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首页 产品类目 三极管/MOS管/晶体管 场效应管(MOSFET) HSU55N02

HSU55N02

HSU55N02
型号：
HSU55N02
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品牌： HUASHUO(华朔)
封装： TO-252
包装： Reel
毛重： 1（克g）
整包： 2500/Reel
库存： 2500
到货通知
起订量： 5
增量： 5
描述： HUASHUO(华朔) 场效应管(MOSFET) TO-252 20V 55A 7mΩ@4.5V,20A 29W 900mV@250uA 125pF@10V 1个N沟道 2.25nF@10V 23nC@4.5V -55℃~+150℃@(Tj)
数据手册： 下载地址

HSU55N02价格库存

数量
单价（含税）
总价（含税）
5+
¥ 0.5473
¥ 2.7365
50+
¥ 0.4433
¥ 22.1650
150+
¥ 0.3913
¥ 58.6950
500+
¥ 0.3523
¥ 176.1500
2500+
¥ 0.3211
¥ 802.7500
库存：2500
起订量：5
增量：5
购买数量：
x ¥ 0.5473 (单价)
总 价：
¥ 2.7365

HSU55N02属性参数

找到类似型号： 60,584 件 查看类似型号
属性
参数值
类目
场效应管(MOSFET)
品牌
HUASHUO(华朔)
封装
TO-252
漏源电压(Vdss)
20V
连续漏极电流(Id)
55A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)
7mΩ@4.5V,20A
功率(Pd)
29W
阈值电压(Vgs(th)@Id)
900mV@250uA
反向传输电容(Crss@Vds)
125pF@10V
类型
1个N沟道
输入电容(Ciss@Vds)
2.25nF@10V
栅极电荷(Qg@Vgs)
23nC@4.5V
工作温度
-55℃~+150℃@(Tj)

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