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首页 产品类目 三极管/MOS管/晶体管 场效应管(MOSFET) TPD60R580C

TPD60R580C

TPD60R580C
型号：
TPD60R580C
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品牌： 无锡紫光微
封装： TO-252
包装： Reel
毛重： 0（克g）
整包： 2500/Reel
库存： 2293
到货通知
起订量： 1
增量： 1
描述： 无锡紫光微 场效应管(MOSFET) TO-252 600V 7A 500mΩ@10V,3A 63W 4V@250uA 4pF@50V N沟道 587pF@50V 14.5nC@10V -55℃~+150℃@(Tj)
数据手册： 下载地址

TPD60R580C价格库存

数量
单价（含税）
总价（含税）
1+
¥ 0.5521
¥ 0.5521
10+
¥ 0.4582
¥ 4.5820
30+
¥ 0.4105
¥ 12.3150
100+
¥ 0.3644
¥ 36.4400
500+
¥ 0.2944
¥ 147.2000
1000+
¥ 0.2801
¥ 280.1000
库存：2293
起订量：1
增量：1
购买数量：
x ¥ 0.5521 (单价)
总 价：
¥ 0.5521

TPD60R580C属性参数

找到类似型号： 60,584 件 查看类似型号
属性
参数值
类目
场效应管(MOSFET)
品牌
无锡紫光微
封装
TO-252
漏源电压(Vdss)
600V
连续漏极电流(Id)
7A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)
500mΩ@10V,3A
功率(Pd)
63W
阈值电压(Vgs(th)@Id)
4V@250uA
反向传输电容(Crss@Vds)
4pF@50V
类型
N沟道
输入电容(Ciss@Vds)
587pF@50V
栅极电荷(Qg@Vgs)
14.5nC@10V
工作温度
-55℃~+150℃@(Tj)

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