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首页 产品类目 三极管/MOS管/晶体管 场效应管(MOSFET) TP65H050G4BS

TP65H050G4BS

TP65H050G4BS
型号：
TP65H050G4BS
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品牌： Transphorm
封装： TO-263
包装： Tube
毛重： 1（克g）
整包： 50/Tube
库存： 0
到货通知
起订量： 1
增量： 1
描述： Transphorm 场效应管(MOSFET) TO-263 650V 34A 60mΩ@22A,10V 119W 4.8V@700uA 1个N沟道 1nF@400V 24nC@10V -55℃~+150℃@(Tj)
数据手册： 下载地址

TP65H050G4BS价格库存

数量
单价（含税）
总价（含税）
1+
¥ 138.66
¥ 138.6600
200+
¥ 55.33
¥ 11066.0000
500+
¥ 53.48
¥ 26740.0000
1000+
¥ 52.57
¥ 52570.0000
库存：0
起订量：1
增量：1
购买数量：
x ¥ 138.66 (单价)
总 价：
¥ 138.6600

TP65H050G4BS属性参数

找到类似型号： 60,584 件 查看类似型号
属性
参数值
类目
场效应管(MOSFET)
品牌
Transphorm
封装
TO-263
漏源电压(Vdss)
650V
连续漏极电流(Id)
34A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)
60mΩ@22A,10V
功率(Pd)
119W
阈值电压(Vgs(th)@Id)
4.8V@700uA
类型
1个N沟道
输入电容(Ciss@Vds)
1nF@400V
栅极电荷(Qg@Vgs)
24nC@10V
工作温度
-55℃~+150℃@(Tj)

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