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首页 产品类目 氮化镓(GaN)器件 氮化镓晶体管(GaN HEMT) INN650D260A

INN650D260A

INN650D260A
型号：
INN650D260A
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品牌： Innoscience(英诺赛科)
封装： DFN(8x8)
包装： 圆盘
毛重： 0（克g）
整包： 2500/圆盘
库存： 1667
到货通知
起订量： 1
增量： 1
描述： Innoscience(英诺赛科) 氮化镓晶体管(GaN HEMT) DFN(8x8) 1个N沟道 650V 22A 75W 1.6V 165mΩ 2nC 73pF 0.2pF -55℃~+150℃
数据手册： 下载地址

INN650D260A价格库存

数量
单价（含税）
总价（含税）
1+
¥ 8.79
¥ 8.7900
10+
¥ 7.47
¥ 74.7000
30+
¥ 6.75
¥ 202.5000
100+
¥ 5.93
¥ 593.0000
500+
¥ 5.57
¥ 2785.0000
1000+
¥ 5.4
¥ 5400.0000
库存：1667
起订量：1
增量：1
购买数量：
x ¥ 8.79 (单价)
总 价：
¥ 8.7900

INN650D260A属性参数

找到类似型号： 50 件 查看类似型号
属性
参数值
类目
氮化镓晶体管(GaN HEMT)
品牌
Innoscience(英诺赛科)
封装
DFN(8x8)
沟道类型
1个N沟道
技术路线
-
Vds-漏源击穿电压
650V
Id-漏极电流(25℃)
22A
Pd-功耗
75W
Vgs(th)-阈值电压
1.6V
RDS(on)-导通电阻(10V)
-
RDS(on)-导通电阻(8V)
-
RDS(on)-导通电阻(6V)
165mΩ
RDS(on)-导通电阻(4.5V)
-
RDS(on)-导通电阻(2.5V)
-
Qg-栅极电荷
2nC
Ciss-输入电容
73pF
Crss-反向传输电容
0.2pF
工作温度
-55℃~+150℃

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