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首页 产品类目 氮化镓(GaN)器件 氮化镓晶体管(GaN HEMT) INN650DA04

INN650DA04

INN650DA04
型号：
INN650DA04
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品牌： Innoscience(英诺赛科)
封装： DFN(5x6)
包装： 圆盘
毛重： 0（克g）
整包： 2500/圆盘
库存： 0
到货通知
起订量： 1
增量： 1
描述： Innoscience(英诺赛科) 氮化镓晶体管(GaN HEMT) DFN(5x6) 1个N沟道 650V 7A 39W 1.6V 365mΩ 0.9nC 34pF 0.4pF -55℃~+150℃
数据手册： 下载地址

INN650DA04价格库存

数量
单价（含税）
总价（含税）
1+
¥ 3.65
¥ 3.6500
10+
¥ 3
¥ 30.0000
30+
¥ 2.68
¥ 80.4000
100+
¥ 2.35
¥ 235.0000
500+
¥ 2.08
¥ 1040.0000
1000+
¥ 1.98
¥ 1980.0000
库存：0
起订量：1
增量：1
购买数量：
x ¥ 3.65 (单价)
总 价：
¥ 3.6500

INN650DA04属性参数

找到类似型号： 50 件 查看类似型号
属性
参数值
类目
氮化镓晶体管(GaN HEMT)
品牌
Innoscience(英诺赛科)
封装
DFN(5x6)
沟道类型
1个N沟道
技术路线
-
Vds-漏源击穿电压
650V
Id-漏极电流(25℃)
7A
Pd-功耗
39W
Vgs(th)-阈值电压
1.6V
RDS(on)-导通电阻(10V)
-
RDS(on)-导通电阻(8V)
-
RDS(on)-导通电阻(6V)
365mΩ
RDS(on)-导通电阻(4.5V)
-
RDS(on)-导通电阻(2.5V)
-
Qg-栅极电荷
0.9nC
Ciss-输入电容
34pF
Crss-反向传输电容
0.4pF
工作温度
-55℃~+150℃

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