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首页 产品类目 氮化镓(GaN)器件 氮化镓晶体管(GaN HEMT) RC65D600E

RC65D600E

RC65D600E
型号：
RC65D600E
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品牌： RealChip(正芯半导体)
封装： TO-252
包装： 圆盘
毛重： 0（克g）
整包： 1000/圆盘
库存： 326
到货通知
起订量： 1
增量： 1
描述： RealChip(正芯半导体) 氮化镓晶体管(GaN HEMT) TO-252 1个N沟道 650V 4.8A 25W 1.9V 600mΩ 7nC 243pF 0.4pF -55℃~+150℃
数据手册： 下载地址

RC65D600E价格库存

数量
单价（含税）
总价（含税）
1+
¥ 1.83
¥ 1.8300
10+
¥ 1.79
¥ 17.9000
30+
¥ 1.76
¥ 52.8000
100+
¥ 1.73
¥ 173.0000
库存：326
起订量：1
增量：1
购买数量：
x ¥ 1.83 (单价)
总 价：
¥ 1.8300

RC65D600E属性参数

找到类似型号： 50 件 查看类似型号
属性
参数值
类目
氮化镓晶体管(GaN HEMT)
品牌
RealChip(正芯半导体)
封装
TO-252
沟道类型
1个N沟道
技术路线
-
Vds-漏源击穿电压
650V
Id-漏极电流(25℃)
4.8A
Pd-功耗
25W
Vgs(th)-阈值电压
1.9V
RDS(on)-导通电阻(10V)
600mΩ
RDS(on)-导通电阻(8V)
-
RDS(on)-导通电阻(6V)
-
RDS(on)-导通电阻(4.5V)
-
RDS(on)-导通电阻(2.5V)
-
Qg-栅极电荷
7nC
Ciss-输入电容
243pF
Crss-反向传输电容
0.4pF
工作温度
-55℃~+150℃

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