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首页 产品类目 氮化镓(GaN)器件 氮化镓晶体管(GaN HEMT) GN1065T4ZG

GN1065T4ZG

GN1065T4ZG
型号：
GN1065T4ZG
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品牌： Grenergy(南京绿芯)
封装： DFN-3L(5x6)
包装： 圆盘
毛重： 0（克g）
整包： 4000/圆盘
库存： 3995
到货通知
起订量： 1
增量： 1
描述： Grenergy(南京绿芯) 氮化镓晶体管(GaN HEMT) DFN-3L(5x6) 1个N沟道 650V 3.6A 13.2W 2.2V 480mΩ 9nC 760pF 1.5pF -55℃~+150℃
数据手册： 下载地址

GN1065T4ZG价格库存

数量
单价（含税）
总价（含税）
1+
¥ 4.49
¥ 4.4900
10+
¥ 3.7
¥ 37.0000
30+
¥ 3.31
¥ 99.3000
100+
¥ 2.91
¥ 291.0000
500+
¥ 2.68
¥ 1340.0000
1000+
¥ 2.56
¥ 2560.0000
库存：3995
起订量：1
增量：1
购买数量：
x ¥ 4.49 (单价)
总 价：
¥ 4.4900

GN1065T4ZG属性参数

找到类似型号： 50 件 查看类似型号
属性
参数值
类目
氮化镓晶体管(GaN HEMT)
品牌
Grenergy(南京绿芯)
封装
DFN-3L(5x6)
沟道类型
1个N沟道
技术路线
-
Vds-漏源击穿电压
650V
Id-漏极电流(25℃)
3.6A
Pd-功耗
13.2W
Vgs(th)-阈值电压
2.2V
RDS(on)-导通电阻(10V)
-
RDS(on)-导通电阻(8V)
480mΩ
RDS(on)-导通电阻(6V)
-
RDS(on)-导通电阻(4.5V)
-
RDS(on)-导通电阻(2.5V)
-
Qg-栅极电荷
9nC
Ciss-输入电容
760pF
Crss-反向传输电容
1.5pF
工作温度
-55℃~+150℃

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