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首页 产品类目 三极管/MOS管/晶体管 场效应管(MOSFET) NP80N04NDG-S18-AY

NP80N04NDG-S18-AY

NP80N04NDG-S18-AY
型号：
NP80N04NDG-S18-AY
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品牌： NEC(日电电子)
封装： TO-262
包装： Tube
毛重： 1（克g）
整包： 50/Tube
库存： 0
到货通知
起订量： 1
增量： 1
描述： NEC(日电电子) 场效应管(MOSFET) TO-262 40V 80A 4.8mΩ@40A,10V 1.8W;115W 2.5V@250uA N沟道 6.9nF@25V 135nC@10V +175℃
数据手册： 下载地址

NP80N04NDG-S18-AY价格库存

数量
单价（含税）
总价（含税）
1+
¥ 2.0953
¥ 2.0953
200+
¥ 0.8114
¥ 162.2800
500+
¥ 0.7828
¥ 391.4000
1000+
¥ 0.7685
¥ 768.5000
库存：0
起订量：1
增量：1
购买数量：
x ¥ 2.0953 (单价)
总 价：
¥ 2.0953

NP80N04NDG-S18-AY属性参数

找到类似型号： 60,584 件 查看类似型号
属性
参数值
类目
场效应管(MOSFET)
品牌
NEC(日电电子)
封装
TO-262
漏源电压(Vdss)
40V
连续漏极电流(Id)
80A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)
4.8mΩ@40A,10V
功率(Pd)
1.8W;115W
阈值电压(Vgs(th)@Id)
2.5V@250uA
类型
N沟道
输入电容(Ciss@Vds)
6.9nF@25V
栅极电荷(Qg@Vgs)
135nC@10V
工作温度
+175℃

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