TSD18N20M

TSD18N20M
型号:
TSD18N20M
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封装: TO-252-2
包装: Reel
毛重: 0(克g)
整包: 2500/Reel
库存: 4610
起订量: 1
增量: 1
描述: Truesemi(信安) 场效应管(MOSFET) TO-252-2 200V 18A 170mΩ N沟道
数据手册: 下载地址

TSD18N20M价格库存

数量
单价(含税)
总价(含税)
1+
¥ 0.2148
¥ 0.2148
10+
¥ 0.1894
¥ 1.8940
30+
¥ 0.1846
¥ 5.5380
100+
¥ 0.1751
¥ 17.5100
库存:4610
起订量:1
增量:1
购买数量:
x ¥ 0.2148 (单价)
总 价:
¥ 0.2148

TSD18N20M属性参数

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属性
参数值
封装
TO-252-2
漏源电压(Vdss)
200V
连续漏极电流(Id)
18A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)
170mΩ
功率(Pd)
-
阈值电压(Vgs(th)@Id)
-
反向传输电容(Crss@Vds)
-
类型
N沟道
输入电容(Ciss@Vds)
-
栅极电荷(Qg@Vgs)
-

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