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首页 产品类目 三极管/MOS管/晶体管 IGBT管/模块 XD050H065CX1S3

XD050H065CX1S3

XD050H065CX1S3
型号：
XD050H065CX1S3
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品牌： XDM(芯达茂)
封装： TO-247-3L
包装： 管
毛重： 7（克g）
整包： 30/管
库存： 0
到货通知
起订量： 1
增量： 1
描述： XDM(芯达茂) IGBT管/模块 TO-247-3L 650V 50A 385W 1.55V@50A,15V 4V@750uA 115nC@50A,15V 3.821nF@25V 28ns 177ns 0.83mJ 1.58mJ 117ns
数据手册： 下载地址

XD050H065CX1S3价格库存

数量
单价（含税）
总价（含税）
1+
¥ 18.51
¥ 18.5100
10+
¥ 15.74
¥ 157.4000
30+
¥ 14.09
¥ 422.7000
90+
¥ 12.42
¥ 1117.8000
库存：0
起订量：1
增量：1
购买数量：
x ¥ 18.51 (单价)
总 价：
¥ 18.5100

XD050H065CX1S3属性参数

找到类似型号： 5,537 件 查看类似型号
属性
参数值
类目
IGBT管/模块
品牌
XDM(芯达茂)
封装
TO-247-3L
IGBT类型
-
集射极击穿电压(Vces)
650V
集电极电流(Ic)
50A
功率(Pd)
385W
集射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Vge)
1.55V@50A,15V
栅极阈值电压(Vge(th)@Ic)
4V@750uA
栅极电荷(Qg@Ic,Vge)
115nC@50A,15V
输入电容(Cies@Vce)
3.821nF@25V
开启延迟时间(Td(on))
28ns
关断延迟时间(Td(off))
177ns
导通损耗(Eon)
0.83mJ
关断损耗(Eoff)
1.58mJ
反向恢复时间(trr)
117ns

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