首页 产品类目 碳化硅(SiC)器件

碳化硅场效应管(MOSFET)

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  • 全部
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当前 “碳化硅场效应管(MOSFET)” 共381件相关型号
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SG1M160120J
品牌: SICHAIN(清纯)
封装: TO-263-7L
描述:
碳化硅场效应管(MOSFET) SICHAIN(清纯) TO-263-7L 1个N沟道 2.8V 120W 21A 1200V 1.4pF 617pF 25.4nC 160mΩ -55℃~+175℃
沟道类型: 1个N沟道
Vgs(th)-漏源阈值电压: 2.8V
Pd-功耗: 120W
Id-漏极电流(25℃): 21A
Vds-漏源击穿电压: 1200V
Crss-反向传输电容: 1.4pF
Ciss-输入电容: 617pF
Qg-栅极电荷: 25.4nC
RDS(on)-导通电阻(15V): 160mΩ
工作温度: -55℃~+175℃
150
最小包:50
起订量:1
增量:1
1+: ¥ 21.553
10+: ¥ 18.865
50+: ¥ 17.22
100+: ¥ 15.848
合计总额: ¥ 21.5530
SCTWA70N120G2V-4
封装: HiP-247-4
描述:
碳化硅场效应管(MOSFET) ST(意法半导体) HiP-247-4
6
最小包:30
起订量:1
增量:1
1+: ¥ 129.99
30+: ¥ 124.49
合计总额: ¥ 129.9900
SCTWA40N120G2V-4
封装: HiP-247-4
描述:
碳化硅场效应管(MOSFET) ST(意法半导体) HiP-247-4
5
最小包:30
起订量:1
增量:1
1+: ¥ 123.91
30+: ¥ 118.78
合计总额: ¥ 123.9100
SCTWA35N65G2V-4
封装: HiP-247-4
描述:
碳化硅场效应管(MOSFET) ST(意法半导体) HiP-247-4
1
最小包:75
起订量:1
增量:1
1+: ¥ 158.43
30+: ¥ 152.34
合计总额: ¥ 158.4300
SCTW90N65G2V
封装: HiP-247
描述:
碳化硅场效应管(MOSFET) ST(意法半导体) HiP-247 565W 119A
Pd-功耗: 565W
Id-漏极电流(25℃): 119A
3
最小包:30
起订量:1
增量:1
1+: ¥ 168.4683
30+: ¥ 161.4501
合计总额: ¥ 168.4683
SCTW60N120G2
封装: HiP-247
描述:
碳化硅场效应管(MOSFET) ST(意法半导体) HiP-247
3
最小包:30
起订量:1
增量:1
1+: ¥ 192.05
30+: ¥ 183.17
合计总额: ¥ 192.0500
SCT3060ARC14
品牌: ROHM(罗姆)
封装: TO-247-4L
描述:
碳化硅场效应管(MOSFET) ROHM(罗姆) TO-247-4L 1个N沟道 165W 39A 650V
沟道类型: 1个N沟道
Pd-功耗: 165W
Id-漏极电流(25℃): 39A
Vds-漏源击穿电压: 650V
0
最小包:30
起订量:1
增量:1
1+: ¥ 85.46
10+: ¥ 81.95
30+: ¥ 75.86
90+: ¥ 70.56
合计总额: ¥ 85.4600
SCT055HU65G3AG
封装: HU3PAK
描述:
碳化硅场效应管(MOSFET) ST(意法半导体) HU3PAK 185W 30A
Pd-功耗: 185W
Id-漏极电流(25℃): 30A
0
最小包:1
起订量:1
增量:1
1+: ¥ 136.3
30+: ¥ 130.59
合计总额: ¥ 136.3000
SCT040HU65G3AG
封装: HU3PAK
描述:
碳化硅场效应管(MOSFET) ST(意法半导体) HU3PAK 221W 30A
Pd-功耗: 221W
Id-漏极电流(25℃): 30A
2
最小包:1000
起订量:1
增量:1
1+: ¥ 119.16
10+: ¥ 115.33
合计总额: ¥ 119.1600
SP25N120CTK
品牌: Siliup(矽普)
封装: TO-247-4L
描述:
碳化硅场效应管(MOSFET) Siliup(矽普) TO-247-4L
90
最小包:30
起订量:1
增量:1
1+: ¥ 25.18
10+: ¥ 24.6
30+: ¥ 24.22
90+: ¥ 23.84
合计总额: ¥ 25.1800
SP25N120CTF
品牌: Siliup(矽普)
封装: TO-247
描述:
碳化硅场效应管(MOSFET) Siliup(矽普) TO-247
90
最小包:30
起订量:1
增量:1
1+: ¥ 25.18
10+: ¥ 24.6
30+: ¥ 24.22
90+: ¥ 23.84
合计总额: ¥ 25.1800
RSM1701K0W
封装: TO-247-3
描述:
碳化硅场效应管(MOSFET) REASUNOS(瑞森半导体) TO-247-3 1000mΩ 3V 1个N沟道 69W 5A 1700V 1.6pF 186pF 21.8nC -40℃~+150℃
RDS(on)-导通电阻(20V): 1000mΩ
Vgs(th)-漏源阈值电压: 3V
沟道类型: 1个N沟道
Pd-功耗: 69W
Id-漏极电流(25℃): 5A
Vds-漏源击穿电压: 1700V
Crss-反向传输电容: 1.6pF
Ciss-输入电容: 186pF
Qg-栅极电荷: 21.8nC
工作温度: -40℃~+150℃
115
最小包:30
起订量:1
增量:1
1+: ¥ 14.87
10+: ¥ 13.1
30+: ¥ 12
90+: ¥ 10.86
合计总额: ¥ 14.8700
RSM120080Z
封装: TO-247-4
描述:
碳化硅场效应管(MOSFET) REASUNOS(瑞森半导体) TO-247-4 80mΩ 2.4V 1个N沟道 166W 36A 1200V 11pF 1475pF 79nC -40℃~+150℃
RDS(on)-导通电阻(20V): 80mΩ
Vgs(th)-漏源阈值电压: 2.4V
沟道类型: 1个N沟道
Pd-功耗: 166W
Id-漏极电流(25℃): 36A
Vds-漏源击穿电压: 1200V
Crss-反向传输电容: 11pF
Ciss-输入电容: 1475pF
Qg-栅极电荷: 79nC
工作温度: -40℃~+150℃
16
最小包:30
起订量:1
增量:1
1+: ¥ 32.479999
10+: ¥ 29.1
30+: ¥ 27.03
合计总额: ¥ 32.4800
RSM120040W
封装: TO-247-3
描述:
碳化硅场效应管(MOSFET) REASUNOS(瑞森半导体) TO-247-3 2.6V 1个N沟道 340W 68A 1200V 11pF 2070pF 121nC -40℃~+175℃ 40mΩ
Vgs(th)-漏源阈值电压: 2.6V
沟道类型: 1个N沟道
Pd-功耗: 340W
Id-漏极电流(25℃): 68A
Vds-漏源击穿电压: 1200V
Crss-反向传输电容: 11pF
Ciss-输入电容: 2070pF
Qg-栅极电荷: 121nC
工作温度: -40℃~+175℃
RDS(on)-导通电阻(18V): 40mΩ
88
最小包:30
起订量:1
增量:1
1+: ¥ 41.04
10+: ¥ 36.42
30+: ¥ 33.61
合计总额: ¥ 41.0400
KXMW120R80T3
封装: TO-247-3L
描述:
碳化硅场效应管(MOSFET) Power X(芯科半导体) TO-247-3L 1个N沟道 251W 49A 1200V
沟道类型: 1个N沟道
Pd-功耗: 251W
Id-漏极电流(25℃): 49A
Vds-漏源击穿电压: 1200V
30
最小包:30
起订量:1
增量:1
1+: ¥ 38.95
10+: ¥ 34.14
30+: ¥ 31.21
合计总额: ¥ 38.9500
KXMT120R40T8
封装: TOLL-8L
描述:
碳化硅场效应管(MOSFET) Power X(芯科半导体) TOLL-8L 1个N沟道 365W 87A 1200V
沟道类型: 1个N沟道
Pd-功耗: 365W
Id-漏极电流(25℃): 87A
Vds-漏源击穿电压: 1200V
5
最小包:500
起订量:1
增量:1
1+: ¥ 40.17
10+: ¥ 39.22
30+: ¥ 38.59
合计总额: ¥ 40.1700
KXMW120R40T3
封装: TO-247-3L
描述:
碳化硅场效应管(MOSFET) Power X(芯科半导体) TO-247-3L 1个N沟道 519W 68A 1200V
沟道类型: 1个N沟道
Pd-功耗: 519W
Id-漏极电流(25℃): 68A
Vds-漏源击穿电压: 1200V
30
最小包:30
起订量:1
增量:1
1+: ¥ 51.41
10+: ¥ 45.06
30+: ¥ 41.19
合计总额: ¥ 51.4100
KN3M60065K
封装: TO-247-4
描述:
碳化硅场效应管(MOSFET) KNSCHA(科尼盛) TO-247-4 650V 51A
Vds-漏源击穿电压: 650V
Id-漏极电流(25℃): 51A
0
最小包:0
起订量:1
增量:1
暂无报价
合计总额: ¥ 0.0000
KN3M65017D
封装: TO-247-3
描述:
碳化硅场效应管(MOSFET) KNSCHA(科尼盛) TO-247-3 -55℃~+150℃ 650mΩ 1个N沟道 2.6V 62W 单管 7A 1700V 1.8pF 194pF 23nC
RDS(on)-导通电阻(15V): -
工作温度: -55℃~+150℃
RDS(on)-导通电阻(18V): -
配置: -
RDS(on)-导通电阻(20V): 650mΩ
沟道类型: 1个N沟道
Vgs(th)-漏源阈值电压: 2.6V
Pd-功耗: 62W
封装类型: 单管
Id-漏极电流(25℃): 7A
Vds-漏源击穿电压: 1700V
Crss-反向传输电容: 1.8pF
Ciss-输入电容: 194pF
Qg-栅极电荷: 23nC
RDS(on)-导通电阻(10V): -
329
最小包:30
起订量:1
增量:1
1+: ¥ 14.5255
10+: ¥ 13.357
30+: ¥ 12.6255
90+: ¥ 11.875
合计总额: ¥ 14.5255
KN3M80120K
封装: TO-247-4
描述:
碳化硅场效应管(MOSFET) KNSCHA(科尼盛) TO-247-4 38A 1200V
Id-漏极电流(25℃): 38A
Vds-漏源击穿电压: 1200V
13
最小包:30
起订量:1
增量:1
1+: ¥ 36.0715
10+: ¥ 31.8155
30+: ¥ 29.222
合计总额: ¥ 36.0715
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