GL1S12N06L-D8

GL1S12N06L-D8
型号:
GL1S12N06L-D8
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品牌: GL(光磊)
封装: SOIC-8
包装: Reel
毛重: 0(克g)
整包: 4000/Reel
库存: 1329
起订量: 1
增量: 1
描述: GL(光磊) 场效应管(MOSFET) SOIC-8 60V 12A 58mΩ@10V,6A 2W 1.4V@250uA 20pF@30V 2个N沟道 250pF@30V 6.6nC@10V -55℃~+175℃@(Tj)
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GL1S12N06L-D8价格库存

数量
单价(含税)
总价(含税)
1+
¥ 0.1895
¥ 0.1895
10+
¥ 0.1561
¥ 1.5610
30+
¥ 0.1417
¥ 4.2510
100+
¥ 0.1238
¥ 12.3800
500+
¥ 0.1158
¥ 57.9000
1000+
¥ 0.1111
¥ 111.1000
库存:1329
起订量:1
增量:1
购买数量:
x ¥ 0.1895 (单价)
总 价:
¥ 0.1895

GL1S12N06L-D8属性参数

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属性
参数值
封装
SOIC-8
漏源电压(Vdss)
60V
连续漏极电流(Id)
12A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)
58mΩ@10V,6A
功率(Pd)
2W
阈值电压(Vgs(th)@Id)
1.4V@250uA
反向传输电容(Crss@Vds)
20pF@30V
类型
2个N沟道
输入电容(Ciss@Vds)
250pF@30V
栅极电荷(Qg@Vgs)
6.6nC@10V
工作温度
-55℃~+175℃@(Tj)

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