芯贸网 - 电子元器件现货平台
您好，
会员套餐 广告服务
  • 全部分类
    • 电容/电阻/电感
    • 微控制器/逻辑器件
    • 二极管/晶体管
    • 板级电路保护/电源管理
    • 接口芯片/时钟和计时
    • 连接器/开关
    • 数据转换芯片/射频无线
    • 光电器件/显示模块
    • 滤波器/晶体/振荡器
    • 存储器/传感器/隔离器件
    • 继电器/蜂鸣器/马达
    • 功能模块/通信模块
    • 放大器/开发板
  • 首页
  • 芯片/元器件
  • 品牌专区
首页 产品类目 碳化硅(SiC)器件 碳化硅场效应管(MOSFET) S1M040120D

S1M040120D

S1M040120D
型号：
S1M040120D
加入收藏
品牌： SICHAIN(清纯)
封装： TO-247-3L
包装： Tube
毛重： 9（克g）
整包： 30/Tube
库存： 50
到货通知
起订量： 1
增量： 1
描述： SICHAIN(清纯) 碳化硅场效应管(MOSFET) TO-247-3L 1个N沟道 2.8V 326W 73A 1200V 10pF 2159pF 76nC 40mΩ -55℃~+175℃ 32mΩ
数据手册： 下载地址

S1M040120D价格库存

数量
单价（含税）
总价（含税）
1+
¥ 36.652
¥ 36.6520
10+
¥ 35.847
¥ 358.4700
30+
¥ 35.308
¥ 1059.2400
库存：50
起订量：1
增量：1
购买数量：
x ¥ 36.652 (单价)
总 价：
¥ 36.6520

S1M040120D属性参数

找到类似型号： 381 件 查看类似型号
属性
参数值
类目
碳化硅场效应管(MOSFET)
品牌
SICHAIN(清纯)
封装
TO-247-3L
沟道类型
1个N沟道
Vgs(th)-漏源阈值电压
2.8V
Pd-功耗
326W
Id-漏极电流(25℃)
73A
Vds-漏源击穿电压
1200V
Crss-反向传输电容
10pF
Ciss-输入电容
2159pF
Qg-栅极电荷
76nC
RDS(on)-导通电阻(15V)
40mΩ
工作温度
-55℃~+175℃
RDS(on)-导通电阻(18V)
32mΩ

热门型号

相关推荐

GRM155R71H123KA12D
CC0402JRX7R9BB333
CC0805KRX7R9BB152
GRM155R6YA105KE11D
GJM0335C1E3R3WB01D
GRM1555C1HR30WA01D
HHV0805R7332K251NTHJ
GJM1555C1H430FB01D
C0805X5R106K160NT
C0603NP0180JGT
0201B332K500NT
GRM0335C1H8R2BA01D
CC0402JRX7R9BB561
FCC0603N8R2C500CT
FCC0402X105M6R3AT
HHV0805R7682K251NTHJ
0402CG2R5C500NT
CC0402JRNPO9BN561
CL21A226KQQNNNE
HHV0805R7681K201NTHJ
TCC0603X5R106M160CT
GRM1885C1H103JA01J
GRM188R71C104KA01D
GRM32Q7U2J682JW31L
CS3225X7R476K100NRL
HHV0805R7332K201NTHJ
CC0402JRNPO9BN681
GRM1555C1H110JA01D
TCC0402COG101J500AT
GRM0335C1H1R8CA01D
回到顶部

联系我们

工作时间：周一至周五（09:00 ~ 18:00）

客服时间：周一至周日（08:00 ~ 22:00）

客服微信

芯贸网客服微信

Copyright © 2024 - 2024 www.xinmaoic.com 版权所有 芯贸网 粤ICP备2022138699号-3