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首页 产品类目 三极管/MOS管/晶体管 场效应管(MOSFET) DHS052N10E

DHS052N10E

DHS052N10E
型号：
DHS052N10E
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品牌： WXDH(东海半导体)
封装： TO-263
包装： Reel
毛重： 1（克g）
整包： 800/Reel
库存： 95
到货通知
起订量： 1
增量： 1
描述： WXDH(东海半导体) 场效应管(MOSFET) TO-263 100V 110A 190W 5.1mΩ@10V,70A 3V@250uA 27pF@30V 1个N沟道 5.384nF@30V 74nC@10V -55℃~+175℃
数据手册： 下载地址

DHS052N10E价格库存

数量
单价（含税）
总价（含税）
1+
¥ 2.45
¥ 2.4500
10+
¥ 2.4
¥ 24.0000
30+
¥ 2.37
¥ 71.1000
100+
¥ 2.34
¥ 234.0000
库存：95
起订量：1
增量：1
购买数量：
x ¥ 2.45 (单价)
总 价：
¥ 2.4500

DHS052N10E属性参数

找到类似型号： 60,584 件 查看类似型号
属性
参数值
类目
场效应管(MOSFET)
品牌
WXDH(东海半导体)
封装
TO-263
漏源电压(Vdss)
100V
连续漏极电流(Id)
110A
功率(Pd)
190W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)
5.1mΩ@10V,70A
阈值电压(Vgs(th)@Id)
3V@250uA
反向传输电容(Crss@Vds)
27pF@30V
类型
1个N沟道
输入电容(Ciss@Vds)
5.384nF@30V
栅极电荷(Qg@Vgs)
74nC@10V
工作温度
-55℃~+175℃

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