牌： MICROCHIP(美国微芯)
封装： SMD-3P
描述：
结型场效应管(JFET) MICROCHIP(美国微芯) SMD-3P 10pF@5V 1mA@5V 300mW P沟道 30V 750mV@1uA -65℃~+200℃@(Tj)
输入电容(Ciss@Vds)： 10pF@5V
饱和漏源电流(Idss@Vds,Vgs=0)： 1mA@5V
功率(Pd)： 300mW
FET类型： P沟道
栅源击穿电压(V(BR)GSS)： 30V
栅源截止电压(VGS(off)@ID)： 750mV@1uA
工作温度： -65℃~+200℃@(Tj)
0
最小包：100
起订量：1
增量：1
1+： ¥ 1321.47
200+： ¥ 527.28
500+： ¥ 509.66
1000+： ¥ 500.95
合计总额： ¥ 1321.4700
2N2608UB
2N2608UB
类目： 结型场效应管(JFET)
品牌： MICROCHIP(美国微芯)
封装： SMD-3P
描述：
结型场效应管(JFET) MICROCHIP(美国微芯) SMD-3P 10pF@5V 1mA@5V 300mW P沟道 30V 750mV@1uA -65℃~+200℃@(Tj)
输入电容(Ciss@Vds)： 10pF@5V
饱和漏源电流(Idss@Vds,Vgs=0)： 1mA@5V
功率(Pd)： 300mW
FET类型： P沟道
栅源击穿电压(V(BR)GSS)： 30V
栅源截止电压(VGS(off)@ID)： 750mV@1uA
工作温度： -65℃~+200℃@(Tj)
0
最小包：1
起订量：1
增量：1
1+： ¥ 1321.47
200+： ¥ 527.28
500+： ¥ 509.66
1000+： ¥ 500.95
合计总额： ¥ 1321.4700
SST202 SOT-23 3L ROHS
SST202 SOT-23 3L ROHS
类目： 结型场效应管(JFET)
品牌： ADI(亚德诺)
封装： SOT-23-3
描述：
结型场效应管(JFET) ADI(亚德诺) SOT-23-3 4.5pF@15V 900uA@15V N沟道 350mW 40V 800mV@10nA -55℃~+150℃@(Tj)
输入电容(Ciss@Vds)： 4.5pF@15V
饱和漏源电流(Idss@Vds,Vgs=0)： 900uA@15V
FET类型： N沟道
功率(Pd)： 350mW
栅源击穿电压(V(BR)GSS)： 40V
栅源截止电压(VGS(off)@ID)： 800mV@10nA
工作温度： -55℃~+150℃@(Tj)
0
最小包：3000
起订量：1
增量：1
1+： ¥ 40.23
200+： ¥ 16.05
500+： ¥ 15.52
1000+： ¥ 15.25
合计总额： ¥ 40.2300
SST201 SOT-23 3L ROHS
SST201 SOT-23 3L ROHS
类目： 结型场效应管(JFET)
品牌： ADI(亚德诺)
封装： SOT-23-3
描述：
结型场效应管(JFET) ADI(亚德诺) SOT-23-3 4.5pF@15V 200uA@15V N沟道 350mW 40V 300mV@10nA -55℃~+150℃@(Tj)
输入电容(Ciss@Vds)： 4.5pF@15V
饱和漏源电流(Idss@Vds,Vgs=0)： 200uA@15V
FET类型： N沟道
功率(Pd)： 350mW
栅源击穿电压(V(BR)GSS)： 40V
栅源截止电压(VGS(off)@ID)： 300mV@10nA
工作温度： -55℃~+150℃@(Tj)
0
最小包：3000
起订量：1
增量：1
1+： ¥ 34.26
200+： ¥ 13.67
500+： ¥ 13.22
1000+： ¥ 12.99
合计总额： ¥ 34.2600
SST175 SOT-23 3L ROHS
SST175 SOT-23 3L ROHS
类目： 结型场效应管(JFET)
品牌： ADI(亚德诺)
封装： SOT-23-3
描述：
结型场效应管(JFET) ADI(亚德诺) SOT-23-3 350mW P沟道 125Ω 30V -55℃~+135℃@(Tj)
功率(Pd)： 350mW
FET类型： P沟道
漏源导通电阻(RDS(on))： 125Ω
栅源击穿电压(V(BR)GSS)： 30V
工作温度： -55℃~+135℃@(Tj)
0
最小包：3000
起订量：1
增量：1
1+： ¥ 66.87
200+： ¥ 26.69
500+： ¥ 25.79
1000+： ¥ 25.35
合计总额： ¥ 66.8700
SST176 SOT-23 3L ROHS
SST176 SOT-23 3L ROHS
类目： 结型场效应管(JFET)
品牌： ADI(亚德诺)
封装： SOT-23-3
描述：
结型场效应管(JFET) ADI(亚德诺) SOT-23-3 350mW P沟道 250Ω 30V -55℃~+135℃@(Tj)
功率(Pd)： 350mW
FET类型： P沟道
漏源导通电阻(RDS(on))： 250Ω
栅源击穿电压(V(BR)GSS)： 30V
工作温度： -55℃~+135℃@(Tj)
0
最小包：3000
起订量：1
增量：1
1+： ¥ 66.87
200+： ¥ 26.69
500+： ¥ 25.79
1000+： ¥ 25.35
合计总额： ¥ 66.8700
SST177 SOT-23 3L ROHS
SST177 SOT-23 3L ROHS
类目： 结型场效应管(JFET)
品牌： ADI(亚德诺)
封装： SOT-23-3
描述：
结型场效应管(JFET) ADI(亚德诺) SOT-23-3 350mW P沟道 300Ω 30V -55℃~+135℃@(Tj)
功率(Pd)： 350mW
FET类型： P沟道
漏源导通电阻(RDS(on))： 300Ω
栅源击穿电压(V(BR)GSS)： 30V
工作温度： -55℃~+135℃@(Tj)
0
最小包：3000
起订量：1
增量：1
1+： ¥ 76.42
200+： ¥ 30.5
500+： ¥ 29.48
1000+： ¥ 28.97
合计总额： ¥ 76.4200
回到顶部

联系我们

工作时间：周一至周五（09:00 ~ 18:00）

客服时间：周一至周日（08:00 ~ 22:00）

客服微信

芯贸网客服微信

Copyright © 2024 - 2024 www.xinmaoic.com 版权所有 芯贸网 粤ICP备2022138699号-3