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首页 产品类目 三极管/MOS管/晶体管 场效应管(MOSFET) HSW2004

HSW2004

HSW2004
型号：
HSW2004
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品牌： HUASHUO(华朔)
封装： SOT-23-6L
包装： Reel
毛重： 1（克g）
整包： 3000/Reel
库存： 3000
到货通知
起订量： 5
增量： 5
描述： HUASHUO(华朔) 场效应管(MOSFET) SOT-23-6L 20V 4A 24mΩ@4.5V,4A;45mΩ@4.5V,4A 1.4W 1V@250uA 93pF@10V;92pF@10V 1个N沟道+1个P沟道 500pF@10V;661pF@10V 10nC@4.5V;6.9nC@4.5V -55℃~+150℃@(Tj)
数据手册： 下载地址

HSW2004价格库存

数量
单价（含税）
总价（含税）
5+
¥ 0.48415
¥ 2.4207
50+
¥ 0.39215
¥ 19.6075
150+
¥ 0.34615
¥ 51.9225
500+
¥ 0.31165
¥ 155.8250
3000+
¥ 0.28405
¥ 852.1500
库存：3000
起订量：5
增量：5
购买数量：
x ¥ 0.48415 (单价)
总 价：
¥ 2.4207

HSW2004属性参数

找到类似型号： 60,584 件 查看类似型号
属性
参数值
类目
场效应管(MOSFET)
品牌
HUASHUO(华朔)
封装
SOT-23-6L
漏源电压(Vdss)
20V
连续漏极电流(Id)
4A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)
24mΩ@4.5V,4A;45mΩ@4.5V,4A
功率(Pd)
1.4W
阈值电压(Vgs(th)@Id)
1V@250uA
反向传输电容(Crss@Vds)
93pF@10V;92pF@10V
类型
1个N沟道+1个P沟道
输入电容(Ciss@Vds)
500pF@10V;661pF@10V
栅极电荷(Qg@Vgs)
10nC@4.5V;6.9nC@4.5V
工作温度
-55℃~+150℃@(Tj)

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