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首页 产品类目 三极管/MOS管/晶体管 场效应管(MOSFET) HRT60N10D

HRT60N10D

HRT60N10D
型号：
HRT60N10D
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品牌： HRmicro(华瑞微)
封装： TO-252-2
包装： 圆盘
毛重： 0（克g）
整包： 2500/圆盘
库存： 56
到货通知
起订量： 1
增量： 1
描述： HRmicro(华瑞微) 场效应管(MOSFET) TO-252-2 1个N沟道 60V 75A 105W 7.5mΩ@10V,20A 3V@250uA 76nC@10V 4.938nF@30V 167pF@30V -55℃~+150℃@(Tj)
数据手册： 下载地址

HRT60N10D价格库存

数量
单价（含税）
总价（含税）
1+
¥ 1.6707
¥ 1.6707
10+
¥ 1.3557
¥ 13.5570
30+
¥ 1.2207
¥ 36.6210
库存：56
起订量：1
增量：1
购买数量：
x ¥ 1.6707 (单价)
总 价：
¥ 1.6707

HRT60N10D属性参数

找到类似型号： 60,584 件 查看类似型号
属性
参数值
类目
场效应管(MOSFET)
品牌
HRmicro(华瑞微)
封装
TO-252-2
类型
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
60V
连续漏极电流(Id)
75A
功率(Pd)
105W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)
7.5mΩ@10V,20A
阈值电压(Vgs(th)@Id)
3V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)
76nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)
4.938nF@30V
反向传输电容(Crss@Vds)
167pF@30V
工作温度
-55℃~+150℃@(Tj)

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