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首页 产品类目 氮化镓(GaN)器件

氮化镓晶体管(GaN HEMT)
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当前 “氮化镓晶体管(GaN HEMT)” 共50件相关型号
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TP65H070LSG-TR
TP65H070LSG-TR
类目： 氮化镓晶体管(GaN HEMT)
品牌： Transphorm
封装： PQFN-3(8x8)
描述：
氮化镓晶体管(GaN HEMT) Transphorm PQFN-3(8x8)
无
0
最小包：500
起订量：1
增量：1
1+： ¥ 139.6
200+： ¥ 55.71
500+： ¥ 53.84
1000+： ¥ 52.92
合计总额： ¥ 139.6000
TP65H050G4WS
TP65H050G4WS
类目： 氮化镓晶体管(GaN HEMT)
品牌： Transphorm
封装： TO-247-3
描述：
氮化镓晶体管(GaN HEMT) Transphorm TO-247-3
无
0
最小包：30
起订量：1
增量：1
1+： ¥ 158.84
210+： ¥ 63.38
510+： ¥ 61.26
990+： ¥ 60.22
合计总额： ¥ 158.8400
TP44440HB
TP44440HB
类目： 氮化镓晶体管(GaN HEMT)
品牌： Tagore
封装： -
描述：
氮化镓晶体管(GaN HEMT) Tagore
无
0
最小包：1
起订量：1
增量：1
1+： ¥ 54.74
200+： ¥ 21.84
500+： ¥ 21.11
1000+： ¥ 20.75
合计总额： ¥ 54.7400
TP44220HB
TP44220HB
类目： 氮化镓晶体管(GaN HEMT)
品牌： Tagore
封装： -
描述：
氮化镓晶体管(GaN HEMT) Tagore
无
0
最小包：1
起订量：1
增量：1
1+： ¥ 71.11
200+： ¥ 28.38
500+： ¥ 27.43
1000+： ¥ 26.96
合计总额： ¥ 71.1100
TP44110HB
TP44110HB
类目： 氮化镓晶体管(GaN HEMT)
品牌： Tagore
封装： -
描述：
氮化镓晶体管(GaN HEMT) Tagore
无
0
最小包：1
起订量：1
增量：1
1+： ¥ 120.42
200+： ¥ 48.05
500+： ¥ 46.44
1000+： ¥ 45.65
合计总额： ¥ 120.4200
GPIRGIC15DFV
GPIRGIC15DFV
类目： 氮化镓晶体管(GaN HEMT)
品牌： GaNPower(镓能)
封装：
描述：
氮化镓晶体管(GaN HEMT) GaNPower(镓能)
无
0
最小包：5
起订量：1
增量：1
1+： ¥ 144.5
200+： ¥ 57.66
500+： ¥ 55.73
1000+： ¥ 54.78
合计总额： ¥ 144.5000
GPI4TIC15DFV
GPI4TIC15DFV
类目： 氮化镓晶体管(GaN HEMT)
品牌： GaNPower(镓能)
封装：
描述：
氮化镓晶体管(GaN HEMT) GaNPower(镓能)
无
0
最小包：1
起订量：1
增量：1
1+： ¥ 144.5
200+： ¥ 57.66
500+： ¥ 55.73
1000+： ¥ 54.78
合计总额： ¥ 144.5000
RC65E300Y
RC65E300Y
类目： 氮化镓晶体管(GaN HEMT)
品牌： RealChip(正芯半导体)
封装： DFN-8L(5x6)
描述：
氮化镓晶体管(GaN HEMT) RealChip(正芯半导体) DFN-8L(5x6) 650V 8A 38W 2.5V 300mΩ 1.35nC 46pF 0.7pF -55℃~+175℃
沟道类型： -
技术路线： -
Vds-漏源击穿电压： 650V
Id-漏极电流(25℃)： 8A
Pd-功耗： 38W
Vgs(th)-阈值电压： 2.5V
RDS(on)-导通电阻(10V)： -
RDS(on)-导通电阻(8V)： -
RDS(on)-导通电阻(6V)： 300mΩ
RDS(on)-导通电阻(4.5V)： -
RDS(on)-导通电阻(2.5V)： -
Qg-栅极电荷： 1.35nC
Ciss-输入电容： 46pF
Crss-反向传输电容： 0.7pF
工作温度： -55℃~+175℃
134
最小包：2500
起订量：1
增量：1
1+： ¥ 2.59
10+： ¥ 2.53
30+： ¥ 2.49
100+： ¥ 2.45
合计总额： ¥ 2.5900
RC65D600E
RC65D600E
类目： 氮化镓晶体管(GaN HEMT)
品牌： RealChip(正芯半导体)
封装： TO-252
描述：
氮化镓晶体管(GaN HEMT) RealChip(正芯半导体) TO-252 1个N沟道 650V 4.8A 25W 1.9V 600mΩ 7nC 243pF 0.4pF -55℃~+150℃
沟道类型： 1个N沟道
技术路线： -
Vds-漏源击穿电压： 650V
Id-漏极电流(25℃)： 4.8A
Pd-功耗： 25W
Vgs(th)-阈值电压： 1.9V
RDS(on)-导通电阻(10V)： 600mΩ
RDS(on)-导通电阻(8V)： -
RDS(on)-导通电阻(6V)： -
RDS(on)-导通电阻(4.5V)： -
RDS(on)-导通电阻(2.5V)： -
Qg-栅极电荷： 7nC
Ciss-输入电容： 243pF
Crss-反向传输电容： 0.4pF
工作温度： -55℃~+150℃
326
最小包：1000
起订量：1
增量：1
1+： ¥ 1.83
10+： ¥ 1.79
30+： ¥ 1.76
100+： ¥ 1.73
合计总额： ¥ 1.8300
RC65D160G
RC65D160G
类目： 氮化镓晶体管(GaN HEMT)
品牌： RealChip(正芯半导体)
封装： DFN-8L(8x8)
描述：
氮化镓晶体管(GaN HEMT) RealChip(正芯半导体) DFN-8L(8x8) 1个N沟道 650V 16A 78W 1.9V 160mΩ 7.2nC 239pF 1.4pF -55℃~+150℃
沟道类型： 1个N沟道
技术路线： -
Vds-漏源击穿电压： 650V
Id-漏极电流(25℃)： 16A
Pd-功耗： 78W
Vgs(th)-阈值电压： 1.9V
RDS(on)-导通电阻(10V)： 160mΩ
RDS(on)-导通电阻(8V)： -
RDS(on)-导通电阻(6V)： -
RDS(on)-导通电阻(4.5V)： -
RDS(on)-导通电阻(2.5V)： -
Qg-栅极电荷： 7.2nC
Ciss-输入电容： 239pF
Crss-反向传输电容： 1.4pF
工作温度： -55℃~+150℃
345
最小包：2500
起订量：1
增量：1
1+： ¥ 9.25
10+： ¥ 7.81
30+： ¥ 7.02
100+： ¥ 6.12
合计总额： ¥ 9.2500
RC65D270G
RC65D270G
类目： 氮化镓晶体管(GaN HEMT)
品牌： RealChip(正芯半导体)
封装： DFN-8L(8x8)
描述：
氮化镓晶体管(GaN HEMT) RealChip(正芯半导体) DFN-8L(8x8) 1个N沟道 650V 7.9A 32W 1.9V 270mΩ 7.2nC 243pF 0.8pF -55℃~+150℃
沟道类型： 1个N沟道
技术路线： -
Vds-漏源击穿电压： 650V
Id-漏极电流(25℃)： 7.9A
Pd-功耗： 32W
Vgs(th)-阈值电压： 1.9V
RDS(on)-导通电阻(10V)： 270mΩ
RDS(on)-导通电阻(8V)： -
RDS(on)-导通电阻(6V)： -
RDS(on)-导通电阻(4.5V)： -
RDS(on)-导通电阻(2.5V)： -
Qg-栅极电荷： 7.2nC
Ciss-输入电容： 243pF
Crss-反向传输电容： 0.8pF
工作温度： -55℃~+150℃
119
最小包：2500
起订量：1
增量：1
1+： ¥ 3.82
10+： ¥ 3.73
30+： ¥ 3.67
100+： ¥ 3.61
合计总额： ¥ 3.8200
RC65D270E
RC65D270E
类目： 氮化镓晶体管(GaN HEMT)
品牌： RealChip(正芯半导体)
封装： TO-252
描述：
氮化镓晶体管(GaN HEMT) RealChip(正芯半导体) TO-252 1个N沟道 650V 7.9A 32W 1.9V 270mΩ 7.2nC 243pF 0.8pF -55℃~+150℃
沟道类型： 1个N沟道
技术路线： -
Vds-漏源击穿电压： 650V
Id-漏极电流(25℃)： 7.9A
Pd-功耗： 32W
Vgs(th)-阈值电压： 1.9V
RDS(on)-导通电阻(10V)： 270mΩ
RDS(on)-导通电阻(8V)： -
RDS(on)-导通电阻(6V)： -
RDS(on)-导通电阻(4.5V)： -
RDS(on)-导通电阻(2.5V)： -
Qg-栅极电荷： 7.2nC
Ciss-输入电容： 243pF
Crss-反向传输电容： 0.8pF
工作温度： -55℃~+150℃
0
最小包：1000
起订量：1
增量：1
1+： ¥ 2.51
10+： ¥ 2.45
30+： ¥ 2.41
100+： ¥ 2.37
合计总额： ¥ 2.5100
RC65D270B
RC65D270B
类目： 氮化镓晶体管(GaN HEMT)
品牌： RealChip(正芯半导体)
封装： TO-252
描述：
氮化镓晶体管(GaN HEMT) RealChip(正芯半导体) TO-252 1个N沟道 650V 7.9A 32W 1.9V 270mΩ 7.2nC 243pF 0.8pF -55℃~+150℃
沟道类型： 1个N沟道
技术路线： -
Vds-漏源击穿电压： 650V
Id-漏极电流(25℃)： 7.9A
Pd-功耗： 32W
Vgs(th)-阈值电压： 1.9V
RDS(on)-导通电阻(10V)： 270mΩ
RDS(on)-导通电阻(8V)： -
RDS(on)-导通电阻(6V)： -
RDS(on)-导通电阻(4.5V)： -
RDS(on)-导通电阻(2.5V)： -
Qg-栅极电荷： 7.2nC
Ciss-输入电容： 243pF
Crss-反向传输电容： 0.8pF
工作温度： -55℃~+150℃
0
最小包：1000
起订量：1
增量：1
1+： ¥ 2.64
10+： ¥ 2.58
30+： ¥ 2.54
100+： ¥ 2.5
合计总额： ¥ 2.6400
RC65D160A
RC65D160A
类目： 氮化镓晶体管(GaN HEMT)
品牌： RealChip(正芯半导体)
封装： TO-220F
描述：
氮化镓晶体管(GaN HEMT) RealChip(正芯半导体) TO-220F 1个N沟道 650V 16A 78W 1.9V 160mΩ 7.2nC 239pF 1.4pF -55℃~+150℃
沟道类型： 1个N沟道
技术路线： -
Vds-漏源击穿电压： 650V
Id-漏极电流(25℃)： 16A
Pd-功耗： 78W
Vgs(th)-阈值电压： 1.9V
RDS(on)-导通电阻(10V)： 160mΩ
RDS(on)-导通电阻(8V)： -
RDS(on)-导通电阻(6V)： -
RDS(on)-导通电阻(4.5V)： -
RDS(on)-导通电阻(2.5V)： -
Qg-栅极电荷： 7.2nC
Ciss-输入电容： 239pF
Crss-反向传输电容： 1.4pF
工作温度： -55℃~+150℃
10
最小包：50
起订量：1
增量：1
1+： ¥ 8.09
10+： ¥ 6.83
50+： ¥ 6.14
合计总额： ¥ 8.0900
RC65D110A
RC65D110A
类目： 氮化镓晶体管(GaN HEMT)
品牌： RealChip(正芯半导体)
封装： TO-220
描述：
氮化镓晶体管(GaN HEMT) RealChip(正芯半导体) TO-220 1个N沟道 650V 20A 96W 1.9V 110mΩ 7.2nC 243pF 1.5pF -55℃~+150℃
沟道类型： 1个N沟道
技术路线： -
Vds-漏源击穿电压： 650V
Id-漏极电流(25℃)： 20A
Pd-功耗： 96W
Vgs(th)-阈值电压： 1.9V
RDS(on)-导通电阻(10V)： 110mΩ
RDS(on)-导通电阻(8V)： -
RDS(on)-导通电阻(6V)： -
RDS(on)-导通电阻(4.5V)： -
RDS(on)-导通电阻(2.5V)： -
Qg-栅极电荷： 7.2nC
Ciss-输入电容： 243pF
Crss-反向传输电容： 1.5pF
工作温度： -55℃~+150℃
352
最小包：50
起订量：1
增量：1
1+： ¥ 11.86
10+： ¥ 10.23
50+： ¥ 9.21
100+： ¥ 8.16
合计总额： ¥ 11.8600
INN650DA04
INN650DA04
类目： 氮化镓晶体管(GaN HEMT)
品牌： Innoscience(英诺赛科)
封装： DFN(5x6)
描述：
氮化镓晶体管(GaN HEMT) Innoscience(英诺赛科) DFN(5x6) 1个N沟道 650V 7A 39W 1.6V 365mΩ 0.9nC 34pF 0.4pF -55℃~+150℃
沟道类型： 1个N沟道
技术路线： -
Vds-漏源击穿电压： 650V
Id-漏极电流(25℃)： 7A
Pd-功耗： 39W
Vgs(th)-阈值电压： 1.6V
RDS(on)-导通电阻(10V)： -
RDS(on)-导通电阻(8V)： -
RDS(on)-导通电阻(6V)： 365mΩ
RDS(on)-导通电阻(4.5V)： -
RDS(on)-导通电阻(2.5V)： -
Qg-栅极电荷： 0.9nC
Ciss-输入电容： 34pF
Crss-反向传输电容： 0.4pF
工作温度： -55℃~+150℃
0
最小包：2500
起订量：1
增量：1
1+： ¥ 3.65
10+： ¥ 3
30+： ¥ 2.68
100+： ¥ 2.35
500+： ¥ 2.08
1000+： ¥ 1.98
合计总额： ¥ 3.6500
INN650D260A
INN650D260A
类目： 氮化镓晶体管(GaN HEMT)
品牌： Innoscience(英诺赛科)
封装： DFN(8x8)
描述：
氮化镓晶体管(GaN HEMT) Innoscience(英诺赛科) DFN(8x8) 1个N沟道 650V 22A 75W 1.6V 165mΩ 2nC 73pF 0.2pF -55℃~+150℃
沟道类型： 1个N沟道
技术路线： -
Vds-漏源击穿电压： 650V
Id-漏极电流(25℃)： 22A
Pd-功耗： 75W
Vgs(th)-阈值电压： 1.6V
RDS(on)-导通电阻(10V)： -
RDS(on)-导通电阻(8V)： -
RDS(on)-导通电阻(6V)： 165mΩ
RDS(on)-导通电阻(4.5V)： -
RDS(on)-导通电阻(2.5V)： -
Qg-栅极电荷： 2nC
Ciss-输入电容： 73pF
Crss-反向传输电容： 0.2pF
工作温度： -55℃~+150℃
1667
最小包：2500
起订量：1
增量：1
1+： ¥ 8.79
10+： ¥ 7.47
30+： ¥ 6.75
100+： ¥ 5.93
500+： ¥ 5.57
1000+： ¥ 5.4
合计总额： ¥ 8.7900
INN650DA260A
INN650DA260A
类目： 氮化镓晶体管(GaN HEMT)
品牌： Innoscience(英诺赛科)
封装： DFN(5x6)
描述：
氮化镓晶体管(GaN HEMT) Innoscience(英诺赛科) DFN(5x6) 1个N沟道 650V 12A 75W 1.6V 165mΩ 2nC 73pF 0.2pF -55℃~+150℃
沟道类型： 1个N沟道
技术路线： -
Vds-漏源击穿电压： 650V
Id-漏极电流(25℃)： 12A
Pd-功耗： 75W
Vgs(th)-阈值电压： 1.6V
RDS(on)-导通电阻(10V)： 165mΩ
RDS(on)-导通电阻(8V)： -
RDS(on)-导通电阻(6V)： -
RDS(on)-导通电阻(4.5V)： -
RDS(on)-导通电阻(2.5V)： -
Qg-栅极电荷： 2nC
Ciss-输入电容： 73pF
Crss-反向传输电容： 0.2pF
工作温度： -55℃~+150℃
0
最小包：2500
起订量：1
增量：1
1+： ¥ 7.89
10+： ¥ 6.66
30+： ¥ 5.98
100+： ¥ 5.22
500+： ¥ 4.67
1000+： ¥ 4.51
合计总额： ¥ 7.8900
INN650D02
INN650D02
类目： 氮化镓晶体管(GaN HEMT)
品牌： Innoscience(英诺赛科)
封装： DFN(8x8)
描述：
氮化镓晶体管(GaN HEMT) Innoscience(英诺赛科) DFN(8x8)
无
0
最小包：2500
起订量：1
增量：1
1+： ¥ 10.98
10+： ¥ 9.47
30+： ¥ 8.53
100+： ¥ 7.23
500+： ¥ 6.79
1000+： ¥ 6.6
合计总额： ¥ 10.9800
EPC7020GC
EPC7020GC
类目： 氮化镓晶体管(GaN HEMT)
品牌： EPC
封装： SMD-5P
描述：
氮化镓晶体管(GaN HEMT) EPC SMD-5P
无
0
最小包：1
起订量：1
增量：1
1+： ¥ 2207.85
200+： ¥ 2073.61
500+： ¥ 2004.32
1000+： ¥ 1970.08
合计总额： ¥ 2207.8500
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