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首页 产品类目 三极管/MOS管/晶体管 场效应管(MOSFET) TPD50R250C

TPD50R250C

TPD50R250C
型号：
TPD50R250C
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品牌： 无锡紫光微
封装： TO-252
包装： Reel
毛重： 0（克g）
整包： 2500/Reel
库存： 0
到货通知
起订量： 1
增量： 1
描述： 无锡紫光微 场效应管(MOSFET) TO-252 550V 11A 220mΩ@10V,5.5A 78W 4V@250uA 5.5pF@50V N沟道 901pF@50V 21nC@10V -55℃~+150℃@(Tj)
数据手册： 下载地址

TPD50R250C价格库存

数量
单价（含税）
总价（含税）
1+
¥ 0.7716
¥ 0.7716
10+
¥ 0.646
¥ 6.4600
30+
¥ 0.5823
¥ 17.4690
100+
¥ 0.5187
¥ 51.8700
500+
¥ 0.4821
¥ 241.0500
1000+
¥ 0.463
¥ 463.0000
库存：0
起订量：1
增量：1
购买数量：
x ¥ 0.7716 (单价)
总 价：
¥ 0.7716

TPD50R250C属性参数

找到类似型号： 60,584 件 查看类似型号
属性
参数值
类目
场效应管(MOSFET)
品牌
无锡紫光微
封装
TO-252
漏源电压(Vdss)
550V
连续漏极电流(Id)
11A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)
220mΩ@10V,5.5A
功率(Pd)
78W
阈值电压(Vgs(th)@Id)
4V@250uA
反向传输电容(Crss@Vds)
5.5pF@50V
类型
N沟道
输入电容(Ciss@Vds)
901pF@50V
栅极电荷(Qg@Vgs)
21nC@10V
工作温度
-55℃~+150℃@(Tj)

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