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首页 产品类目 三极管/MOS管/晶体管 场效应管(MOSFET) HSW2N10D

HSW2N10D

HSW2N10D
型号：
HSW2N10D
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品牌： HUASHUO(华朔)
封装： SOT-23-6L
包装： Reel
毛重： 0（克g）
整包： 3000/Reel
库存： 3000
到货通知
起订量： 5
增量： 5
描述： HUASHUO(华朔) 场效应管(MOSFET) SOT-23-6L 100V 2A 220mΩ@10V,2A 700mW 1.4V@250uA 2个N沟道
数据手册： 下载地址

HSW2N10D价格库存

数量
单价（含税）
总价（含税）
5+
¥ 0.651895
¥ 3.2595
50+
¥ 0.531895
¥ 26.5948
150+
¥ 0.471895
¥ 70.7843
500+
¥ 0.426895
¥ 213.4475
2500+
¥ 0.390895
¥ 977.2375
库存：3000
起订量：5
增量：5
购买数量：
x ¥ 0.651895 (单价)
总 价：
¥ 3.2595

HSW2N10D属性参数

找到类似型号： 60,584 件 查看类似型号
属性
参数值
类目
场效应管(MOSFET)
品牌
HUASHUO(华朔)
封装
SOT-23-6L
漏源电压(Vdss)
100V
连续漏极电流(Id)
2A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)
220mΩ@10V,2A
功率(Pd)
700mW
阈值电压(Vgs(th)@Id)
1.4V@250uA
类型
2个N沟道

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