INN650DA260A

INN650DA260A
型号:
INN650DA260A
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封装: DFN(5x6)
包装: 圆盘
毛重: 0(克g)
整包: 2500/圆盘
库存: 0
起订量: 1
增量: 1
描述: Innoscience(英诺赛科) 氮化镓晶体管(GaN HEMT) DFN(5x6) 1个N沟道 650V 12A 75W 1.6V 165mΩ 2nC 73pF 0.2pF -55℃~+150℃
数据手册: 下载地址

INN650DA260A价格库存

数量
单价(含税)
总价(含税)
1+
¥ 7.89
¥ 7.8900
10+
¥ 6.66
¥ 66.6000
30+
¥ 5.98
¥ 179.4000
100+
¥ 5.22
¥ 522.0000
500+
¥ 4.67
¥ 2335.0000
1000+
¥ 4.51
¥ 4510.0000
库存:0
起订量:1
增量:1
购买数量:
x ¥ 7.89 (单价)
总 价:
¥ 7.8900

INN650DA260A属性参数

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属性
参数值
封装
DFN(5x6)
沟道类型
1个N沟道
技术路线
-
Vds-漏源击穿电压
650V
Id-漏极电流(25℃)
12A
Pd-功耗
75W
Vgs(th)-阈值电压
1.6V
RDS(on)-导通电阻(10V)
165mΩ
RDS(on)-导通电阻(8V)
-
RDS(on)-导通电阻(6V)
-
RDS(on)-导通电阻(4.5V)
-
RDS(on)-导通电阻(2.5V)
-
Qg-栅极电荷
2nC
Ciss-输入电容
73pF
Crss-反向传输电容
0.2pF
工作温度
-55℃~+150℃

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