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首页 产品类目 三极管/MOS管/晶体管 场效应管(MOSFET) AP9N20D

AP9N20D

AP9N20D
型号：
AP9N20D
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品牌： APM(永源微电子)
封装： TO-252-3L
包装： Reel
毛重： 0（克g）
整包： 2500/Reel
库存： 5
到货通知
起订量： 5
增量： 5
描述： APM(永源微电子) 场效应管(MOSFET) TO-252-3L 200V 9A 230mΩ@10V,4.5A 74W 1.6V@250uA 37pF@25V 1个N沟道 684pF@25V 23nC@10V -55℃~+150℃@(Tj)
数据手册： 下载地址

AP9N20D价格库存

数量
单价（含税）
总价（含税）
5+
¥ 0.7669
¥ 3.8345
50+
¥ 0.7494
¥ 37.4700
150+
¥ 0.7377
¥ 110.6550
500+
¥ 0.7259
¥ 362.9500
库存：5
起订量：5
增量：5
购买数量：
x ¥ 0.7669 (单价)
总 价：
¥ 3.8345

AP9N20D属性参数

找到类似型号： 60,584 件 查看类似型号
属性
参数值
类目
场效应管(MOSFET)
品牌
APM(永源微电子)
封装
TO-252-3L
漏源电压(Vdss)
200V
连续漏极电流(Id)
9A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)
230mΩ@10V,4.5A
功率(Pd)
74W
阈值电压(Vgs(th)@Id)
1.6V@250uA
反向传输电容(Crss@Vds)
37pF@25V
类型
1个N沟道
输入电容(Ciss@Vds)
684pF@25V
栅极电荷(Qg@Vgs)
23nC@10V
工作温度
-55℃~+150℃@(Tj)

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