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首页 产品类目 三极管/MOS管/晶体管 场效应管(MOSFET) HSX80N20

HSX80N20

HSX80N20
型号：
HSX80N20
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品牌： HUASHUO(华朔)
封装： TO-247
包装： Tube
毛重： 7（克g）
整包： 30/Tube
库存： 60
到货通知
起订量： 1
增量： 1
描述： HUASHUO(华朔) 场效应管(MOSFET) TO-247 200V 80A 20mΩ@10V,30A 370W 4V@250uA 99pF@50V 1个N沟道 7.49nF@50V 115nC@10V -55℃~+150℃@(Tj)
数据手册： 下载地址

HSX80N20价格库存

数量
单价（含税）
总价（含税）
1+
¥ 12.77
¥ 12.7700
10+
¥ 11.01
¥ 110.1000
30+
¥ 9.91
¥ 297.3000
库存：60
起订量：1
增量：1
购买数量：
x ¥ 12.77 (单价)
总 价：
¥ 12.7700

HSX80N20属性参数

找到类似型号： 60,584 件 查看类似型号
属性
参数值
类目
场效应管(MOSFET)
品牌
HUASHUO(华朔)
封装
TO-247
漏源电压(Vdss)
200V
连续漏极电流(Id)
80A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)
20mΩ@10V,30A
功率(Pd)
370W
阈值电压(Vgs(th)@Id)
4V@250uA
反向传输电容(Crss@Vds)
99pF@50V
类型
1个N沟道
输入电容(Ciss@Vds)
7.49nF@50V
栅极电荷(Qg@Vgs)
115nC@10V
工作温度
-55℃~+150℃@(Tj)

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