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首页 产品类目 三极管/MOS管/晶体管 场效应管(MOSFET) TPD60R360MFD

TPD60R360MFD

TPD60R360MFD
型号：
TPD60R360MFD
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品牌： 无锡紫光微
封装： TO-252
包装： Reel
毛重： 0（克g）
整包： 2500/Reel
库存： 785
到货通知
起订量： 1
增量： 1
描述： 无锡紫光微 场效应管(MOSFET) TO-252 600V 11A 320mΩ@10V,5.5A 83W 5V@250uA 2pF@100V N沟道 890pF@100V 20.5nC@10V -55℃~+150℃@(Tj)
数据手册： 下载地址

TPD60R360MFD价格库存

数量
单价（含税）
总价（含税）
1+
¥ 0.9291
¥ 0.9291
10+
¥ 0.7764
¥ 7.7640
30+
¥ 0.7001
¥ 21.0030
100+
¥ 0.6237
¥ 62.3700
500+
¥ 0.5091
¥ 254.5500
1000+
¥ 0.4869
¥ 486.9000
库存：785
起订量：1
增量：1
购买数量：
x ¥ 0.9291 (单价)
总 价：
¥ 0.9291

TPD60R360MFD属性参数

找到类似型号： 60,584 件 查看类似型号
属性
参数值
类目
场效应管(MOSFET)
品牌
无锡紫光微
封装
TO-252
漏源电压(Vdss)
600V
连续漏极电流(Id)
11A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)
320mΩ@10V,5.5A
功率(Pd)
83W
阈值电压(Vgs(th)@Id)
5V@250uA
反向传输电容(Crss@Vds)
2pF@100V
类型
N沟道
输入电容(Ciss@Vds)
890pF@100V
栅极电荷(Qg@Vgs)
20.5nC@10V
工作温度
-55℃~+150℃@(Tj)

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