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首页 产品类目 三极管/MOS管/晶体管 场效应管(MOSFET) HYG053N10NS1B

HYG053N10NS1B

HYG053N10NS1B
型号：
HYG053N10NS1B
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品牌： HUAYI(华羿微)
封装： TO-263-2
包装： Reel
毛重： 1（克g）
整包： 800/Reel
库存： 872
到货通知
起订量： 1
增量： 1
描述： HUAYI(华羿微) 场效应管(MOSFET) TO-263-2 100V 120A 187.5W 4.8mΩ@10V,50A 3V@250uA 76pF@25V 1个N沟道 4.036nF@25V 70nC@10V -55℃~+175℃@(Tj)
数据手册： 下载地址

HYG053N10NS1B价格库存

数量
单价（含税）
总价（含税）
1+
¥ 2.79
¥ 2.7900
10+
¥ 2.26
¥ 22.6000
30+
¥ 2.03
¥ 60.9000
100+
¥ 1.75
¥ 175.0000
500+
¥ 1.49
¥ 745.0000
800+
¥ 1.42
¥ 1136.0000
库存：872
起订量：1
增量：1
购买数量：
x ¥ 2.79 (单价)
总 价：
¥ 2.7900

HYG053N10NS1B属性参数

找到类似型号： 60,584 件 查看类似型号
属性
参数值
类目
场效应管(MOSFET)
品牌
HUAYI(华羿微)
封装
TO-263-2
漏源电压(Vdss)
100V
连续漏极电流(Id)
120A
功率(Pd)
187.5W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)
4.8mΩ@10V,50A
阈值电压(Vgs(th)@Id)
3V@250uA
反向传输电容(Crss@Vds)
76pF@25V
类型
1个N沟道
输入电容(Ciss@Vds)
4.036nF@25V
栅极电荷(Qg@Vgs)
70nC@10V
工作温度
-55℃~+175℃@(Tj)

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