GBS65060TOA

GBS65060TOA
型号:
GBS65060TOA
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封装: TO-220
包装: Tube
毛重: 1(克g)
整包: 50/Tube
库存: 50
起订量: 1
增量: 1
描述: GOSEMICON(顾邦半导体) 场效应管(MOSFET) TO-220 650V 23A 50mΩ@10V,16.4A 192W 4.1V 4pF 1个N沟道 4.3nF 95nC -55℃~+150℃
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GBS65060TOA价格库存

数量
单价(含税)
总价(含税)
1+
¥ 18.11
¥ 18.1100
10+
¥ 16.17
¥ 161.7000
30+
¥ 14.7
¥ 441.0000
库存:50
起订量:1
增量:1
购买数量:
x ¥ 18.11 (单价)
总 价:
¥ 18.1100

GBS65060TOA属性参数

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属性
参数值
封装
TO-220
漏源电压(Vdss)
650V
连续漏极电流(Id)
23A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)
50mΩ@10V,16.4A
功率(Pd)
192W
阈值电压(Vgs(th)@Id)
4.1V
反向传输电容(Crss@Vds)
4pF
类型
1个N沟道
输入电容(Ciss@Vds)
4.3nF
栅极电荷(Qg@Vgs)
95nC
工作温度
-55℃~+150℃

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